[發明專利]用于收集顆粒的單元和方法以及包括該單元的設備無效
| 申請號: | 200810003755.1 | 申請日: | 2008-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN101308769A | 公開(公告)日: | 2008-11-19 |
| 發明(設計)人: | 金基洙;金重鉉 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 黃啟行;穆德駿 |
| 地址: | 韓國京畿道水*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 收集 顆粒 單元 方法 以及 包括 設備 | ||
相關專利申請的相互參照
本美國非臨時專利申請根據35?U.S.C§119要求2007年1月22日在韓國知識產權局提交的第10-2007-0006643號韓國專利申請的優先權,在此引用該專利申請的全部內容供參考。
技術領域
本發明涉及用于收集顆粒的單元、包括該單元的設備以及利用該單元收集顆粒的方法。
背景技術
通常,利用在半導體晶片上形成包括電路的半導體芯片的制造過程、將半導體芯片分類為良好芯片或者不合格芯片的電子芯片分選過程以及將半導體芯片互相分離并利用環氧樹脂密封良好芯片的封裝過程,可以制造半導體器件。
制造過程可以包括:在該半導體晶片上形成材料層的薄膜沉積過程、用于使該材料層平坦的化學機械拋光(CMP)過程、在該材料層上形成光致抗蝕劑圖形的光刻過程、利用該光致抗蝕劑圖形作為蝕刻掩模形成材料圖形的蝕刻過程、將雜質注入該半導體晶片或者該材料層上的預定區域的離子注入過程、去除該半導體晶片上的顆粒的清潔過程以及用于去除該半導體晶片上的化學溶液或者去離子水的干燥過程。
可以利用各種化學氣體和/或者各種化學溶液實現該制造過程,而且通過安裝在處理設備上的一些排出管可以排出該制造過程使用的化學氣體和/或者化學溶液。利用排出風扇,可以強制該化學氣體和/或者化學溶液流入排出管,而且可以將它們排出該處理設備位于其內的潔凈室。在排出潔凈室之前,可以在最終處理系統中對該化學氣體和/或者化學溶液進行處理。
為了平滑排出該化學氣體和/或者化學溶液,應該使各排出管內的壓力保持恒定且穩定的值。當在該排出管內存在某些障礙時,該障礙可能干擾諸如化學氣體和/或者化學溶液的液體在該排出管內的流動。例如,從該處理設備排出的化學氣體和/或者化學溶液可能與該排出管內的空氣或者其他化學物質發生反應而產生副產品,該副產品可能沉積在該排出管的內壁上,這樣可能導致該排出管內的壓力發生變化,而且可能腐蝕該排出管。
特別是,在流過該排出管的液體是易燃材料時,該易燃材料可能自燃,而產生顆粒,而且該顆??赡艹练e在該排出管的內壁上,從而產生不希望的問題。
發明內容
本發明的典型實施例涉及用于收集顆粒的單元、包括該單元的設備以及利用該收集單元收集顆粒的方法。
根據第一方面,本發明涉及用于收集顆粒的收集單元。該收集單元包括:排出管,提供工藝氣體流過其的通路;以及捕集器,安裝在該排出管上。該捕集器具有該工藝氣體中的顆粒通過其被引進入該捕集器的入口。收集線路連接到該捕集器,該收集線路穿透該排出管的一部分,以向著該排出管的外部區域延伸。
在一些實施例中,該入口的直徑可以小于該排出管的內徑,而且該入口可以布置在該排出管內空間的中心區域。
在一些實施例中,該單元可以進一步包括多個安裝在該排出管的外壁上的聲波發生器。該聲波發生器產生的聲波傳播到該排出管的內部區域??梢圆贾迷撀暡òl生器,以在該排出管的截面圖上,在它們之間具有相同距離。該排出管可以具有圓形截面。在這種情況下,可以布置該聲波發生器,以使從該圓形截面的中心點連接到兩個相鄰聲波發生器的兩條直線之間的夾角為90°。作為一種選擇,該排出管可以具有矩形截面。在這種情況下,該聲波發生器分別布置在該排出管的頂板、底板、左側壁和右側壁上。
在一些實施例中,該單元可以進一步包括:儲存室,連接到該收集線路,以儲存該顆粒;以及排出線路,連接到該儲存室的頂板,以排出被引進入該儲存室的工藝氣體。該儲存室可以布置在該排出管下面。該排出線路可以連接到該排出管。此外,可以布置阻擋板,以向該儲存室的內部區域或者外部區域移動;而且可以布置驅動器,以連接到該阻擋板,從而使該阻擋板移動。在該阻擋板完全移動到該儲存室內時,該儲存室內的空間可以被分割為上部空間和下部空間。該儲存室可以具有進入其側壁下部,從而接入該下部空間的開口。利用門關閉或者開啟該開口。
根據另一個方面,本發明涉及具有該收集單元的設備。該設備包括:處理室,在其內進行處理;排出管,連接到該處理室,以排出該處理室內的工藝氣體;以及收集單元,安裝在該排出管上,以收集流過該排出管的工藝氣體中的顆粒。
根據另一個方面,本發明涉及一種用于收集流過排出管的工藝氣體中的顆粒的方法。根據該方法,將具有入口的捕集器安裝在該排出管內,而且收集通過該入口進入該捕集器的工藝氣體中的顆粒。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





