[發明專利]近室溫高阻尼金屬基復合材料及其制備方法

無效

• 申請號: 200810022756.0
• 申請日: 2008-07-10
• 公開（公告）號: CN101624664A
• 公開（公告）日: 2010-01-13
• 發明（設計）人: 王偉國;王先平;方前鋒;楊俊峰;程幟軍
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: C22C1/05
• 分類號: C22C1/05;C22C21/00;C22C18/00;C22C23/00;B22F3/10
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技術領域

本發明涉及一種金屬基復合材料及制備方法，尤其是一種近室溫高阻尼金屬基復合材料及其制備方法。

背景技術

現代工業的發展在某些場合會產生振動和噪聲，這些振動和噪聲易使電子器件失效，儀器、儀表失靈和機械部件的結構疲勞，嚴重時可引發災難性的后果。同時，振動和噪音也危害著操作人員的身心健康，易引起操作人員的精神和體力疲勞，直接影響工作能力的正常發揮和導致工作效率的下降。為此，人們為了減少振動和噪聲的不利影響，采取了多種措施，其中之一為使用各種阻尼材料，如在2004年12月8日公開的中國發明專利申請公開說明書CN?1552930A中提及的一種“TiB₂/Al高阻尼復合材料及其制備工藝”。它意欲提供一種為滿足航天等領域的應用，原位自身含TiB₂顆粒的低密度、高阻尼鋁基復合材料，和其制備的工藝。該鋁基復合材料的成分重量百分比組成為：Si?4～13％，Cu?0～8％，Mg?0～1.3％，Mn?0～0.9％，TiB₂?0.1～20％，其余為Al；制備工藝為先用覆蓋劑覆蓋鋁的熔化體，再向其中加入烘干的K₂TiF₆、KBF₄混合鹽并攪拌，反應結束后舀出混合鹽反應產物，加入Si及Cu、Mg、Mn其中的一種或二種或三種調整化學成分，靜置后澆入錠模，得到最終產物。但是，這種鋁基復合材料和其制備工藝均存在著不足之處，首先，鋁基復合材料雖于常溫下阻尼性能達到了高阻尼材料的要求，然而卻有著溫度范圍過窄的缺陷，使其適用性大打折扣；其次，鋁基復合材料的硬度未有提高，仍停留于金屬基體鋁的硬度之上，限制了其應用的范圍；再次，制備工藝中使用了對環境不友好的含氟鹽(K₂TiF₆，KBF₄)，極易人為地造成對環境的污染。

發明內容

本發明要解決的技術問題為克服現有技術中的不足之處，提供一種適用溫度范圍寬、硬度高于金屬基體的近室溫高阻尼金屬基復合材料。

本發明要解決的另一個技術問題為提供一種綠色環保的近室溫高阻尼金屬基復合材料的制備方法。

為解決本發明的技術問題，所采用的技術方案為：近室溫高阻尼金屬基復合材料包括陶瓷與金屬的混合體，特別是所述陶瓷與金屬間的質量比為1～2∶1～19，所述陶瓷為鉭/鈮酸鑭鋰(La₃Li₅Ta₂/Nb₂O₁₂)粉體，其粒徑為0.1～15μm，所述金屬為鋁粉體，或鋁合金粉體，或鋅粉體，或鋅合金粉體，或鎂粉體，或鎂合金粉體，或鋅鋁合金粉體，或鎂鋁合金粉體，其粒徑為1～140μm。