[發明專利]表面加工多晶硅薄膜熱膨脹系數的電測試方法

無效

• 申請號: 200810024481.4
• 申請日: 2008-03-21
• 公開（公告）號: CN101246136A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 黃慶安;胡冬梅;李偉華
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: G01N25/16
• 分類號: G01N25/16;G01N27/00
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 葉連生

1、一種表面加工多晶硅薄膜熱膨脹系數的電測試方法，其特征是：基于雙端固支梁(1)的吸合現象，在線提取出多晶硅薄膜的熱膨脹系數，測試方法如下：

第一步，先在雙端固支梁(1)和多晶硅襯底(2)間加電壓，測得雙端固支梁(1)發生吸合時的吸合電壓值；

第二步，待雙端固支梁(1)恢復到初始狀態后，在雙端固支梁(1)中通以一恒定電流，用示波器記錄下雙端固支梁(1)兩端電壓的變化曲線，并且在雙端固支梁(1)受熱最終達到熱穩態后，測得其發生吸合時的吸合電壓值；

第三步，根據前后兩次吸合電壓值的變化得到電流加熱后雙端固支梁(1)中產生的熱應力值，而根據示波器記錄的雙端固支梁(1)兩端電壓的變化曲線，得到加熱后雙端固支梁(1)上溫度變化值；

第四步，根據得到的熱應力值和雙端固支梁(1)上的溫度變化值，利用關系式：αT=-σthE′ΔT,]]>可得到多晶硅薄膜的熱膨脹系數，其中：α_T是多晶硅薄膜的熱膨脹系數，σ_th是熱應力值，E′是等效楊氏模量，ΔT是溫度變化值。

2、根據權利要求1所述的表面加工多晶硅薄膜熱膨脹系數的電測試方法，其特征是根據前后兩次吸合電壓值的變化得到電流加熱后雙端固支梁(1)中產生的熱應力值的方法為：

第一步，先在雙端固支梁(1)和多晶硅襯底(2)間加電壓，測得雙端固支梁(1)發生吸合時的吸合電壓值V_PI0，然后將V_PI0代入計算表達式，經迭代計算可得到雙端固支梁(1)中的初始殘余應力σ₀；

第二步，待雙端固支梁(1)恢復到初始狀態后，在雙端固支梁(1)中通以一恒定電流，在雙端固支梁(1)受熱最終達到熱穩態后，測得其發生吸合時的吸合電壓V_PI1，然后將V_PI1代入計算表達式，經迭代計算得到這時雙端固支梁(1)中的殘余應力σ₁，這樣就可得到雙端固支梁(1)受熱后產生的熱應力為：σ_th＝σ₁-σ₀。