[發明專利]半導體元件及其制造方法及互補式半導體元件的制造方法有效
| 申請號： | 200810003886.X | 申請日： | 2008-01-28 |
| 公開（公告）號： | CN101499423A | 公開（公告）日： | 2009-08-05 |
| 發明（設計）人： | 車行遠 | 申請（專利權）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/772;H01L29/78;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人： | 任默聞 |
| 地址： | 臺灣省新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 及其 制造 方法 互補 | ||
1.一種互補式半導體元件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一基底，包括一N阱區和一P阱區；
形成一P型晶體管柵極于所述N阱區上，且形成一N型晶體管柵極于所述P 阱區上；
形成一氧化物掩膜層，于所述P型晶體管柵極、所述N型晶體管柵極和所述 基底上；
圖形化所述氧化物掩膜層，分別于所述P型晶體管柵極和所述N型晶體管 柵極兩側形成間隙壁，并同時于所述N阱區和所述P阱區上形成布植掩膜；
形成第一光刻膠圖案以覆蓋所述N阱區和所述N阱區上的所述P型晶體管 柵極、所述間隙壁和所述布植掩膜，以所述第一光刻膠圖案和所述P阱區上的 所述布植掩膜、所述間隙壁和所述N型晶體管柵極為掩膜，進行一第一布植工 藝，形成N型晶體管源極/漏極區；
移除P阱區上的所述布植掩膜和所述間隙壁；
以所述第一光刻膠圖案和所述N型晶體管柵極為掩膜進行一第二布植工 藝，于所述P阱區中形成一N型晶體管輕摻雜漏極區和一N型晶體管電阻區；
形成第二光刻膠圖案以覆蓋所述P阱區和所述P阱區上的所述N型晶體管 柵極，以所述第二光刻膠圖案和所述N阱區上的所述布植掩膜、所述間隙壁和 所述P型晶體管柵極為掩膜，進行一第三布植工藝，形成P型晶體管源極/漏極 區；
移除N阱區上的所述布植掩膜和所述間隙壁；及
以所述第二光刻膠圖案和所述P型晶體管柵極為掩膜進行一第四布植工 藝，于所述N阱區中形成一P型晶體管輕摻雜漏極區和一P型晶體管電阻區；
其中，所述N型晶體管電阻區的摻雜量較所述N型晶體管源極/漏極區低， 且所述P型晶體管電阻區的摻雜量較所述P型晶體管源極/漏極區低。
2.根據權利要求1所述的互補式半導體元件的制造方法，其特征在于，所 述N型晶體管電阻區和所述N型晶體管輕摻雜漏極區分別位于所述N型晶體管 源極/漏極區的兩側，且所述P型晶體管電阻區和所述P型晶體管輕摻雜漏極區 分別位于所述P型晶體管源極/漏極區的兩側。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
