[發(fā)明專利]分離兩種材料系統(tǒng)的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810001609.5 | 申請日: | 2008-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN101477943A | 公開(公告)日: | 2009-07-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李亞儒;徐大正;謝明勛 | 申請(專利權(quán))人: | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L33/00;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 張 波 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 分離 材料 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種分離兩種材料系統(tǒng)的方法,包含下列步驟:
提供一藍(lán)寶石塊材,該藍(lán)寶石塊材具有一個(gè)連續(xù)平面;
形成一氮化物系統(tǒng)于該藍(lán)寶石塊材的該連續(xù)平面之上,該氮化物系統(tǒng) 與該藍(lán)寶石塊材接觸;
形成至少二條空通道于該藍(lán)寶石塊材與該氮化物系統(tǒng)之間,并與該藍(lán) 寶石塊材直接接觸;
蝕刻該空通道中至少一內(nèi)表面;及
分離該藍(lán)寶石塊材與該氮化物系統(tǒng)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,還包含下列步驟:
形成一模板于該藍(lán)寶石塊材之上;
形成該氮化物系統(tǒng)于該模板與該藍(lán)寶石塊材之上;及
移除該模板的至少一部分藉以形成該空通道。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,還包含至少一步驟:
使該內(nèi)表面發(fā)展成至少一晶面。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,還包含至少一步驟:
使該二空通道相接觸。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,還包含至少一步驟:
使該空通道的一截面成為三角形。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,還包含至少一步驟:
使該藍(lán)寶石塊材與該氮化物系統(tǒng)間的接觸面積縮小至無法維持一穩(wěn)固 連接。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,還包含至少一步驟:
使該藍(lán)寶石塊材與該氮化物系統(tǒng)的接觸面積逐漸縮小。
8.如權(quán)利要求1所述的方法,還包含下列步驟:
提供一蝕刻液,其對該氮化物系統(tǒng)的蝕刻速率大于對藍(lán)寶石塊材的蝕 刻速率。
9.如權(quán)利要求1所述的方法,還包含下列步驟:
提供一蝕刻液,其對該藍(lán)寶石塊材的蝕刻速率大于對該氮化物系統(tǒng)的 蝕刻速率。
10.如權(quán)利要求1所述的方法,其中該分離步驟包含:
施加一外力以使該藍(lán)寶石塊材與該氮化物系統(tǒng)分離。
11.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,形成該氮化物系統(tǒng)的步驟包含:
形成一第一氮化物系統(tǒng);及
形成一第二氮化物系統(tǒng)。
12.如權(quán)利要求1所述的方法,還包含下列步驟:
形成一第三氮化物系統(tǒng)于該藍(lán)寶石塊材與該氮化物系統(tǒng)之間,該第三 氮化物系統(tǒng)具有一個(gè)連續(xù)平面,該連續(xù)平面朝向該氮化物系統(tǒng)。
13.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,于形成該空通道的步驟中,該二 空通道的間距與該空通道的寬度大致相同。
14.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,于形成該空通道的步驟中使該二 空通道相交。
15.如權(quán)利要求1所述的方法,其中該空通道形成于靠近該氮化物系統(tǒng) 側(cè)。
16.如權(quán)利要求1所述的方法,其中該空通道形成于靠近該藍(lán)寶石塊材 側(cè)。
17.一種分離兩種材料系統(tǒng)的方法,包含下列步驟:
提供一藍(lán)寶石塊材;
形成多條材料通道于該藍(lán)寶石塊材之上;
形成一第二材料系統(tǒng)于該些材料通道之上,該第二材料系統(tǒng)與該藍(lán)寶 石塊材接觸;
在形成該第二材料系統(tǒng)于該些材料通道上之后,移除該些材料通道以 形成與藍(lán)寶石塊材直接接觸的空通道;及
濕蝕刻該空通道,直至該藍(lán)寶石塊材與該第二材料系統(tǒng)間的接觸面積 縮小至無法維持一穩(wěn)固連接。
18.如權(quán)利要求17所述的方法,其中,形成該第二材料系統(tǒng)的步驟包 含:
形成一發(fā)光層;及
形成一p型氮化物層與一n型氮化物層,其二者分別位于該發(fā)光層的 兩側(cè)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于晶元光電股份有限公司,未經(jīng)晶元光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810001609.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





