[發(fā)明專利]形成半導(dǎo)體器件的精細圖案的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810000680.1
• 申請日: 2008-01-14
• 公開（公告）號: CN101299408A
• 公開（公告）日: 2008-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 卜喆圭;潘槿道
• 申請（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/311
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 顧紅霞;張?zhí)焓?/td>

1.一種形成半導(dǎo)體器件的精細圖案的方法，包括：

在具有底層的基板上形成層疊層，所述層疊層包括第一、第二和第三掩模薄膜；

在所述第三掩模薄膜上形成光阻圖案；

使用所述光阻圖案作為蝕刻掩模，將所述第三掩模薄膜圖案化，以形成包括第三掩模圖案和所述光阻圖案的第一疊層圖案；

在包括所述第一疊層圖案的所得結(jié)構(gòu)上形成非晶碳層；

將所述非晶碳層選擇性地圖案化，以在所述第一疊層圖案的側(cè)壁上形成非晶碳圖案；

使用所述非晶碳圖案和所述光阻圖案作為蝕刻掩模，將所述第二掩模薄膜圖案化，以形成第二掩模圖案，從而形成包括所述非晶碳圖案、所述第一疊層圖案和所述第二掩模圖案的第二疊層圖案；

在所述第二疊層圖案上形成旋涂碳層；

將所述旋涂碳層拋光，以露出所述第三掩模圖案；

使用所述非晶碳圖案和所述旋涂碳層作為蝕刻掩模來執(zhí)行蝕刻工序，以露出所述第一掩模薄膜，從而移除所述第三掩模圖案和露出的第二掩模圖案；

移除所述旋涂碳層和所述非晶碳圖案；以及

使用所述第二掩模圖案作為蝕刻掩模，選擇性地蝕刻所述第一掩模薄膜，以形成第一掩模圖案。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

使用所述第一掩模圖案作為蝕刻掩模來蝕刻所述底層，以形成底層圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述第一掩模薄膜選自以下群組，所述群組包括：非晶碳層、氮氧化硅膜、氮化硅膜及其組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述第二和第三掩模薄膜都選自以下群組，所述群組包括：氮氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜、氧化硅膜及其組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述光阻圖案的線寬相對于所述光阻圖案之間間距的比例為1∶2至1∶4。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，

所述比例為1∶3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述非晶碳層是借助于執(zhí)行化學(xué)氣相沉積法而形成的。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述非晶碳圖案是借助于使用包括O₂和N₂的蝕刻氣體的蝕刻工序而形成的。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述非晶碳圖案的線寬相對于所述非晶碳圖案的圖案之間間距的比例為1∶1。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

拋光工序是以回蝕法或化學(xué)機械拋光法來執(zhí)行的。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，

所述回蝕法是使用包含氟碳氣體的氣體源來執(zhí)行的。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述旋涂碳層和所述非晶碳層是借助于使用氧等離子的剝除工序而分別移除的。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述第二掩模圖案的線寬相對于所述第二掩模圖案的圖案之間間距的比例為1∶1。

14.一種半導(dǎo)體器件，其包括采用根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法形成的精細圖案。