[發明專利]基于氮化鋁微晶陶瓷基板的稀土厚膜電路電熱元件及其制備工藝有效
| 申請號: | 200810029435.3 | 申請日: | 2008-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN101321415A | 公開(公告)日: | 2008-12-10 |
| 發明(設計)人: | 王晨;王克政 | 申請(專利權)人: | 王晨;王克政 |
| 主分類號: | H05B3/14 | 分類號: | H05B3/14;C03C10/02;C03C17/06 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 | 代理人: | 詹仲國 |
| 地址: | 528000廣東省佛*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 氮化 鋁微晶 陶瓷 稀土 電路 電熱 元件 及其 制備 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及電熱技術領域,更具體地說是涉及ALN微晶陶瓷基板、稀 土電子漿料、厚膜電路可控電熱元件及其制備工藝。
背景技術
在我國確立的可持續發展戰略中,涉及到的兩個方面是環境保護和提 高能量利用率,改善能量結構。在電加熱領域中,新型的加熱元件要求體 積要小,功率要大,表面熱負荷要大,熱惰性要小,熱效率要高,耗電要 低,熱啟動要快,溫度場要均勻,導熱性能優良、抗熱沖擊能力要強,無 污染,綠色、環保、安全可靠。
在金屬基板、微晶玻璃基板高效電熱元件已獲得市場認可,產生了一 定的社會效益、經濟效益之際,我們也發現當材料被用作熱導體或是絕緣 體時,熱導率就成為一個很重要的參數。因而,對于基片的諸要求中導熱 率就成為領軍指標,而金屬基板、微晶玻璃基板的熱導率又不是最好的, 當電熱元件在大功率、高溫運行時,導熱率低就有可能造成效率下降,尤 其在400~600℃運行時不僅造成效率下降,還會造成設計制造成本的增 加.且現有的ALN氮化鋁基片雖說熱導率是最好的,大功率高溫下使用性 能良好,但ALN材料韌性差、機械強度低,規格作不大,適用范圍受到了 很大限制。為此,研制一種韌性好,高強度、大規格的ALN微晶陶瓷基板 材料,附著力強、電熱性能良好的系列電子漿料,制備出高效環保、大功 率的厚膜電路電熱元件成為國內外市場急需解決的課題。
發明內容
本發明的目的就是為了解決現有技術之不足而提供的一種體積小,功 率大,表面熱負荷大,熱導率高,熱效率高,熱啟動快,溫度場均勻,抗 熱沖擊能力強,機械強度高、無污染,綠色、環保、安全可靠的基于氮化 鋁微晶陶瓷基板的稀土厚膜電路電熱元件。
本發明的另一目的是提供一種基于氮化鋁微晶陶瓷基板的稀土厚膜 電路電熱元件的制備工藝。
本發明是采用如下技術解決方案來實現上述目的:一種基于氮化鋁微 晶陶瓷基板的稀土厚膜電路電熱元件,包括基片、系列電子漿料,所述系 列電子漿料以厚膜電路的形式制備在基片上,該系列電子漿料還包括封裝 漿料、電極漿料,系列電子漿料均由功能相、無機粘接相、有機載體三部 分組成。所述基片為ALN-YF3-Y2O3-CaF2-La2O3-ZrO2稀土微晶陶瓷,各微晶 陶瓷粉體合成比例(重量比)為:ALN-YF3-Y2O3-CaF2-La2O3=93.5~96.8∶3~ 1.5∶1~0.5∶2~1∶0.5~0.2,采用ZrO2作晶核劑。
作為上述方案的進一步說明,所述ALN-YF3-Y2O3-CaF2-La2O3-ZrO2稀土 微晶陶瓷,采用流延法(或壓延法)制備,低溫燒結而成,流延漿料主要 由固相成份、有機溶劑載體、無機粘接相三部分組成。
所述流延漿料中固相成份、有機溶劑載體、無機粘接相各部分的比例 為:(55~70)∶(20~30)∶(2.5~4.5),流延漿料中還含有分散劑 (0.8~3)∶增塑劑(3.5~5.5)∶除泡劑(0.01~0.1)。
所述的固相成分為添加稀土氧化物的陶瓷粉體,有機溶劑載體包括溶 劑:二甲苯+無水乙醇、粘接劑:聚乙烯醇縮丁醛、分散劑:三油酸甘油酯、 增塑劑:磷苯二甲酸二丁酯+聚乙二醇、除泡劑:磷酸三丁酯、有機硅油、 醇類混合物。
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