[發明專利]近室溫高阻尼金屬基復合材料及其制備方法

無效

• 申請號: 200810022756.0
• 申請日: 2008-07-10
• 公開（公告）號: CN101624664A
• 公開（公告）日: 2010-01-13
• 發明（設計）人: 王偉國;王先平;方前鋒;楊俊峰;程幟軍
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: C22C1/05
• 分類號: C22C1/05;C22C21/00;C22C18/00;C22C23/00;B22F3/10
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1、一種近室溫高阻尼金屬基復合材料，包括陶瓷與金屬的混合體，其特征在于：所述陶瓷與金屬間的質量比為1～2∶1～19，所述陶瓷為鉭/鈮酸鑭鋰粉體，其粒徑為0.1～15μm，所述金屬為鋁粉體，或鋁合金粉體，或鋅粉體，或鋅合金粉體，或鎂粉體，或鎂合金粉體，或鋅鋁合金粉體，或鎂鋁合金粉體，其粒徑為1～140μm。

2、根據權利要求1所述的近室溫高阻尼金屬基復合材料，其特征是鉭/鈮酸鑭鋰為在其鑭位摻雜鉀，其中，鉀的摻雜量x的取值范圍為0≤x≤0.25。

3、根據權利要求1所述的近室溫高阻尼金屬基復合材料，其特征是鉭/鈮酸鑭鋰為在其鑭位摻雜鍶或鈣，其中，鍶或鈣的摻雜量x的取值范圍為0≤x≤1。

4、根據權利要求1所述的近室溫高阻尼金屬基復合材料，其特征是鉭/鈮酸鑭鋰為在其鑭位摻雜鋇，其中，鋇的摻雜量x的取值范圍為0≤x≤1.25。

5、根據權利要求1所述的近室溫高阻尼金屬基復合材料，其特征是鉭/鈮酸鑭鋰為在其鑭位和鉭/鈮位摻雜銦，其中，銦的摻雜量y的取值范圍為0≤y≤0.25。

6、一種權利要求1所述近室溫高阻尼金屬基復合材料的制備方法，包括粉末冶金法，其特征在于完成步驟如下：

步驟1，按照鉭/鈮酸鑭鋰的成分比，稱取相應量的氧化鑭、碳酸鋰和五氧化二鉭/五氧化二鈮，經球磨、于650～750℃下保溫5～7h，再經球磨和于850～1050℃下保溫5～7h，獲得鉭/鈮酸鑭鋰粉體；

步驟2，先將鉭/鈮酸鑭鋰粉體與金屬混合后得到混合體，再將混合體于300MPa以上的壓力下壓制成胚體，之后，將胚體在惰性氣體中于650～900℃下保溫9h以上，制得近室溫高阻尼金屬基復合材料。

7、根據權利要求6所述的近室溫高阻尼金屬基復合材料的制備方法，其特征是兩次球磨的時間均為10h以上。

8、根據權利要求6所述的近室溫高阻尼金屬基復合材料的制備方法，其特征是胚體的形狀為片狀或條狀。

9、根據權利要求6所述的近室溫高阻尼金屬基復合材料的制備方法，其特征是惰性氣體為氬氣或氮氣，其純度為99.9％以上。

10、根據權利要求6所述的近室溫高阻尼金屬基復合材料的制備方法，其特征是升溫至650～900℃時的升溫速率為1～10℃/min。