[發明專利]一種多層固態電解電容器的制造方法

無效

• 申請號: 200810023081.1
• 申請日: 2008-07-14
• 公開（公告）號: CN101329953A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發明（設計）人: 廖世昌;錢明谷
• 申請（專利權）人: 鈺邦電子（無錫）有限公司
• 主分類號: H01G9/15
• 分類號: H01G9/15
• 代理公司: 無錫盛陽專利商標事務所（普通合伙）
• 代理人: 劉瑞平

(一)技術領域

本發明涉及電容器加工技術領域，具體為一種多層固態電解電容器的制造方法。

(二)背景技術

由于半導體技術的演進，使得半導體構裝的產品在市場需求提高下，不斷發展出更精密、更先進的電子組件。以目前的半導體技術而言，比如覆晶構裝的技術、積層基板的設計及被動組件的設計等，均在半導體產業中，占有不可或缺的地位。以覆晶/球格數組封裝結構為例，芯片系配置于封裝基板的表面上，并且芯片與封裝基板電性連接，而封裝基板系為多層圖案化電路層以及多層絕緣層積集而成，其中圖案化電路層可經由微影蝕刻的方式加以定義而成，而絕緣層配置于相鄰二圖案化電路層之間。此外，為了得到更佳的電氣特性，封裝基板的表面上還配置有電容、電感以及電阻等被動組件，其可藉由封裝基板的內部線路與芯片以及其它電子組件電性連接。

在被動組件的設計上，由于芯片在高速運算下，會產生高熱，且芯片所產生的熱能會傳至封裝基板上，再傳至被動組件上。為了使被動組件即使在高溫的環境下，也不會影響其電氣特性，因此必須設計具有耐高溫以及高穩定性的被動組件，而微小型積層電容器即是其中一例。

一般的微小型積層電容器，主要系由多層介電層與多層金屬層堆棧而成，其中，介電層系由高介電常數的材質，如：鋇鈦酸鹽所組成，而金屬層系由如：銀、銀鈀合金的導電材質所組成，且多層金屬層形成多個陽、陰極交替的內電極(Internal?electrode)，而內電極與介電層系構成一電容結構，其兩側還配置有一對終端電極，分別電性連接陽、陰極的內電極，形成陽極及陰極，且該等陽極及陰極表面可形成一表面金屬層，如：鎳，以防止氧化。

常見的微小型積層電容器雖可因由多層介電層與多層金屬層堆棧構成，而體積可微小型化，增加運用范圍。但是，其制程復雜，成本高，短路率很多，制造過程及組裝困難。再者，美國第US6249424號專利亦揭露有單一鋁芯片電容器，該電容器系由陽極與陰極中間隔離一隔離層所構成，其中陽極上包覆有介電氧化膜(Al2O3)，導電性碳膠層及銀膠層所構成的陰極與陽極的間則有導電高分子層，而隔離層隔絕陰極、陽極構成鋁芯片電容器。然而，電容器欲增加其電容值系以并聯連接方式，使數個電容器堆棧并令該等電容器的電容值相加，得到數個電容值相加后的較大的電容值，并將堆棧后的鋁芯片電容器進行封裝，且從陽極與陰極端分別引出二導腳，形成完整的電容器，但是，堆棧電容器需以治具擠壓鋁芯片電容器，故制程復雜(增加以治具壓著及上銀膠等程序)，成本高，短路率很多，且容易于封裝時產生熱應力造成電容損壞，又如美國第US6421227號專利亦揭示電容不同的堆棧方式，然而，不論何種堆棧方式，亦如上述美國第US6249424號專利，無法克服電容器容易損壞、制程復雜、成本高、短路率很多的缺點。

(三)發明內容

針對上述問題，本發明提供了一種多層固態電解電容器的制造方法，其制作過程簡單、成本低、產品良率高。

本發明的制造方法，其包括下列步驟：

(1)于一可作為固態電解電容的金屬薄片8沖壓多數個U形穿孔2，形成一邊與金屬薄片8本體保持相連接的多數單元金屬板，即為電容的陰極基片單元1；

(2)于陰極基片單元1的周面上被覆或形成一層作為介電質的氧化膜層11；

(3)于各陰極基片單元1的中央的表面上被覆一層隔絕層9，使陽極16、陰極10相互隔絕；

(4)于陰極10周表面上涂覆導電性高分子溶液，使形成一層導電性高分子層14，做為固態電解質；

(5)于上述陰極10的導電高分子層14的表面上被覆導電碳膠，而形成一碳膠層15；

(6)于上述碳膠層15的周面上涂上銀膠，形成一銀膠層13，銀膠層13為陰極10，陰極基片單元1未被覆的部份則形成向外突出的陽極16；

(7)將各固態電解電容自金屬薄片8切割下來，即獲得固態電解電容器12；

(8)將固態電解電容器12堆棧疊加，各電容器12的陽極16與陰極10分別固定于一導線架的支腳上，以引出陽、陰極16、10的終端電極，并于堆棧疊加固態電解電容器7上封裝絕緣層；

本發明的另一制造方法，其包括下列步驟：

(1)于一可作為固態電解電容的金屬薄片8沖壓多數個兩兩相對的U形穿孔2，形成一邊與金屬薄片8本體保持相連接的多數單元金屬板，即為電容的陰極基片單元1；

(2)于多數陰極基片單元1的周面上被覆或形成一層作為介電質的氧化膜層11；

(3)于各陰極基片單元1的中央周表面上被覆一層隔絕層9；