[發(fā)明專利]基于三分之二匝縱向磁場觸頭的高電壓單斷口真空滅弧室

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810018056.4
• 申請日: 2008-04-25
• 公開（公告）號: CN101281831A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王建華;劉志遠;耿英三;張穎瑤;姚建軍;王季梅
• 申請（專利權(quán)）人: 西安交通大學(xué);陜西工業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號: H01H33/664
• 分類號: H01H33/664
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司
• 代理人: 李鄭建

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種高壓真空斷路器，特別涉及一種基于三分之二匝縱向磁場觸頭的額定電壓為126kV的單斷口高壓真空滅弧室。

背景技術(shù)

目前在高壓和超高壓領(lǐng)域內(nèi)SF₆斷路器占絕對優(yōu)勢地位。SF₆氣體具有優(yōu)異的熱化學(xué)性和電負性，因而絕緣性能和滅弧性能特別好，但是SF₆氣體經(jīng)過電弧的高溫分解作用后可產(chǎn)生有劇毒的分解物，并且是主要的溫室效應(yīng)氣體之一。SF₆氣體是《京都議定書》制定的六種溫室效應(yīng)氣體中最強的一種，其地球溫暖化系數(shù)是CO₂的23900倍，其大氣中壽命長達3200年。真空斷路器具有環(huán)境友好，產(chǎn)品可靠性高，維護工作量小，無火災(zāi)爆炸危險，產(chǎn)品技術(shù)性能高等優(yōu)點，目前在中壓等級是主流產(chǎn)品。發(fā)展高壓真空斷路器是減少SF₆排放的一種很好的選擇。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，提出一種基于三分之二匝縱向磁場觸頭的單斷口高壓真空滅弧室，該高壓真空滅弧室可配用于126kV單斷口真空斷路器中。

為了實現(xiàn)上述任務(wù)。本發(fā)明采取如下的技術(shù)解決方案：

一種基于三分之二匝縱向磁場觸頭的高電壓單斷口真空滅弧室，配用于126kV單斷口真空斷路器中，包括相互連接的第一外殼和第二外殼，第一外殼和第二外殼分別有第一端蓋和第二端蓋，第一端蓋和第二端蓋上分別設(shè)有第一端部屏蔽罩和第二端部屏蔽罩；在第一外殼和第二外殼之間設(shè)有主屏蔽罩。

在第一端蓋上連接有靜導(dǎo)電桿，在第二端蓋上連接有動導(dǎo)電桿；在靜導(dǎo)電桿上連接靜觸頭，在動導(dǎo)電桿上連接有動觸頭。

靜導(dǎo)電桿與第一端蓋之間通過第一波紋管連接，動導(dǎo)電桿與第二端蓋之間通過第二波紋管連接，在靜觸頭背面分別設(shè)有第一均壓環(huán)，在動觸頭的背面設(shè)有第二均壓環(huán)；其特征在于，所述的靜觸頭和動觸頭分別采用三分之二匝式縱向磁場觸頭，該三分之二匝式縱向磁場觸頭的結(jié)構(gòu)包括一個在觸頭中間的圓柱形導(dǎo)體，該圓柱形導(dǎo)體與三個形狀相同的支臂相連，每個支臂與一個弧導(dǎo)體相連，弧形導(dǎo)體對應(yīng)的角度為120°，每個弧形導(dǎo)體與另一個面上的與弧形導(dǎo)體形狀相同的第二弧形導(dǎo)體相連接，第二弧形導(dǎo)體還連接有觸頭片；每個支臂與弧形導(dǎo)體之間留有縫隙。

經(jīng)驗證實驗，本發(fā)明與現(xiàn)有二分之一匝縱向磁場觸頭結(jié)構(gòu)真空滅弧室技術(shù)相比(中國專利申請，200420086389.8)，可提高真空滅弧室的開斷能力和額定電流水平，采取的措施包括采用三分之二匝縱向磁場觸頭結(jié)構(gòu)增強電流峰值時的縱向磁場，減少回路電阻和減小縱向磁場滯后時間。與現(xiàn)有的單匝式縱向磁場觸頭真空滅弧室相比(中國專利申請，200420086276.8)，本發(fā)明在縱向磁場強度與之相當?shù)那闆r下，大幅度地減小了回路電阻，從而可提高額定電流水平。

附圖說明

圖1為126kV超高壓真空滅弧室圖；圖中各符號為：1、第一真空滅弧室外殼，2、第二真空滅弧室外殼，3、動端蓋，4、靜端蓋，5、動端端部屏蔽罩，6、靜端端部屏蔽罩，7、主屏蔽罩，8、靜導(dǎo)電桿，9、動導(dǎo)電桿，10、靜觸頭，11、動觸頭，12、動端波紋管，13、靜端波紋管，14、動端均壓環(huán)，15、靜端均壓環(huán)。

圖2為三分之二匝縱向磁場觸頭圖；圖中符號為：21、圓柱形導(dǎo)體，22、支臂，23、上弧形導(dǎo)體，24、下弧形導(dǎo)體，25、觸頭片，26、27、28、29、縫隙。

圖3為126kV單斷口真空滅弧室電場分布圖。

圖4采用三分之二匝式縱向磁場觸頭時的縱向磁場分布圖，電流有效值為40kA，電流峰值時，其中(a)為觸頭片開距中心平面，(b)為觸頭表面。

以下結(jié)合附圖和發(fā)明人給出的實施例對本發(fā)明作進一步的詳細描述。

具體實施方式