[發明專利]一種直徑可調的單壁納米碳管的制備方法無效
| 申請號： | 200810011502.9 | 申請日： | 2008-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN101585525A | 公開（公告）日： | 2009-11-25 |
| 發明（設計）人： | 成會明;劉慶豐;任文才;李峰;叢洪濤 | 申請（專利權）人： | 中國科學院金屬研究所 |
| 主分類號： | C01B31/02 | 分類號： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 | 代理人： | 張志偉 |
| 地址： | 110016遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 直徑 可調 納米 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種直徑可調的單壁納米碳管的制備方法，其特征在于：該方法采用超高氫氣流量、超低碳源流量、含鐵、鈷或鎳有機化合物催化劑、含硫生長促進劑，在氣態下充分混合均勻后，然后輸入反應區生成直徑可調的單壁納米碳管；其中：氫氣和碳源的摩爾比大于300，硫與鐵、鈷或鎳的摩爾比為1/100-1/5；
反應區溫度900℃-1350℃，保溫時間5-180min；
?含鐵、鈷或鎳有機化合物為二茂鐵、二茂鈷或二茂鎳，使其在60-120℃的低溫區緩慢揮發；
含硫生長促進劑為硫粉、噻吩、二硫化碳或硫化氫；
超高氫氣流量是指采用大流量氫氣或氫氣與氬氣、氮氣之一種或數種的混合氣體為緩沖氣體，其中氫氣的含量大于50at.％，在1標準大氣壓下，超高氫氣流速為1.0-6.0cm/s；
超低碳源流量是指采用超低流量甲烷、乙烯、乙炔、酒精或苯作為碳源，在1標準大氣壓下，超低碳源流速為≤0.02cm/s。
2.按照權利要求1所述的直徑可調的單壁納米碳管的制備方法，其特征在于：含硫生長促進劑和碳源的摩爾比為1/10-1/30。
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