[發明專利]散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法

無效

• 申請號: 200810025600.8
• 申請日: 2008-04-29
• 公開（公告）號: CN101573000A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發明（設計）人: 吳政道;郭雪梅
• 申請（專利權）人: 漢達精密電子（昆山）有限公司
• 主分類號: H05K3/10
• 分類號: H05K3/10;H05K3/16;H05K7/20;C23C14/34;C23C14/02;C23C14/14;C23C14/54;C23C8/24;C23F1/02
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1.一種絕緣導熱散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于包括以下步驟：

(1)提供一散熱基板；

(2)將散熱基板進行前處理，以使散熱基板的表面清潔；

(3)將經前處理的散熱基板配置于一真空腔體內；

(4)將惰性氣體通入該腔體中，啟動濺鍍鋁靶材，進行離子沖擊并植入鋁；

(5)同步調整鋁靶材的電流密度及基板偏壓；

(6)逐步通入氮氣，生成氮化鋁薄膜；

(7)于生成有氮化鋁薄膜的散熱基板的外層濺鍍上金屬導電層與金屬防護層；

(8)抗蝕刻膜遮罩電路圖的導體部分，蝕刻去除非導體部分，再脫去抗蝕刻膜。

2.根據權利要求1所述的絕緣導熱散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于：該散熱基板的材質為純鋁。

3.根據權利要求1所述的絕緣導熱散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于：該散熱基板的材質為鋁合金。

4.根據權利要求1所述的絕緣導熱散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于：該散熱基板在進入腔體前已經過前處理，前處理包括脫脂，酸洗，清洗。

5.根據權利要求1所述的絕緣導熱散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于：步驟(3)中腔體內的氣壓為10^-5torr。

6.根據權利要求1所述的絕緣導熱散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于：步驟(4)中腔體內的氣壓維持在1～3×10^-3torr。

7.根據權利要求1所述的絕緣導熱散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于：步驟(6)中腔體內氮氣的氣壓維持在1～3×10^-3torr。

8.根據權利要求1所述的絕緣導熱散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于：啟動濺鍍鋁靶材時，需將基板負偏壓控制在-300～-600Volt，并將鋁靶材的電流密度控制在0.1～1W/cm²，進行離子沖擊并植入鋁的時間為3～10min。

9.根據權利要求1所述的絕緣導熱散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于：通入氮氣前1～3min，需將基板負偏壓調整至20～60Volt，并將鋁靶材的電流密度控制在5～15W/cm²。

10.根據權利要求1所述的絕緣導熱散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于：當氮化鋁薄膜層的厚度為3～5μm時，關閉鋁靶材的電流。

11.根據權利要求1所述的絕緣導熱散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于：步驟(7)中濺鍍金屬導電層的步驟包括，將生成有氮化鋁薄膜的散熱基板置入一真空腔內，抽真空至10^-5torr后，通入氬氣維持在1～3×10^-3torr，啟動基板負偏壓在-300～-600Volt，此時啟動濺鍍銅靶材，控制濺鍍靶材的電流密度在0.1～1W/cm²，進行鍍銅，銅膜厚度控制約0.5～5μm。

12.根據權利要求11所述的絕緣導熱散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于：步驟(7)中濺鍍金屬防護層的步驟包括，將濺鍍有銅膜的散熱基板置入另一真空腔，通入氬氣維持在1～3×10^-3torr，此時啟動濺鍍金靶材，控制濺鍍靶材的電流密度在0.1～1W/cm²，進行鍍金，金膜厚度控制約0.1～0.3μm。

13.根據權利要求11所述的絕緣導熱散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于：步驟(7)中濺鍍金屬防護層的步驟包括，將濺鍍有銅膜的散熱基板置入另一真空腔，通入氬氣維持在1～3×10^-3torr，此時啟動濺鍍鎳金靶材，控制濺鍍靶材的電流密度在0.1～1W/cm²，鍍上鎳金薄膜，鎳金薄膜的厚度控制約0.1～0.3μm。

14.根據權利要求1所述的絕緣導熱散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于：步驟(8)中的抗蝕刻膜以印刷的方式加以遮罩。

15.根據權利要求1所述的絕緣導熱散熱基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于：步驟(8)中的抗蝕刻膜以曝光顯影的方式加以遮罩。