[發(fā)明專利]晶片支撐組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810033133.3 | 申請日: | 2008-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN101492810A | 公開(公告)日: | 2009-07-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 曾玉帆;黎東明;邊逸軍;陳亮 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/50 | 分類號: | C23C14/50 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 | 代理人: | 樓仙英 |
| 地址: | 201203*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 支撐 組件 | ||
1.一種晶片支撐組件,用于物理氣相淀積設(shè)備中,包括:
基座,固定于機臺底座上并能夠隨機臺一起升降;
支撐部件,包括支撐端和連接端,連接端與基座連接并由基座支撐,支撐端用來支撐晶片;
其特征在于,所述支撐部件的連接端與基座活動地連接,當(dāng)支撐端受到向上的外力作用時,使支撐端能夠圍繞支撐部件與基座的連接處向上轉(zhuǎn)動,當(dāng)支撐部件上沒有向上的外力作用時,支撐部件保持水平。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐組件,其特征在于,所述的基座底部與機臺底座用螺母固定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片支撐組件,其特征在于,所述的支撐端包括一支撐面,用于放置晶片,以及一傾斜面,用于擋止晶片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片支撐組件,其特征在于,所述基座為整體呈環(huán)形結(jié)構(gòu)或單個呈柱形結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片支撐組件,其特征在于,所述的基座上有至少三個穿槽,以大致均勻的間隔分布在所述環(huán)形基座上,而且有相應(yīng)數(shù)量的支撐部件分別設(shè)置在所述穿槽中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片支撐組件,其特征在于,所述的基座上穿槽的兩側(cè)壁上有兩個相對的連接孔,所述支撐部件的連接端的兩側(cè)上各有一個軸狀物或桿狀物,插入所述連接孔中后,當(dāng)有向上的外力作用于支撐端時,支撐端能夠轉(zhuǎn)動。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片支撐組件,其特征在于,當(dāng)基座為柱形結(jié)構(gòu)時,該支撐組件至少包括三個基座和相應(yīng)數(shù)量的支撐部件,基座以大致均勻的間隔分布在機臺底座上比晶片外圈尺寸稍大的一環(huán)形區(qū)域,每個基座上有一個穿槽,每個支撐部件的連接端分別設(shè)置在一個穿槽中。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的晶片支撐組件,其特征在于,所述穿槽至少包括徑向向外的傾斜底部,傾斜底部的頂部使支撐部件在支撐有晶片時或處于未工作狀態(tài)時,使支撐部件保持水平。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片支撐組件,其特征在于,所述傾斜底部與水平方向的夾角為50度到70度之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片支撐組件,其特征在于,所述穿槽包括水平底部和徑向向外的傾斜底部,兩者的接合部在所述連接處垂直對應(yīng)的底部以內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片支撐組件,其特征在于,所述傾斜底部相對于水平底部的傾斜角為35度至60度之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片支撐組件,其特征在于,所述基座上穿槽的兩側(cè)壁上有兩個相對的連接孔,所述支撐部件的連接端上有一連接孔,一連接部件插入這些孔中連接所述支撐部件和所述基座。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片支撐組件,其特征在于,所述連接部件是螺桿螺母,或銷。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片支撐組件,其特征在于,所述的基座上穿槽兩側(cè)壁上的連接孔是圓形孔或橢圓形長孔,支撐部件上的連接孔是圓形孔。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片支撐組件,其特征在于,支撐端底部粘貼有軟墊。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片支撐組件,其特征在于,支撐端底部粘貼有軟墊。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





