[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810014605.0
• 申請日: 2008-02-02
• 公開（公告）號: CN101231982A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孟博;蘇云榮
• 申請（專利權(quán)）人: 濟(jì)南晶恒有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367
• 代理公司: 濟(jì)南泉城專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 李桂存

(一)技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)，尤其是涉及一種小型半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)。

(二)背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件有許多封裝結(jié)構(gòu)，從DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)，這些都是前人根據(jù)當(dāng)時(shí)的組裝技術(shù)和市場需求而研制的。總體說來，它大概有三次重大的革新：第一次是在上世紀(jì)80年代從引腳插入式封裝到表面貼片封裝，極大地提高了印刷電路板上的組裝密度；第二次是在上世紀(jì)90年代球型矩封裝的出現(xiàn)，它不但滿足了市場高引腳的需求，而且大大地改善了半導(dǎo)體器件的性能。涉及到半導(dǎo)體小器件，目前多采用引腳插入式封裝和表面貼片封裝。

引腳插入式封裝(Through-Hole?Mount)有引腳出來，并將引腳直接插入印刷電路板(PWB)中，再由浸錫法進(jìn)行波峰焊接，以實(shí)現(xiàn)電路連接和機(jī)械固定。由于引腳直徑和間距都不能太細(xì)，故印刷電路板上的通孔直徑，間距乃至布線都不能太細(xì)，而且它只用到印刷電路板的一面，從而難以實(shí)現(xiàn)高密度封裝。這種封裝結(jié)構(gòu)適用于小器件的封裝，基本上是采用完全封閉式的封裝，也就是電子元件完全封裝在封裝介質(zhì)內(nèi)，這種封裝結(jié)構(gòu)不利于所封裝器件的散熱，同時(shí)體積比較大。由于電子元器件對散熱有特殊的要求，基于散熱的要求，這種封裝封裝層往往做的很薄，并且當(dāng)芯片功耗大于2W時(shí)，在封裝上需要增加散熱片，以增強(qiáng)其散熱冷卻功能；5～10W時(shí)必須采取強(qiáng)制冷卻手段。同時(shí)這種封裝形式引腳安裝更多的是借助于手工，不利于自動化生產(chǎn)，生產(chǎn)效率低。上述缺點(diǎn)也限制了電子元器件的集成度和應(yīng)用。

后來出現(xiàn)的貼片式封裝是在引腳插入式封裝基礎(chǔ)上發(fā)展而來，其相對于后者，大大降低了元件尺寸，此封裝型式的特點(diǎn)是引腳全部在一邊，而且引腳的數(shù)量通常比較少。象常用的功率三極管，只有三個(gè)引腳排成一排，其上面有一個(gè)大的散熱片進(jìn)行散熱。這種封裝形式考慮到散熱，往往需要設(shè)一個(gè)面積比較大的散熱片，其體積仍然比較大，并且通過封裝介質(zhì)散熱，散熱效果并不好。

目前還有引線框架封裝形式，參照說明書附圖4，其主要通過焊料將晶片4焊接到其中一個(gè)引線框架上，利用導(dǎo)線6將晶片內(nèi)電路與另一端引線框架連接，從而形成不同電極。同時(shí)將晶片和金屬線塑封，部分引線框架暴露在外面，形成焊接電極。目前半導(dǎo)體器件封裝尺寸不斷變小，現(xiàn)有的封裝形式受塑封料和引線框架的影響，元器件散熱效果差，功率密度低，從而限制了封裝晶片的功率。

(三)發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，公開了一種散熱效果好的半導(dǎo)體器件形式。

本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案為：

本發(fā)明半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)，包括引線框架和與其電性連接的晶片，以及一體式結(jié)構(gòu)的封裝殼體。所述晶片夾在所述引線框架之間，其中位于晶片下面的引線框架的下表面暴露于所述封裝殼體外面。

上述半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)，位于所述晶片下面的引線框架的下表面與所述封裝殼體的下表面的夾角呈3°~7°。

上述半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)，位于所述晶片下面的引線框架的下表面與所述封裝殼體的下表面夾角更佳的范圍是呈3°~5°。

上述半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)，所述引線框架的上表面或兩側(cè)設(shè)有凸塊。

本發(fā)明采用的另一種技術(shù)方案為：

本發(fā)明半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)，包括引線框架和與其電性連接的晶片，以及一體式結(jié)構(gòu)的封裝殼體，所述晶片夾在所述引線框架之間，該引線框架與晶片電性連接面設(shè)有凸塊，相對面暴露于所述封裝殼體外面。

本發(fā)明還采用了以下技術(shù)方案：

本發(fā)明半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)，包括引線框架和與其電性連接的晶片，以及一體式結(jié)構(gòu)的封裝殼體，所述晶片夾在所述引線框架之間，其中位于所述晶片上面的引線框架的下表面設(shè)置有凸塊，上表面暴露于所述封裝殼體外面。