[發(fā)明專利]芯片型固態(tài)電解電容器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810023083.0 | 申請日: | 2008-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN101329954A | 公開(公告)日: | 2008-12-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邱繼皓;陳明宗;楊喬因 | 申請(專利權(quán))人: | 鈺邦電子(無錫)有限公司 |
| 主分類號: | H01G9/15 | 分類號: | H01G9/15;H01G9/045;H01G9/048 |
| 代理公司: | 無錫盛陽專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 劉瑞平 |
| 地址: | 214105江蘇省無錫市錫山*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 固態(tài) 電解電容器 | ||
(一)技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電容器技術(shù)領(lǐng)域,具體為芯片型固態(tài)電解電容器。?
(二)背景技術(shù)
隨著電子設(shè)備小型化、微型化的發(fā)展,印刷電路板的高密度構(gòu)裝及高效率需求,芯片型固態(tài)電解電容器的發(fā)展亦相對快速。一般的固態(tài)電解電容器,主要系使用鋁、鉭、鈮、鈦等金屬體,最廣泛被使用者為鋁及鉭,而有鋁固態(tài)電解電容及鉭固態(tài)電解電容。鋁固態(tài)電解電容器,系將鋁箔經(jīng)由電解蝕刻出表面帶微孔的鋁箔金屬體,再于鋁箔金屬體的陰極區(qū)域的上表面形成介電氧化皮膜,而形成如圖1所示,上下層帶有微孔的氧化皮膜層1、2;然后,利用切割或沖壓等制程將鋁箔金屬體切割成符合預(yù)定大小形狀的鋁箔單元3(如圖2所示),當(dāng)鋁箔單元3被切割完成后,其邊緣會(huì)出現(xiàn)裸露的中間鋁心層4。為了避免導(dǎo)電性高分子層時(shí)在形成過程中和裸露的中間鋁心層4接觸而造成短路,需再對鋁箔單元3進(jìn)行二次化成(再化成),以便在中間鋁心層4的表面形成氧化皮膜層,然后,再后續(xù)上碳銀膠等制程。然而,由于經(jīng)過沖壓或切割等機(jī)械加工后,鋁箔單元3的邊緣多少會(huì)有微裂5、毛邊或變形等情形(如圖3所示),再化成時(shí)即會(huì)產(chǎn)生氧化皮膜層不易附著或附著不完全等問題,使得在后續(xù)制程中的應(yīng)力破壞造成漏電流的增加。?
(三)發(fā)明內(nèi)容
針對上述問題,本發(fā)明提供了芯片型固態(tài)電解電容器,其制作成本低,出現(xiàn)漏電流的現(xiàn)象少,良品率高。?
其技術(shù)方案是這樣的:其包括表面經(jīng)蝕刻而上表面、下表面有微孔的鋁箔體,所述鋁箔體上表面、下表面分別為氧化皮膜層,隔離層將鋁箔體分隔為陽極區(qū)域及陰極區(qū)域,所述陰極區(qū)域的氧化皮膜層的上表面依次覆蓋導(dǎo)電性高分子層、碳膠層、陰極導(dǎo)電膠,其特征在于:在所述陰極區(qū)域的氧化皮膜層的上表面覆蓋導(dǎo)電性高分子層前,所述鋁箔體垂直方向上沿四周的厚度側(cè)面裸露的鋁芯層外表面包覆絕緣層。?
其進(jìn)一步特征在于:所述絕緣層的材質(zhì)為聚亞酰胺、環(huán)氧樹脂或硅膠;所述絕緣層覆蓋位于陰極區(qū)域的鋁箔體垂直方向上沿四周的厚度側(cè)面;所述絕緣層沿垂直于氧化皮膜層方向看上去呈U形,U形絕緣層與所述鋁箔體的側(cè)部套合連接。?
本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)中,絕緣材料包覆鋁箔金屬體的邊緣,邊緣表面不平整而導(dǎo)致成形膜不易附著或附著不完全等問題即可克服解決,這樣不僅能降低制造成本,而且可減少漏電流增加,且包覆絕緣材料包覆鋁箔金屬體的邊緣,可增強(qiáng)鋁箔金屬體的邊緣受力強(qiáng)度,避免在封裝時(shí)受到損壞,確保產(chǎn)品的良品率。?
(四)附圖說明
圖1為現(xiàn)有固態(tài)電解電容器于鋁箔的上下層形成微孔氧化皮膜層的剖面圖;?
圖2為現(xiàn)有固態(tài)電解電容器經(jīng)切割、沖壓后邊緣示意圖;?
圖3為現(xiàn)有固態(tài)電解電容器經(jīng)切割/沖壓后的邊緣部份放大示意圖;?
圖4為本發(fā)明的鋁箔的上表面、下表面形成微孔氧化皮膜層的剖面示圖;?
圖5為本發(fā)明的鋁箔金屬體經(jīng)切割、沖壓后的立體示意圖;?
圖6為本發(fā)明的鋁箔金屬體表面邊緣形成包覆層的分解示圖;?
圖7為本發(fā)明ㄇ形絕緣層與鋁箔金屬體結(jié)構(gòu)關(guān)系圖。?
(五)具體實(shí)施方式
見圖4、圖5,本發(fā)明包括表面經(jīng)蝕刻而上表面、下表面有微孔的鋁箔體6,鋁箔體6上表面7、下表面8分別為氧化皮膜層,隔離層11將鋁箔體6分隔為陽極區(qū)域12及陰極區(qū)域13,陰極區(qū)域13的氧化皮膜層的上部依次覆蓋導(dǎo)電性高分子層、碳膠層、陰極導(dǎo)電膠(圖6中未表達(dá)),在陰極區(qū)域13的氧化皮膜層的上部覆蓋導(dǎo)電性高分子層7前,鋁箔體6的邊緣裸露的鋁芯層外表面14包覆絕緣層10。絕緣層10的材質(zhì)為聚亞酰胺、環(huán)氧樹脂或硅膠;絕緣層10覆蓋位于陰極區(qū)域13的鋁箔體垂直方向上沿四周的厚度側(cè)面;見圖7,絕緣層10呈ㄇ形,ㄇ形絕緣層與鋁箔體6的側(cè)部套合連接。?
下面結(jié)合附圖描述本發(fā)明的加工過程:鋁箔的表面經(jīng)電解蝕刻形成表面帶微孔的鋁箔體6,鋁箔體6的上、下層表面形成氧化皮膜層7、8,之后,以沖壓或切割等機(jī)械加工對鋁箔體6進(jìn)行裁切,以成型出符合預(yù)定大小尺寸的鋁箔金屬體9(如圖4所示)。氧化皮膜層7、8以隔離層11隔成陽極區(qū)域12與陰極區(qū)域13;然后,經(jīng)由印刷或涂布等方式,以聚亞酰胺(polyimide)、環(huán)氧樹脂(epoxy)?或硅膠(silicon)等絕緣材料,在鋁箔金屬體9的邊緣外表面,形成一可將裸露的鋁心層14完全包覆的包覆層10。?
然后,再依序于鋁箔金屬體9的上方陰極區(qū)域,形成導(dǎo)電性高分子層、碳膠、銀導(dǎo)電膠等后續(xù)制程。如此即可避免在形成導(dǎo)電性高分子層時(shí)造成短路,并可減化再化成制程,減少漏電流增加,及降低制造成本。?
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