[發明專利]散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法

無效

• 申請號: 200810025600.8
• 申請日: 2008-04-29
• 公開（公告）號: CN101573000A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發明（設計）人: 吳政道;郭雪梅
• 申請（專利權）人: 漢達精密電子（昆山）有限公司
• 主分類號: H05K3/10
• 分類號: H05K3/10;H05K3/16;H05K7/20;C23C14/34;C23C14/02;C23C14/14;C23C14/54;C23C8/24;C23F1/02
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【技術領域】

本發明是一種在絕緣基板上形成導電線路的方法，特別是采用真空濺鍍工藝在散熱基板上形成導電線路的方法。

【背景技術】

目前電子產品的線路基板是在塑料基板或經過絕緣導熱處理后的金屬基板或復合基板上制作導電線路，為了提高其散熱性再在導電線路基板下方加裝散熱片如鋁和銅的散熱片。由于大功率LED封裝形式一般采用表面貼裝，所以在應用中大功率LED先安裝在金屬線路板上，如果還需要外部熱沉(散熱器)，則將散熱器再安裝在金屬線路板上。為了使LED器件、外部熱沉與金屬線路板緊密相連，內部熱沉、外部熱沉與金屬線路板之間應涂敷一層導熱膠。

目前文獻所報道導熱膠最高的導熱率約為5w/k·m。因此，導電線路基板和散熱片之間連接用的導熱膠成為未來高功率電子元器件散熱一個瓶頸點。

目前市面上線路板的制作方法中還未見到在鋁合金散熱基板上，運用真空濺鍍技術制備線路基板之方法。

【發明內容】

本發明的主要目的在于提供一種散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，制程工藝簡單，較少污染環境。

為達上述目的，本發明提供一種散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于包括以下步驟：提供一散熱基板；將散熱基板進行前處理，以使散熱基板的表面清潔；將經前處理的散熱基板配置于一真空腔體內；將惰性氣體通入該腔體中，啟動濺鍍鋁靶材，進行離子沖擊并植入鋁；同步調整鋁靶材的電流密度及基板偏壓；逐步通入氮氣，生成氮化鋁薄膜；于生成有氮化鋁薄膜的散熱基板的外層濺鍍上金屬導電層與金屬防護層；抗蝕刻膜遮罩電路圖的導體部分，蝕刻去除非導體部分，再脫去抗蝕刻膜。

與現有技術相比較，本發明工藝制程簡單，導熱性佳，且工藝比較環保。

【附圖說明】

圖1為本發明散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法的工藝流程圖。

【具體實施方式】

請參閱圖1所示，本發明散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法包括以下步驟：

步驟201：提供一散熱基板，其中，該散熱基板的材質為純鋁或鋁合金；

步驟202：將散熱基板進行前處理，以使散熱基板的表面清潔，其中，前處理包括脫脂，酸洗，清洗；

步驟203：將經前處理的散熱基板配置于一真空腔體內，腔體內的氣壓為10^-5torr；

步驟204：將惰性氣體(如氬氣)通入該腔體中并使腔體內的氣壓維持在1～3x10^-3torr，啟動基板負偏壓在-300～-600Volt，啟動濺鍍鋁靶材，控制鋁靶材的電流密度在0.1～1W/cm²，進行離子沖擊并植入鋁，植入鋁的時間約為3～10min，植入的鋁作為中間層增加附著性；

步驟205：同步調整鋁靶材的電流密度至5～15W/cm²及基板偏壓至20～60Volt，時間約為1～3min；

步驟206：逐步通入氮氣，氮氣的氣壓維持在1～3x10^-3torr，生成氮化鋁薄膜；當氮化鋁薄膜層的厚度為3～5μm時，關閉鋁靶材的電流；

步驟207：于生成有氮化鋁薄膜的散熱基板的外層濺鍍上金屬導電層與金屬防護層；其中，濺鍍金屬導電層與金屬防護層的步驟如下：

濺鍍金屬導電層的具體步驟：將生成有氮化鋁薄膜的散熱基板置入一真空腔內，抽真空至10^-5torr后，通入氬氣維持在1～3x10^-3torr，啟動基板負偏壓在-300～-600Volt，此時啟動濺鍍銅靶材，控制濺鍍靶材的電流密度在0.1～1W/cm²，進行鍍銅，銅膜厚度控制約0.5～5μm；

濺鍍金屬防護層的具體步驟：將濺鍍有銅膜的散熱基板置入另一真空腔，通入氬氣維持在1～3x10^-3torr，此時啟動濺鍍金靶材或鎳金靶材，控制濺鍍靶材的電流密度在0.1～1W/cm²，鍍上金膜或鎳金薄膜，金膜或鎳金薄膜的厚度控制約0.1～0.3μm。

步驟208：抗蝕刻膜以印刷的方式或曝光顯影的方式遮罩電路圖的導體部分，蝕刻去除非導體部分，再脫去抗蝕刻膜。