[發(fā)明專利]晶片支撐組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810033133.3
• 申請日: 2008-01-25
• 公開（公告）號: CN101492810A
• 公開（公告）日: 2009-07-29
• 發(fā)明（設計）人: 曾玉帆;黎東明;邊逸軍;陳亮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 樓仙英

技術領域

本發(fā)明涉及半導體制程中的設備，特別是涉及物理氣相淀積設備中用的晶片支撐組件。?

背景技術

在半導體制程的物理氣相淀積過程中，通常用到Endura設備，該設備包括若干反應室、傳輸室、緩沖室、裝載室以及機械手壁等。例如圖1所示，有兩個傳輸室，分別是第一傳輸室2a和第二傳輸室2b，在兩個傳輸室中各有一個機械手臂5a和5b。在第一傳輸室2a和第二傳輸室2b之間有兩個暫時放置晶片和冷卻晶片的緩沖室3a和冷卻室3b。第一傳輸室2a中的第一機械手臂5a主要用于將晶片從緩沖室3a到反應室1a，或者從一個反應室1a到另一個反應室1b，或者從一個反應室1b到冷卻室3b進行傳輸。而第二傳輸室2b中的第二機械手臂5b用于將晶片從冷卻室3b到裝載室4，或者從裝載室4到緩沖室3a進行傳輸。?

緩沖室3a用于臨時放置待工的晶片，而冷卻室3b則用于冷卻反應室中來的處于較高溫度的晶片，以便傳輸?shù)较乱粋€工序。在該兩個室中設置有一套用于支撐晶片的支撐組件6，如圖2所示。該晶片支撐組件包括：基座61、支撐桿62，其中，基座61固定在機臺的圓形底座(圖中未示出)上，一般基座61底部與機臺用螺母固定，整個支撐組件可以隨著基臺一起上下移動。支撐桿62與基座61成直角并固定成為一體。?

圖2A～2D是該支撐組件6的工作過程示意圖。?

當機械手臂傳輸過來一個晶片時，支撐組件6整體上移到剛好接觸晶片，這時機械手臂放下晶片并離開，如圖2A所示，放置有晶片的支撐組件慢慢向下移動，直到晶片與支撐臺/冷卻臺8接觸，如圖2B所示。但是有時由于機械手臂的機械故障或者腔體內(nèi)發(fā)生晶片背面壓力發(fā)生異常從而導致晶片偏離，當偏離的晶片從機械手臂上放到支撐組件上時，有種可?

能的情況如圖2C所示，這時很可能是晶片一邊搭在支撐組件的支撐桿62上，而另一邊已經(jīng)與冷卻臺或支撐臺8接觸，接著支撐組件慢慢向下移動，由于晶片的一邊已經(jīng)在一支撐桿的下方，因此支撐組件向下移動到一定程度就會打到接觸冷卻臺或支撐臺的晶片一邊，導致晶片破碎。這不僅浪費了一個晶片，而且由于破碎的晶片破壞了真空環(huán)境，因此需要對機臺進行清理，如果該破損晶片是已經(jīng)過多道工序加工的晶片，那么損失更加嚴重。?

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問題，提出了本發(fā)明。?

本發(fā)明的目的是提供一種晶片支撐組件，即使當晶片由機械手臂放置于支撐組件上時晶片偏離該支撐組件，該組件也能夠保證晶片安全而不破損。?

本發(fā)明為了實現(xiàn)上述目的，將現(xiàn)有技術中固定連接的支撐組件改進為活動連接，使支撐晶片的部分可在縱向上轉(zhuǎn)動。?

本發(fā)明的晶片支撐組件，用于物理氣相淀積設備中，該組件包括：?

基座，固定于機臺底座上并能夠隨機臺一起升降；?

支撐部件，包括支撐端和連接端，連接端與基座連接并由基座支撐，支撐端用于支撐晶片；?

其特征在于，所述支撐部件的連接端與基座活動地連接，當支撐端受到向上的外力作用時，使支撐部件的支撐端能夠圍繞連接端與基座的連接處向上轉(zhuǎn)動，當支撐部件上沒有向上的外力作用時，支撐部件保持水平。也就是說當支撐部件上支撐有晶片或者支撐部件處于未工作狀態(tài)時，支撐部件保持水平。?

一般基座底部與機臺底座用螺母固定，由于機臺可以在縱向上下移動，因此基座與機臺一起升降。?

為了支撐晶片穩(wěn)定，所述的支撐端呈扁平結構，優(yōu)選地呈階梯結構，包括一略低于連接端面的支撐面，用于放置晶片，和一傾斜面，用于擋止晶片。?

所述基座可以是適宜固定于圓形底座上的任何形狀，可以是一個整體結構，也可以是多個基座，基座整體可以呈環(huán)形、多邊形，或者單個呈柱?形的多個基座。?

當基座為環(huán)形結構時，較好為比晶片外圈尺寸稍大的圓環(huán)形設計。基座上至少有三個穿槽，以大致均勻的間隔分布在所述圓環(huán)形基座上，穿槽大小與支撐部件的連接端相配合，而且有相應數(shù)量的支撐部件分別設置在所述穿槽中。?

當基座是柱形結構時，在機臺底座的比晶片外圈尺寸稍大的環(huán)形區(qū)域上至少包括三個基座和相應數(shù)量的支撐部件，基座以大致均勻的間隔分布在該環(huán)形區(qū)域上，每個基座上有一個穿槽，穿槽大小與支撐部件的連接端相配合，以使每個支撐部件的連接端分別容置在一個穿槽中。?

穿槽的底部可以是徑向向外的傾斜底部，傾斜底部的頂部使支撐部件在支撐有晶片時或處于未工作狀態(tài)時，使支撐部件保持水平。優(yōu)選地所述傾斜底部與水平方向的角度為50～70度。?