[發(fā)明專利]光掩模對(duì)位曝光方法及光掩模組件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810001619.9
• 申請(qǐng)日: 2008-01-04
• 公開（公告）號(hào): CN101477318A
• 公開（公告）日: 2009-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃正邦;蕭智梅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 奇美電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F9/00
• 分類號(hào): G03F9/00;G03F7/20;G03F1/14;G03F1/00;H01L21/68
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 張 波

1.一種光掩模對(duì)位曝光方法，包含：

利用第一光掩模的第一圖案區(qū)對(duì)于基板的光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光，以形 成至少一第一曝光區(qū)；

利用第二光掩模的第二圖案區(qū)對(duì)于該光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光，以形成第 二曝光區(qū)；以及

利用該第二光掩模的第三圖案區(qū)對(duì)于該光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光，以形成 第三曝光區(qū)，

其中，該第一曝光區(qū)位于該第二曝光區(qū)與該第三曝光區(qū)之間，

該第二光掩模具有多個(gè)第二光掩模定位點(diǎn)，這些第二光掩模定位點(diǎn)位于 該第二圖案區(qū)與該第三圖案區(qū)之間。

2.如權(quán)利要求1所述的光掩模對(duì)位曝光方法，其中形成該第一曝光區(qū) 的步驟，包含以下子步驟：

將該第一光掩模具有的多個(gè)第一光掩模定位點(diǎn)分別與形成于該基板上 的多個(gè)第一定位點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)，以曝光形成該第一曝光區(qū)。

3.如權(quán)利要求2所述的光掩模對(duì)位曝光方法，其中各該第一光掩模定 位點(diǎn)與各該第一定位點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)后，形成第一對(duì)位標(biāo)記。

4.如權(quán)利要求1所述的光掩模對(duì)位曝光方法，其中形成該第二曝光區(qū) 的步驟，包含以下子步驟：

將該第二光掩模具有的多個(gè)第二光掩模定位點(diǎn)分別與形成于該基板上 的多個(gè)第二定位點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)，以曝光形成該第二曝光區(qū)。

5.如權(quán)利要求4所述的光掩模對(duì)位曝光方法，其中各該第二光掩模定 位點(diǎn)與各該第二定位點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)后，形成第二對(duì)位標(biāo)記。

6.如權(quán)利要求1所述的光掩模對(duì)位曝光方法，其中形成該第三曝光區(qū) 的步驟，包含以下子步驟：

將該第二光掩模具有的這些第二光掩模定位點(diǎn)分別與形成于該基板上 的多個(gè)第三定位點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)，以曝光形成該第三曝光區(qū)。

7.如權(quán)利要求6所述的光掩模對(duì)位曝光方法，其中各該第二光掩模定 位點(diǎn)與各該第三定位點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)后，形成第三對(duì)位標(biāo)記。

8.如權(quán)利要求1所述的光掩模對(duì)位曝光方法，其用于制作薄膜晶體管 基板。

9.一種光掩模組件，用于對(duì)于基板的光致抗蝕劑層曝光，該光掩模組 件包含：

第一光掩模，具有第一圖案區(qū)及多個(gè)第一光掩模定位點(diǎn)，這些第一光掩 模定位點(diǎn)位于該第一圖案區(qū)的周圍；以及

第二光掩模，具有第二圖案區(qū)、第三圖案區(qū)以及多個(gè)第二光掩模定位點(diǎn)， 這些第二光掩模定位點(diǎn)位于該第二圖案區(qū)與該第三圖案區(qū)之間。

10.如權(quán)利要求9所述的光掩模組件，其中該基板上形成有多個(gè)第一定 位點(diǎn)，該第一光掩模以各該第一光掩模定位點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)于各該第一定位點(diǎn)以曝光 形成該第一曝光區(qū)。

11.如權(quán)利要求10所述的光掩模組件，其中該基板上形成有多個(gè)第二 定位點(diǎn)，該第二光掩模以各該第二光掩模定位點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)于各該第二定位點(diǎn)以曝 光形成該第二曝光區(qū)。

12.如權(quán)利要求11所述的光掩模組件，其中該基板上形成有多個(gè)第三 定位點(diǎn)，該第二光掩模以各該第二光掩模定位點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)于各該第三定位點(diǎn)以曝 光形成該第三曝光區(qū)。