[發明專利]基于改進型雙圓透鏡的基片集成波導多波束天線

有效

• 申請號: 200810022649.8
• 申請日: 2008-07-18
• 公開（公告）號: CN101320842A
• 公開（公告）日: 2008-12-10
• 發明（設計）人: 洪偉;程鈺間;吳柯;蒯振起
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01Q13/10
• 分類號: H01Q13/10;H01Q21/00;H01Q1/38;H01P1/18
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 葉連生

1.一種基于改進型雙圓透鏡原理的基片集成波導多波束天線，其特征在于該 天線包括上層金屬敷銅面(1)、下層金屬敷銅面(2)、介質基片(3)、金屬化通 孔(4)、金屬化通孔圍成的圓(5)、輸入端口(51)、輸出端口(52)、匹配口(53)、 基片集成波導移相網絡(6)、輻射天線陣(7)；上層金屬敷銅面(1)、下層金屬 敷銅面(2)分別位于介質基片(3)的正反兩面，金屬化通孔(4)穿過介質基片 (3)與上層金屬敷銅面(1)、下層金屬敷銅面(2)相連接組成金屬化通孔圍成 的圓(5)、基片集成波導移相網絡(6)、輻射天線陣(7)，在金屬化通孔圍成的 圓(5)的側壁上分布著輸入端口(51)、輸出端口(52)以及匹配口(53)，輸出 端口(52)與基片集成波導移相網絡(6)連接，基片集成波導移相網絡(6)的 另一端連接輻射天線陣(7)，輻射天線陣(7)由多個基片集成波導縫隙陣天線(71) 并排構成，在每一個基片集成波導縫隙陣天線(71)的上表面都設有金屬表面上 的縫隙(72)。

2.根據權利要求1所述的基于改進型雙圓透鏡原理的基片集成波導多波束天 線，其特征在于：基片集成波導移相網絡(6)通過金屬化通孔(4)的位置調節， 形成具有不同寬度的基片集成波導，越寬的基片集成波導其內部電磁波的傳播速 度越慢，從而實現所需的相移量。