[發(fā)明專(zhuān)利]晶片背面定位系統(tǒng)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810008081.4 | 申請(qǐng)日: | 2008-03-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101527275A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-09-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋朝剛;錢(qián)曉春;孔亮;周浩 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 和艦科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/68 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/68;H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司: | 北京連和連知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 張春媛 |
| 地址: | 215025江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 背面 定位 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種定位系統(tǒng),具體地,涉及一種晶片背面定位系統(tǒng)。
背景技術(shù)
隨著集成電路(IC)制程向小尺寸多層次不斷發(fā)展,在失效(Failure?Analysis,簡(jiǎn)稱(chēng)FA)分析中微光顯微鏡分析技術(shù)(photo?emission?microscope,簡(jiǎn)稱(chēng)PEM)或光束引導(dǎo)電阻變化(Optical?beam?induced?resistance?change,簡(jiǎn)稱(chēng)OBIRCH)定位時(shí),越來(lái)越多的需要利用晶片背面(Backside)探測(cè)方式來(lái)定位。
如圖1所示,現(xiàn)有系統(tǒng)只有一套光學(xué)顯微系統(tǒng)(Optical?microscope,簡(jiǎn)稱(chēng)OM)系統(tǒng)用來(lái)影像采集和信號(hào)收集,做晶片背面時(shí)定位分析,沒(méi)有辦法直接利用激光器(Laser?Marker)在試片上面標(biāo)記異常發(fā)射Emission或阻值變化最大(Emission/OBIRCH)的位置。定到的點(diǎn),因背面只能看到多晶硅(Poly)層和有源(Active)層的影像,目前只能參考周?chē)膱D案,在正面制造標(biāo)記。有的時(shí)候周?chē)鷽](méi)有特別的圖案時(shí),或者正面金屬層圖象和多晶硅(Poly)層和有源(Active)層的布局差別太大,就沒(méi)有辦法精確定位,只能大概一個(gè)位置去分析,造成分析上困難。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提出一種可以精確定位的測(cè)量裝置,用來(lái)在晶片的正面和背面精確定位,從而提高失效分析成功率。
為達(dá)上述目的,本發(fā)明提出了一種晶片背面定位系統(tǒng),包括至少兩組光學(xué)顯微系統(tǒng),上述至少兩組光學(xué)顯微系統(tǒng)分別置于待觀測(cè)目標(biāo)的正面和背面,位于晶片正面和背面的光學(xué)顯微系統(tǒng)隨對(duì)應(yīng)的光學(xué)顯微系統(tǒng)移動(dòng)而移動(dòng),并在移動(dòng)過(guò)程中互相對(duì)準(zhǔn)。
作為優(yōu)選,上述晶片正面和背面的光學(xué)顯微系統(tǒng)處于同一坐標(biāo)系中,從而在移動(dòng)中根據(jù)晶片正面的光學(xué)顯微系統(tǒng)在坐標(biāo)系中所處位置移動(dòng)晶片背面的光學(xué)顯微系統(tǒng),使其互相對(duì)準(zhǔn)。
作為優(yōu)選,在晶片正面的光學(xué)顯微系統(tǒng)檢測(cè)到異常時(shí),晶片背面的光學(xué)顯微系統(tǒng)才移動(dòng)到晶片正面的光學(xué)顯微系統(tǒng)所在的位置。
作為優(yōu)選,上述位于晶片背面的光學(xué)顯微系統(tǒng)中包括激光定標(biāo)系統(tǒng),用以在晶片背面的光學(xué)顯微系統(tǒng)移動(dòng)到與晶片正面的光學(xué)顯微系統(tǒng)對(duì)準(zhǔn)的位置時(shí),在晶片上作出標(biāo)記。
作為優(yōu)選,上述至少兩組光學(xué)顯微系統(tǒng)由控制裝置控制。
作為優(yōu)選,控制裝置為計(jì)算機(jī)。
本發(fā)明的有益效果在于,由于可以在晶片正面和背面都進(jìn)行定位,所以可以更精確地找出異常Emission/OBIRCH的位置,可以更便于進(jìn)行分析。
下面結(jié)合附圖,對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。對(duì)于所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員而言,從對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明中,本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見(jiàn)。
附圖說(shuō)明
圖1表示現(xiàn)有技術(shù)中的一種晶片背面定位系統(tǒng)的示意圖。
圖2表示本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種晶片背面定位系統(tǒng)的示意圖。
圖3表示本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種晶片背面定位系統(tǒng)在對(duì)準(zhǔn)時(shí)的示意圖。
圖4a和4b表示本發(fā)明一較佳實(shí)施例晶片定位位置的示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明所述的一種晶片背面定位系統(tǒng)作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
如圖2所示,本發(fā)明一較佳實(shí)施例的晶片背面定位系統(tǒng)包括以下幾個(gè)部分,光學(xué)顯微鏡頭21,光學(xué)顯微檢測(cè)器22,上平臺(tái)正面點(diǎn)針23,下平臺(tái)背面點(diǎn)針24,針座25,試片26,背面(backside)光學(xué)顯微檢測(cè)器27,載物臺(tái)28。
配有光學(xué)顯微鏡頭21的光學(xué)顯微檢測(cè)器22置于用于放置待測(cè)晶片的載物臺(tái)28的上方,用于對(duì)晶片進(jìn)行失效檢測(cè),背面光學(xué)顯微檢測(cè)器27位于晶片背面,也就是載物臺(tái)28的下方,與光學(xué)顯微檢測(cè)器22相對(duì)應(yīng)。背面光學(xué)顯微檢測(cè)器27可以由控制裝置控制,例如是控制器和/或電腦,進(jìn)行位置的移動(dòng)。光學(xué)顯微檢測(cè)器22與背面光學(xué)顯微檢測(cè)器27被設(shè)置為中心點(diǎn)重合,如圖3所示,以實(shí)現(xiàn)兩者之間的精確定位。
背面光學(xué)顯微檢測(cè)器27上可以帶有激光定位系統(tǒng)(圖中未示),用于在該系統(tǒng)上制作定位標(biāo)記,幫助晶片定位。
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H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





