[發(fā)明專利]復(fù)合材料焊料及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810001639.6 | 申請(qǐng)日： | 2008-01-07 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101480763A | 公開(kāi)（公告）日： | 2009-07-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉海 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社;三星半導(dǎo)體(中國(guó))研究開(kāi)發(fā)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B23K35/22 | 分類號(hào)： | B23K35/22 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 郭鴻禧;李云霞 |
| 地址： | 韓國(guó)京畿道*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 復(fù)合材料 焊料 及其 制備 方法 | ||
1、一種復(fù)合材料焊料，包含作為基體的金屬焊料和分散在所述基體中作為增強(qiáng)體的SiC晶須。
2、如權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料焊料，其特征在于所述金屬焊料為含鉛金屬焊料或無(wú)鉛金屬焊料。
3、如權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料焊料，其特征在于所述金屬焊料是由Sn、Pb、Ag、Cu、Bi、Zn、Sb、In、Ge和Mg中的至少兩種金屬形成的合金。
4、如權(quán)利要求2所述的復(fù)合材料焊料，其特征在于所述含鉛金屬焊料為錫鉛焊料。
5、如權(quán)利要求2所述的復(fù)合材料焊料，其特征在于所述無(wú)鉛金屬焊料為Sn-Ag、Sn-Cu、Sn-Bi、Sn-Zn、Sn-Sb、Sn-Ag-Cu、Sn-Zn-Bi、Sn-Ag-Bi-Cu、Sn-Ag-Bi-In和Sn-Ag-Bi-Cu-Ge中的一種。
6、如權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料焊料，其特征在于所述SiC晶須所占的體積百分比為0.1％-30％。
7、如權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料焊料，其特征在于所述SiC晶須所占的體積百分比為20％-30％。
8、如權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料焊料，其特征在于所述SiC晶須的晶體結(jié)構(gòu)是單晶結(jié)構(gòu)。
9、如權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料焊料，其特征在于所述SiC晶須的直徑為0.5-1微米。
10、如權(quán)利要求1或權(quán)利要求9所述的復(fù)合材料焊料，其特征在于所述SiC晶須的長(zhǎng)徑比為20:1至40:1。
11、如權(quán)利要求1或權(quán)利要求9所述的復(fù)合材料焊料，其特征在于所述SiC晶須的平均長(zhǎng)度為20微米。
12、一種復(fù)合材料焊料的制備方法，其特征在于將作為基體的金屬焊料與作為增強(qiáng)體的SiC晶須進(jìn)行混合，并使所得的混合物成型。
13、如權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于所述金屬焊料為含鉛金屬焊料或無(wú)鉛金屬焊料。
14、如權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于所述金屬焊料是由Sn、Pb、Ag、Cu、Bi、Zn、Sb、In、Ge和Mg中的至少兩種金屬形成的合金。
15、如權(quán)利要求13所述的制備方法，其特征在于所述含鉛金屬焊料為錫鉛焊料。
16、如權(quán)利要求13所述的復(fù)合材料焊料，其特征在于所述無(wú)鉛金屬焊料為Sn-Ag、Sn-Cu、Sn-Bi、Sn-Zn、Sn-Sb、Sn-Ag-Cu、Sn-Zn-Bi、Sn-Ag-Bi-Cu、Sn-Ag-Bi-In和Sn-Ag-Bi-Cu-Ge中的一種。
17、如權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于所述SiC晶須所占的體積百分比為0.1％-30％。
18、如權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于所述SiC晶須所占的體積百分比為20％-30％。
19、如權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于所述SiC晶須的晶體結(jié)構(gòu)是單晶結(jié)構(gòu)。
20、如權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于所述SiC晶須的直徑為0.5-1微米。
21、如權(quán)利要求12或權(quán)利要求20所述的制備方法，其特征在于所述SiC晶須的長(zhǎng)徑比為20:1至40:1。
22、如權(quán)利要求12或權(quán)利要求20所述的制備方法，其特征在于所述SiC晶須的平均長(zhǎng)度為20微米。
23、如權(quán)利要求12至權(quán)利要求22中任意一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于所述的混合、成型采用攪拌鑄造、粉末冶金、擠壓鑄造或噴射沉積方式之一。
24、一種電子組件由至少兩個(gè)電子元件連接組成，其特征在于所述的連接采用復(fù)合材料焊料，該復(fù)合材料焊料包含作為基體的金屬焊料和分散在所述基體中作為增強(qiáng)體的SiC晶須。
25、如權(quán)利要求24所述的電子組件，其特征在于所述至少兩個(gè)電子元件包含有源器件和無(wú)源器件中的至少一種。
26、如權(quán)利要求25所述的電子組件，其特征在于所述有源器件為半導(dǎo)體芯片。
27、一種電子元件的連接方法，其特征在于所述的連接采用復(fù)合材料焊料，該復(fù)合材料焊料包含作為基體的金屬焊料和分散在所述基體中作為增強(qiáng)體的SiC晶須。
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