[發明專利]光掩模對位曝光方法及光掩模組件無效
| 申請號: | 200810001619.9 | 申請日: | 2008-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN101477318A | 公開(公告)日: | 2009-07-08 |
| 發明(設計)人: | 黃正邦;蕭智梅 | 申請(專利權)人: | 奇美電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F9/00 | 分類號: | G03F9/00;G03F7/20;G03F1/14;G03F1/00;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 張 波 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光掩模 對位 曝光 方法 模組 | ||
技術領域
本發明涉及一種曝光方法及光掩模組件,特別涉及一種光掩模對位曝光 方法及光掩模組件。
背景技術
在液晶顯示面板中,利用薄膜晶體管基板上的像素電極與彩色濾光片基 板中的共同電極配合,輸入不同的電壓,可以在像素電極與彩色濾光片基板 間產生不同的電場,可驅動液晶分子產生各種不同轉向角度,以顯示所要表 現的畫面。薄膜晶體管基板的制造方式通過光掩模工藝,經過鍍膜、光致抗 蝕劑涂布、曝光、顯影、蝕刻及光致抗蝕劑移除等步驟,以在基板上形成所 需電路圖案。
請參照圖1所示,其中位于基板2表面的箭頭,為已知技術中進行曝光 工藝時,曝光掃描的方向示意圖。基板2為玻璃基板,用以制作多個尺寸較 小的薄膜晶體管基板21,因此利用面積大于等于薄膜晶體管基板21的光掩 模1,即可完成一個薄膜晶體管基板21的曝光工藝。由此,利用光掩模1 經過一次曝光(如圖1中的空心箭頭方向,其表示曝光掃描方向)即可完成 一個薄膜晶體管基板21的圖案的曝光操作。另外,若基板2的面積大于光 掩模時,則通過承載基板2的承載臺(圖中未顯示)及光掩模1的移動來進 行多次曝光(如圖1中的實心箭頭方向,其表示多個薄膜晶體管的曝光順序), 即可在基板2上設置多個薄膜晶體管基板21的圖案,再經由切割即可同時 完成多個薄膜晶體管基板21。
然而,當液晶顯示面板的尺寸不斷增加,工藝上可能需要多個光掩模才 能完成一個薄膜晶體管基板的曝光工藝。請參照圖2所示,已知的另一種曝 光方法利用同一個光掩模上設計多個圖形,再將這些多個圖形以相互接合的 方式(stitch?mode)來進行曝光工藝。接合方式的曝光工藝將薄膜晶體管基 板31上欲曝光形成的圖案,區分為中間多個第一曝光區A1、兩側外圍線路 區域(fan?out?area)的第二曝光區A2及第三曝光區A3。為了形成不同的曝 光區,請參照圖3所示,已知的接合方式所利用的光掩模4同時具有第一圖 案區Z1、第二圖案區Z2及第三圖案區Z3,而且這些圖案區分別對應設置 有多個定位點m2。
請參照圖4所示,當利用光掩模4對基板3進行曝光工藝時,由于光掩 模4上同時具有3個不同區域Z1、Z2及Z3的圖案,因此當進行其中一區 域(于此以第三曝光區A3為例)的曝光操作時,則需將光掩模4上其他兩 區域Z1、Z2以機臺的遮光機制B作遮蔽,以避免不同區域的圖案造成干擾, 并導致曝光錯誤。
另外,為了確保曝光的位置正確,每次進行曝光前,設置于光掩模4上 方的兩個感測元件T1、T2會先檢測基板3與光掩模4上的定位點m1、m2 以進行對位。因此,當感測元件T1、T2分別檢測到定位點m1、m2重合形 成對位標記后,即表示基板3與光掩模4的對位完成可進行曝光。其中,圖 4中的實心箭頭方向表示于基板3上曝光形成兩個薄膜晶體管基板31的圖案 時各個不同圖案區域的曝光順序。
然而,感測元件T1、T2受限于曝光機臺的設計,僅能分別由光掩模4 的兩端移動到光掩模4的中央位置C。當進行兩側外圍線路區域(在此以第 三曝光區A3為例)的曝光時,由于必須將光掩模4上不需曝光的區域Z1、 Z2的圖案遮蔽,因此也會使得光掩模4上被遮蔽區域的面積大于其整體面 積的一半。如此也造成感測元件T2無法檢測定位點來進行對位感測,僅能 通過單一感測元件T1來進行對位,故無法達成準確地對位,如此一來,更 會造成兩側外圍線路區域A2、A3與中央曝光區A1之間的對位精準度大幅 下降,因而在第一曝光區A1、第二曝光區A2與第三曝光區A3的區域因沒 有對準而產生相互重疊或是具有間隙等問題,進而在液晶顯示面板上產生接 合不均的現象(stitching?mura),導致產品品質降低。另外,若僅采取曝光機 臺的承載臺的步進移動,而不利用定位點m1、m2作定位,由于承載臺步進 精度并無法確保兩個曝光區可以準確地接合,故也會有接合不均的現象。
因此,如何設計一種能準確對位并提高制造效率的光掩模對位曝光方法 及光掩模組件,已成為重要課題之一。
發明內容
有鑒于上述課題,本發明的目的為提供一種能準確對位并提高制造效率 的光掩模對位曝光方法及光掩模組件。
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