[發(fā)明專利]氮化鎵薄膜外延生長結(jié)構(gòu)及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810018838.8 | 申請(qǐng)日： | 2008-01-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101302648A | 公開（公告）日： | 2008-11-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李忠輝;陳辰;董遜 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所 |
| 主分類號(hào)： | C30B29/38 | 分類號(hào)： | C30B29/38;C30B25/02;C30B25/18 |
| 代理公司： | 南京君陶專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化 薄膜 外延 生長 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.氮化鎵薄膜外延生長方法，該方法的工藝步驟包括，
1)選擇SOI襯底，裝入MOCVD反應(yīng)室；
2)在1150℃，100Torr，氫氣氣氛10L/min烘烤10分鐘；
3)降溫至1040℃，通入三甲基鋁30mL/min，30秒，然后通入氨氣3000mL/min和三甲基鋁30mL/min，生長60nm厚的AlN成核層；
5)在1040℃，通入氨氣4400mL/min和三甲基鎵130μmol/min，V/III比為1500，生長2.0μm厚的GaN單晶薄膜；
6)降至室溫；其特征是4)關(guān)閉三甲基鋁，通入氨氣和三甲基鎵生長GaN緩沖層，V/III比為200～800，三甲基鎵流量為85μmol/min～305μmol/min，反應(yīng)室溫度設(shè)置為800～1180℃，厚度為0.1～1.0μm。
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