[發明專利]制造圖案化氣相沉積膜的方法

無效

• 申請號: 200810003314.1
• 申請日: 2008-01-16
• 公開（公告）號: CN101225508A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發明（設計）人: 河村幸則;寺本亮平;川口剛司
• 申請（專利權）人: 富士電機控股株式會社
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00;C23C16/52
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 沈昭坤

技術領域

本發明涉及形成圖案化氣相沉積膜的方法。更具體地，本發明涉及制造有機EL顯示面板的方法，其中三原色中的至少一種顏色由利用形成圖案化氣相沉積膜的方法根據像素形狀形成的顏色轉換層發出。

背景技術

最近幾年中，已對有機EL元件的實際應用積極地進行了研究。期望有機EL元件實現高發射亮度和發射效率，因為它們可在低電壓下實現高電流密度。具體地，期望可實現高分辨率多色或全色顯示器的有機多色EL顯示面板的實際應用。實現多色或全色有機EL顯示面板的方法中的一種使用在特定的波長區域內傳輸光的濾色器(濾色器法)。應用濾色器法的有機EL元件需要發射其中以良好的平衡包含光的三原色(紅(R)、綠(G)和藍(B))的所謂的“白光”。

已經研究了以下幾種方法，作為獲得多色發光有機EL元件的方法：

(1)一種其中使用包含多種發光色料的發光層并同時激發該多種發光色料的方法(參見，例如，日本專利申請特開No.3-230584或美國專利No.5,294,810)；

(2)一種其中使用包括主體發光材料和客體發光材料的方法，主體材料被激發并導致其發光，同時，引發從主體發光材料至客體發光材料能量傳遞，并且導致客體材料發光(參見，例如，美國專利No.5,683,823)；

(3)一種其中使用包括不同的發光色料的多個發光層并激發每一層中的發光色料的方法；以及

(4)一種使用包括發光色料的發光層和包括發光摻雜劑并與發光層相鄰設置的載流子輸運層的方法，部分激發能量從由發光層中的載流子復合生成的激子傳遞到發光摻雜劑(參見，例如，日本專利申請特開No.2002-93583或美國專利No.6,696,177)。

然而，上述的多色發光有機EL元件基于多種發光材料的同時激發或多種發光材料之間的能量傳遞。據報導在這種元件中，發光材料之間的發射亮度平衡可隨著驅動時間的流逝而改變或隨通過元件的電流的變化而改變，因此所獲得的色調也改變。

建議將利用單色發光有機EL元件和顏色轉換層的顏色轉換方法作為獲得多色發光有機EL元件的另一種方法。本方法中使用的顏色轉換層包括吸收由有機EL元件發射的短波長的光并將該光轉換成長波長的光的一種或多種顏色轉換材料。已研究了涂覆其中顏色轉換材料分散在樹脂中的涂層液體的方法以及通過諸如氣相沉積工藝之類的干法工藝沉積顏色轉換材料的方法來作為形成顏色轉換層的方法。

當通過諸如氣相沉積之類的干法工藝形成顏色轉換層時，顏色轉換層通常形成于整個顯示表面上。然而，由于所獲得的顏色轉換層在其形成后的圖案化很難，所以三原色的單獨發光是不可能的。因此，需要通過干法工藝形成圖案化膜，以便僅在對應于特定像素的位置中形成顏色轉換層。此外，需要一種能夠形成適用于提高有機EL顯示器的分辨率的具有精細圖案形狀的膜的方法。

目前已知以下用于圖案化沉積材料的薄膜的方法：

(1)利用具有期望形狀的開口的金屬掩模的氣相沉積；

(2)LITI(激光誘導熱成像)法，其中使用通過預先在基底襯底上層疊沉積材料獲得的轉移構件，并且僅對轉移構件的特定區域中的沉積材料通過用激光照射來蒸發并轉移(參見，例如，日本專利申請特開No.2005-5192或美國專利申請特開No.2005/0016463)；以及

(3)其中使用通過預先在基底襯底上層疊沉積材料(有機EL層材料)獲得的轉移構件，并且該沉積材料僅從轉移構件的特定區域通過利用安排在基底襯底的背面上的熱棒的局部加熱來轉移到期望的襯底上的方法(參見，例如，日本專利申請特開No.2000-77182)。

發明內容

以下的問題與上述用于形成沉積材料的精細圖案的常規方法相關聯。

(1)金屬掩模的材料和厚度導致掩模圖案的尺寸減小上的極限。掩模圖案的尺寸減小的極限目前是150ppi的分辨率水平。問題在于制造工藝變得更難并且在制造具有較高分辨率的圖案時成品率下降。此外，高分辨率圖案還難以在大表面面積的襯底上形成。

(2)由于使用激光和光學系統，所以所采用的設備昂貴。此外，由于需要激光束沿圖案掃描，所以形成過程很花時間，成本高，并且生產率低。

(3)利用熱棒加熱的響應時間(從加熱開始到結束的時間)長。這是因為熱量從與轉移構件的背面接觸的熱棒經由基底襯底傳遞到沉積材料需要時間，并且具有大的熱容量的基底襯底的加熱和冷卻緩慢。存在如此長的響應時間引起與沉積薄膜的可控性相關聯的問題的風險。