[發明專利]分離兩種材料系統的方法有效
| 申請號: | 200810001609.5 | 申請日: | 2008-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN101477943A | 公開(公告)日: | 2009-07-08 |
| 發明(設計)人: | 李亞儒;徐大正;謝明勛 | 申請(專利權)人: | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L33/00;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 張 波 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 分離 材料 系統 方法 | ||
技術領域
本發明關于一種分離兩種材料系統的方法,尤其關于一種使用濕蝕刻 方式分離藍寶石基板的方法。
背景技術
氮化鎵(GaN)系列材料自1970年代初期被用于制造MIS (Metal-Insulator-Semiconductor)二極管,以及1990年代被用以制造p-n 結構的發光二極管(Light-Emitting?Diode;LED)之后,目前已被廣泛使用 于藍光與紫外光頻段的光電元件中。氮化鎵系列材料以其直接能隙寬、熱 穩定性高、與化學穩定性佳著稱。然而,氮化鎵塊材制作不易,導致必須 使用藍寶石或碳化硅等異質材料作為外延基板以成長氮化鎵結構。其中, 又以采用與氮化物間存有約14%晶格不匹配(lattice?mismatch)的藍寶石基 板為市場主流。
但是,常見的藍寶石為電絕緣體,且熱導性不佳,為制造垂直導通式 氮化物發光二極管,或為提高發光二極管的散熱特性,使用其它種類載體 以替換藍寶石的技術也應運而生。其中一種分離技術為激光分離法(Laser Lift-off),其使用Nd-YAG激光或準分子(Excimer)激光將氮化鎵分解為鎵與 氮氣而達到分離藍寶石的目的。然而,激光光束的穿透深度控制不易,常 達到主要外延結構而損及發光品質。相關技術文獻可參考美國專利第 6,559,075號與第6,071,795號。
發明內容
本發明提供數種可用于分離藍寶石塊材與外延結構、或分離二種材料 系統的方法。
依本發明一實施例的分離二種材料系統的方法,包含提供一藍寶石塊 材;形成一氮化物系統于藍寶石塊材之上;形成至少二條空通道于藍寶石 塊材與氮化物系統之間;蝕刻空通道中至少一內表面;及分離藍寶石塊材 與氮化物系統。
依本發明另一實施例的分離二種材料系統的方法,包含提供一第一材 料系統;形成多條材料通道或材料圖案于第一材料系統之上;形成一第二 材料系統于第一材料系統與該些材料通道之上;移除該些材料通道或材料 圖案以形成空通道或空圖案;及對空通道或空圖案進行濕蝕刻,直至第一 材料系統與第二材料系統間的接觸面積縮小至無法維持一穩固連接。
依本發明又一實施例的一種分離二種材料系統的方法,包含提供一第 一材料系統;干蝕刻第一材料系統以形成一空通道;形成一第二材料系統 于第一材料系統之上;對空通道進行濕蝕刻;及分離第一材料系統與第二 材料系統。
依本發明再一實施例的一種分離二種材料系統的方法,包含提供一第 一材料系統;提供一第二材料系統于第一材料系統之上;形成多個空通道 或空圖案介于第一材料系統與第二材料系統之間;提供一種蝕刻液,其在 第一材料系統與第二材料系統間存有約50~10000倍等級的蝕刻速率差異; 使用蝕刻液蝕刻空通道或空圖案,直至第一材料系統與第二材料系統間的 接觸面積縮小至無法維持一穩固連接。
附圖說明
圖1A~1E說明依據本發明一實施例的分離藍寶石基板的方法;
圖2說明依照本發明實施例的數種可能分離型態;
圖3A與3B說明依據本發明一實施例的材料通道的配置;
圖4說明依據本發明另一實施例的分離藍寶石基板的方法;以及
圖5A~5C說明依據本發明又一實施例的分離藍寶石基板的方法。
附圖標記說明
10藍寶石基板?????????22第二氮化物系統
11第一氮化物系統?????23材料通道
12第二氮化物系統?????24第三氮化物系統
13材料通道???????????30藍寶石基板
14空通道?????????????31第一氮化物系統
14a內表面????????????32第二氮化物系統
14b交點??????????????33空通道
20藍寶石基板????????33a側內表面
21第一氮化物系統????33b蝕刻面
具體實施方式
以下配合附圖說明本發明的各實施例。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





