[發明專利]復合材料焊料及其制備方法

無效

• 申請號: 200810001639.6
• 申請日: 2008-01-07
• 公開（公告）號: CN101480763A
• 公開（公告）日: 2009-07-15
• 發明（設計）人: 劉海
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社;三星半導體(中國)研究開發有限公司
• 主分類號: B23K35/22
• 分類號: B23K35/22
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭鴻禧;李云霞

1、一種復合材料焊料，包含作為基體的金屬焊料和分散在所述基體中作為增強體的SiC晶須。

2、如權利要求1所述的復合材料焊料，其特征在于所述金屬焊料為含鉛金屬焊料或無鉛金屬焊料。

3、如權利要求1所述的復合材料焊料，其特征在于所述金屬焊料是由Sn、Pb、Ag、Cu、Bi、Zn、Sb、In、Ge和Mg中的至少兩種金屬形成的合金。

4、如權利要求2所述的復合材料焊料，其特征在于所述含鉛金屬焊料為錫鉛焊料。

5、如權利要求2所述的復合材料焊料，其特征在于所述無鉛金屬焊料為Sn-Ag、Sn-Cu、Sn-Bi、Sn-Zn、Sn-Sb、Sn-Ag-Cu、Sn-Zn-Bi、Sn-Ag-Bi-Cu、Sn-Ag-Bi-In和Sn-Ag-Bi-Cu-Ge中的一種。

6、如權利要求1所述的復合材料焊料，其特征在于所述SiC晶須所占的體積百分比為0.1％-30％。

7、如權利要求1所述的復合材料焊料，其特征在于所述SiC晶須所占的體積百分比為20％-30％。

8、如權利要求1所述的復合材料焊料，其特征在于所述SiC晶須的晶體結構是單晶結構。

9、如權利要求1所述的復合材料焊料，其特征在于所述SiC晶須的直徑為0.5-1微米。

10、如權利要求1或權利要求9所述的復合材料焊料，其特征在于所述SiC晶須的長徑比為20:1至40:1。

11、如權利要求1或權利要求9所述的復合材料焊料，其特征在于所述SiC晶須的平均長度為20微米。

12、一種復合材料焊料的制備方法，其特征在于將作為基體的金屬焊料與作為增強體的SiC晶須進行混合，并使所得的混合物成型。

13、如權利要求12所述的制備方法，其特征在于所述金屬焊料為含鉛金屬焊料或無鉛金屬焊料。

14、如權利要求12所述的制備方法，其特征在于所述金屬焊料是由Sn、Pb、Ag、Cu、Bi、Zn、Sb、In、Ge和Mg中的至少兩種金屬形成的合金。

15、如權利要求13所述的制備方法，其特征在于所述含鉛金屬焊料為錫鉛焊料。

16、如權利要求13所述的復合材料焊料，其特征在于所述無鉛金屬焊料為Sn-Ag、Sn-Cu、Sn-Bi、Sn-Zn、Sn-Sb、Sn-Ag-Cu、Sn-Zn-Bi、Sn-Ag-Bi-Cu、Sn-Ag-Bi-In和Sn-Ag-Bi-Cu-Ge中的一種。

17、如權利要求12所述的制備方法，其特征在于所述SiC晶須所占的體積百分比為0.1％-30％。

18、如權利要求12所述的制備方法，其特征在于所述SiC晶須所占的體積百分比為20％-30％。

19、如權利要求12所述的制備方法，其特征在于所述SiC晶須的晶體結構是單晶結構。

20、如權利要求12所述的制備方法，其特征在于所述SiC晶須的直徑為0.5-1微米。

21、如權利要求12或權利要求20所述的制備方法，其特征在于所述SiC晶須的長徑比為20:1至40:1。

22、如權利要求12或權利要求20所述的制備方法，其特征在于所述SiC晶須的平均長度為20微米。

23、如權利要求12至權利要求22中任意一項所述的制備方法，其特征在于所述的混合、成型采用攪拌鑄造、粉末冶金、擠壓鑄造或噴射沉積方式之一。

24、一種電子組件由至少兩個電子元件連接組成，其特征在于所述的連接采用復合材料焊料，該復合材料焊料包含作為基體的金屬焊料和分散在所述基體中作為增強體的SiC晶須。

25、如權利要求24所述的電子組件，其特征在于所述至少兩個電子元件包含有源器件和無源器件中的至少一種。

26、如權利要求25所述的電子組件，其特征在于所述有源器件為半導體芯片。

27、一種電子元件的連接方法，其特征在于所述的連接采用復合材料焊料，該復合材料焊料包含作為基體的金屬焊料和分散在所述基體中作為增強體的SiC晶須。