[發(fā)明專利]基于三分之二匝縱向磁場觸頭的高電壓單斷口真空滅弧室

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810018056.4
• 申請日: 2008-04-25
• 公開（公告）號: CN101281831A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王建華;劉志遠;耿英三;張穎瑤;姚建軍;王季梅
• 申請（專利權(quán)）人: 西安交通大學(xué);陜西工業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號: H01H33/664
• 分類號: H01H33/664
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 李鄭建

1.一種基于三分之二匝縱向磁場觸頭的高電壓單斷口真空滅弧室，配用于126kV單斷口真空斷路器中，包括依次連接的第一外殼(1)和第二外殼(2)，第一外殼(1)和第二外殼(2)分別有第一端蓋(3)和第二端蓋(4)，在第一端蓋(3)和第二端蓋(4)上分別設(shè)有第一端部屏蔽罩(5)和第二端部屏蔽罩(6)；在第一外殼(1)和第二外殼(2)之間設(shè)有主屏蔽罩(7)；

在第一端蓋(3)上連接有靜導(dǎo)電桿(8)，在第二端蓋(4)上連接有動導(dǎo)電桿(9)；在靜導(dǎo)電桿(8)上連接有靜觸頭(10)，在動導(dǎo)電桿(9)上連接動觸頭(11)；

靜導(dǎo)電桿(8)與第一端蓋(3)之間通過第一波紋管(12)連接，動導(dǎo)電桿(9)和第二端蓋(4)之間通過第二波紋管(13)連接；在靜觸頭(10)的背面設(shè)有第一均壓環(huán)(14)，在動觸頭(11)的背面設(shè)有第二均壓環(huán)(15)，其特征在于，所述的靜觸頭(10)和動觸頭(11)分別采用三分之二匝式縱向磁場觸頭，該三分之二匝式縱向磁場觸頭的結(jié)構(gòu)包括一個在觸頭中間的圓柱形導(dǎo)體(21)，該圓柱形導(dǎo)體(21)與三個形狀相同的支臂(22)相連，每個支臂(22)與一個弧導(dǎo)體(23)相連，弧形導(dǎo)體(23)對應(yīng)的角度為120°，每個弧形導(dǎo)體(23)與另一個面上的與弧形導(dǎo)體(23)形狀相同的第二弧形導(dǎo)體(24)相連接，第二弧形導(dǎo)體(24)還連接有觸頭片(25)；每個支臂(22)與弧形導(dǎo)體(23)之間留有縫隙。

2.如權(quán)利要求1所述的基于三分之二匝縱向磁場觸頭的高電壓單斷口真空滅弧室，其特征在于，所述的第一外殼(1)和第二外殼(2)的材料為陶瓷或者玻璃。

3.如權(quán)利要求1所述的基于三分之二匝縱向磁場觸頭的高電壓單斷口真空滅弧室，其特征在于，所述的第一外殼(1)和第二外殼(2)的直徑為290mm至320mm。

4.如權(quán)利要求1所述的基于三分之二匝縱向磁場觸頭的高電壓單斷口真空滅弧室，其特征在于，所述的第一端蓋(3)和第二端蓋(4)之間的距離為600mm至900mm。

5.如權(quán)利要求1所述的基于三分之二匝縱向磁場觸頭的高電壓單斷口真空滅弧室，其特征在于，所述的靜觸頭(10)與動觸頭(11)之間的距離為40mm至80mm。

6.如權(quán)利要求1所述的基于三分之二匝縱向磁場觸頭的高電壓單斷口真空滅弧室，其特征在于，所述的三分之二匝式縱向磁場觸頭的直徑為80mm至120mm.