[發(fā)明專利]離子束拋光工藝中面形收斂精度的控制方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810030957.5
• 申請日: 2008-03-31
• 公開（公告）號: CN101261511A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李圣怡;戴一帆;解旭輝;周林;鄭子文;王建敏;尹自強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 中國人民解放軍國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)
• 主分類號: G05B19/4093
• 分類號: G05B19/4093;C03C23/00
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務(wù)所
• 代理人: 趙洪

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于光學(xué)加工領(lǐng)域，尤其涉及一種離子束拋光工藝過程中進(jìn)行精度控制的工藝方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的離子束拋光控制工藝，對于面形收斂精度的控制是基于經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行的，對面形收斂精度缺乏預(yù)測和控制的能力。例如，根據(jù)已知的誤差面形和去除函數(shù)，現(xiàn)有技術(shù)只能求解出一組駐留時(shí)間，這樣，在精度要求高的情況下，求解出的駐留時(shí)間往往無法滿足要求，而精度要求低的情況下，求解出的駐留時(shí)間又常常偏大，加工時(shí)間偏長。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種操作簡單、可控性強(qiáng)、效率較高的離子束拋光工藝中面形收斂精度的控制方法。

為解決上述技術(shù)問題，我們提供的技術(shù)方案為一種離子束拋光工藝中面形收斂精度的控制方法，該方法首先建立確定性拋光過程的線性模型，再根據(jù)求解駐留時(shí)間的截?cái)嗥娈愔捣椒ㄖ薪財(cái)鄥?shù)與殘差的關(guān)系，計(jì)算出滿足加工精度要求的駐留時(shí)間，再以該加工駐留時(shí)間進(jìn)行加工，從而實(shí)現(xiàn)對加工精度的控制，具體包括以下步驟：

(1)獲取拋光工藝的去除函數(shù)：用確定性拋光工藝過程進(jìn)行去除函數(shù)試驗(yàn)獲取去除函數(shù)或者直接選用已經(jīng)獲取并保留下來的去除函數(shù)，經(jīng)試驗(yàn)獲取的或直接選用的去除函數(shù)記為b(x，y)；

(2)檢測面形誤差分布：采用面形檢測裝置檢測待加工光學(xué)鏡面的面形誤差分布，將檢測得到的面形誤差分布記為z(x，y)；

(3)建立拋光工藝的加工過程模型：在所述光學(xué)鏡面上適當(dāng)選取m個(gè)加工量分布點(diǎn)，第i點(diǎn)(1≤i≤m)的坐標(biāo)記為(x_i，y_i)，則該第i點(diǎn)處的期望加工量為z_i＝z(x_i，y_i)，所有z_i按順序組成一個(gè)期望加工量向量z_e；同時(shí)，在所述光學(xué)鏡面上及鏡面邊緣外適當(dāng)選取n個(gè)加工駐留分布點(diǎn)，第j點(diǎn)(1≤j≤n)的坐標(biāo)記為(u_j，v_j)，設(shè)第j點(diǎn)處的原始加工駐留時(shí)間為t_j，所有的t_j按順序組成一個(gè)原始駐留時(shí)間向量t；當(dāng)離子束在駐留加工分布點(diǎn)j點(diǎn)(u_j，v_j)停留時(shí)間t_j時(shí)，對加工量分布點(diǎn)i點(diǎn)(x_i，y_i)的材料去除量為r_ij＝a_ijt_j，則所有的駐留加工點(diǎn)對某一加工量分布點(diǎn)i點(diǎn)(x_i，y_i)的材料去除量總和為ri=Σj=1naijtj,]]>把所有加工量分布點(diǎn)的材料去除量ri按順序組成一個(gè)材料去除量向量r，則加工過程模型可表示為r＝At，其中A為m行n列的加工矩陣，第i行第j列的元素為a_ij，a_ij＝b(x_i-u_j，y_i-v_j)；