[發明專利]用于半導體集成電路設備的缺陷分析方法和缺陷分析系統

無效

• 申請號: 200810003193.0
• 申請日: 2008-01-15
• 公開（公告）號: CN101241770A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: 李鐘弦
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50;G11C29/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 黃啟行;穆德駿

1.一種缺陷分析方法，包括：

在數據庫中存儲至少一個第一缺陷和至少一個關聯的模擬特性；

定位第一晶片中的第一缺陷區域；

測量所述第一缺陷區域中的至少一個第一缺陷位的至少一個模擬特性；以及

將至少一個測得的模擬特性同至少一個存儲的模擬特性比較，以確定所述至少一個第一缺陷是否是所述至少一個第一缺陷區域的起因。

2.如權利要求1所述的方法，進一步包括：

定位第二晶片中的第二缺陷區域，

確認該第二缺陷區域中的至少一個第二缺陷位，

測量所述至少一個第二缺陷位的至少一個模擬特性，

使所述至少一個第二缺陷位和至少一個測得的模擬特性同所述至少一個第一缺陷相關聯；其中

所述存儲：將所述至少一個第一缺陷和關聯的至少一個測得的模擬特性存儲在數據庫中。

3.如權利要求2所述的方法，其中，所述關聯進一步包括：

對電路進行建模，該電路指示所述至少一個第一缺陷，以及

基于通過對仿真該建模的電路所獲得的模擬特性和關于所述至少一個第二缺陷位的至少一個測得的模擬特性進行的比較，使所述至少一個第一缺陷同所述至少一個第二缺陷位相關聯。

4.如權利要求2所述的方法，其中，定位所述第二晶片中的所述第二缺陷區域包括：

在該第二晶片上執行電氣測試以確定所述至少一個第二缺陷位的位置，所述電氣測試是在制造所述第二晶片之后執行。

5.如權利要求4所述的方法，進一步包括：

執行物理分析以確定所述至少一個第一缺陷的位置，所述物理分析是在制造所述第二晶片之后執行。

6.如權利要求5所述的方法，其中，所述測量：對具有與所述至少一個第一缺陷的位置相匹配的位置的所述至少一個第二缺陷位的至少一個模擬特性進行測量。

7.如權利要求4所述的方法，進一步包括：

在第二晶片的制造過程中在第二晶片上執行缺陷檢驗，以確定在第二晶片上形成的至少一個第一缺陷的位置。

8.如權利要求7所述的方法，其中，所述測量：對具有與所述至少一個第一缺陷的位置相匹配的位置的所述至少一個第二缺陷位的至少一個模擬特性進行測量。

9.如權利要求1所述的方法，其中，定位所述第一晶片中的所述第一缺陷區域包括：

執行電氣測試以確定至少一個第一缺陷位的位置，所述電氣測試是在制造所述第一晶片之后執行。

10.如權利要求1所述的方法，其中，所述至少一個第一缺陷位是靜態隨機存取存儲器單元，并且測量所述至少一個第一缺陷位的所述至少一個模擬特性包括：

測量所述靜態隨機存取存儲器單元中包括的至少一個晶體管的至少一個模擬特性。

11.如權利要求10所述的方法，其中，測量所述至少一個晶體管的所述至少一個模擬特性包括：

將第一電壓施加到第一位線、第二位線和字線，并且測量流入到所述至少一個晶體管中的電流。

12.如權利要求1所述的方法，其中，測量所述至少一個第一缺陷位的所述至少一個模擬特性包括：

從第一缺陷區域中的多個第一缺陷位中選擇至少一個第一缺陷位，并且

測量關于選定的至少一個第一缺陷位的至少一個模擬特性。

13.如權利要求1所述的方法，進一步包括，

基于所述至少一個第一缺陷的尺寸和第一比率來確認所述第一缺陷區域的起因。

14.如權利要求13所述的方法，其中，如果所述第一缺陷的尺寸大于第一比率，則所述第一缺陷是所述第一缺陷區域的起因。