[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體晶體管器件及其制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810009910.0 | 申請(qǐng)日： | 2008-02-13 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101246901A | 公開(kāi)（公告）日： | 2008-08-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李孟烈 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L29/739 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 郭鴻禧;常桂珍 |
| 地址： | 韓國(guó)京畿道*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 晶體管 器件 及其 制造 方法 | ||
1、一種半導(dǎo)體晶體管器件，包括：
漂移區(qū)，包括具有第一摻雜劑濃度的第一橫向部分和具有第二摻雜劑濃度的第二橫向部分，其中，第二摻雜劑濃度高于第一橫向部分的第一摻雜劑濃度；
絕緣結(jié)構(gòu)，形成在漂移區(qū)上，并設(shè)置在第一橫向部分和第二橫向部分之間的邊界的上方；
柵極絕緣體，形成在第一橫向部分的暴露部分上；
柵電極，形成在絕緣結(jié)構(gòu)的一部分和柵極絕緣體上；
源極，朝著漂移區(qū)的第一橫向部分設(shè)置；
漏極，朝著漂移區(qū)的第二橫向部分設(shè)置；
漂移區(qū)的附加N型漂移部分，朝著漏極形成在第二橫向部分中。
2、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體管器件，其中，絕緣結(jié)構(gòu)是以第一橫向部分和第二橫向部分之間的邊界為中心的場(chǎng)氧化物結(jié)構(gòu)。
3、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體管器件，其中，第二摻雜劑濃度是第一摻雜劑濃度的至少兩倍。
4、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體管器件，其中，第一摻雜劑濃度和第二摻雜劑濃度均是針對(duì)相應(yīng)的N型摻雜劑。
5、如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體晶體管器件，還包括：
P型硅層，設(shè)置在第一橫向部分的下面；
第一P型摻雜區(qū)，設(shè)置到第一橫向部分的源極側(cè)。
6、如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體晶體管器件，還包括：
第二P型摻雜區(qū)，設(shè)置在第一P型摻雜區(qū)的上面，并設(shè)置到第一橫向部分的源極側(cè)；
N型摻雜源極區(qū)，形成在第二P型摻雜區(qū)中，并設(shè)置到第一橫向部分的源極側(cè)；
第三P型摻雜區(qū)，形成在第二P型摻雜區(qū)中，并設(shè)置到N型摻雜源極區(qū)的側(cè)面，
其中，N型摻雜源極區(qū)和第三P型摻雜區(qū)形成半導(dǎo)體晶體管器件的源極。
7、如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體晶體管器件，其中，柵極絕緣體和柵電極延伸成設(shè)置在N型摻雜源極區(qū)的一部分和第二P型摻雜區(qū)的上方。
8、如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體晶體管器件，其中，柵極絕緣體和柵電極延伸成設(shè)置在第二P型摻雜區(qū)的一部分的上方。
9、如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體晶體管器件，還包括：
第一N型摻雜區(qū)，設(shè)置在漂移區(qū)的第二橫向部分的下面，
其中，第一N型摻雜區(qū)的相應(yīng)的摻雜劑濃度低于第二橫向部分的第二摻雜劑濃度。
10、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體管器件，還包括：
P型摻雜漏極區(qū)，形成在附加N型漂移部分中，
其中，P型摻雜漏極區(qū)形成半導(dǎo)體晶體管器件的漏極。
11、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體管器件，其中，附加N型漂移部分的相應(yīng)的N型摻雜劑濃度高于第二橫向部分的第二摻雜劑濃度。
12、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體管器件，還包括：
硅層，具有在所述硅層中形成的漂移區(qū)；
絕緣層，設(shè)置在硅層的下面，從而半導(dǎo)體晶體管器件為絕緣體上硅器件；
半導(dǎo)體基底，設(shè)置在絕緣層的下面。
13、一種制造半導(dǎo)體晶體管器件的方法，所述方法包括的步驟為：
在基底中形成漂移區(qū)，所述漂移區(qū)包括具有第一摻雜劑濃度的第一橫向部分和具有第二摻雜劑濃度的第二橫向部分，其中，第二摻雜劑濃度高于第一橫向部分的第一摻雜劑濃度；
在漂移區(qū)上形成絕緣結(jié)構(gòu)，所述絕緣結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一橫向部分和第二橫向部分之間的邊界的上方；
形成漂移區(qū)的附加漂移部分，所述附加漂移部分具有比第二橫向部分的第二摻雜劑濃度高的第三摻雜劑濃度，所述附加漂移部分通過(guò)第二橫向部分與第一橫向部分橫向分離；
在第一橫向部分的暴露部分上形成柵極絕緣體；
在絕緣結(jié)構(gòu)的一部分和柵極絕緣體上形成柵電極；
形成朝著漂移區(qū)的第一橫向部分設(shè)置的源極；
形成朝著漂移區(qū)的第二橫向部分設(shè)置的漏極，所述漏極設(shè)置在附加漂移部分中。
14、如權(quán)利要求13所述的方法，其中，第一摻雜劑濃度、第二摻雜劑濃度和第三摻雜劑濃度均是針對(duì)相應(yīng)的N型摻雜劑，源極包括設(shè)置到第一橫向部分的源極側(cè)的N型摻雜源極區(qū)和設(shè)置在N型摻雜源極區(qū)的側(cè)面的P型摻雜區(qū)，漏極包括在附加漂移部分中的P型摻雜漏極區(qū)。
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H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
