[發明專利]向半導體晶片收納容器內填充干燥空氣或氮氣的填充裝置以及使用了該裝置的晶片除靜電裝置無效
| 申請號: | 200780053696.2 | 申請日: | 2007-07-09 |
| 公開(公告)號: | CN101730933A | 公開(公告)日: | 2010-06-09 |
| 發明(設計)人: | 木崎原稔郎;岡田誠;飯田尚司;本田康 | 申請(專利權)人: | 近藤工業株式會社;日本劍橋過濾器株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 晶片 收納 容器 填充 干燥 空氣 氮氣 裝置 以及 使用 靜電 | ||
技術領域
本發明涉及一種將收納了在半導體制造中所使用的半導體晶片的半導體晶片收納容器內的化學氣體、水分除去,阻止在上述半導體晶片表面產生酸,向上述半導體晶片收納容器內填充干燥空氣或氮氣的填充裝置以及使用該裝置除去半導體晶片表面的靜電的除靜電裝置。
背景技術
以往,在微環境方式無塵室的半導體制造工序中,隨著半導體晶片的微細化的發展,加工工藝也日趨復雜。特別是在利用鹵素氣體的蝕刻工序中,蝕刻后殘留的鹵素氣體與干燥空氣中的水分發生反應而生成酸,由該酸所致的半導體晶片的腐蝕將成為大問題,作為其對策,采用如下的方法:在將加工后的晶片收納于半導體晶片收納容器中之后,置換沒有水分的干燥空氣或氮氣,由此來阻止酸的生成,防止半導體晶片被腐蝕。
另外,在上述微環境方式無塵室的半導體制造工序中,在半導體晶片收納容器內收納著晶片進行搬運,并使其待機,在收納到半導體晶片收納容器中時,或在半導體晶片收納容器搬運過程中,半導體晶片收納容器內的晶片帶電,發生半導體電路的靜電破壞、或由于靜電而使灰塵附著于晶片表面等問題,作為其對策,現狀是在上述半導體晶片收納容器的材料中混入碳,使其具有導電性,來抑制晶片帶靜電。
此外,關于如下所述的干燥氣體或氮氣填充裝置以及如下所述的半導體晶片收納容器內晶片除靜電裝置,即便溯及檢索以往的專利文獻,也完全沒有公開這些干燥空氣或氮氣的填充裝置及除靜電裝置,上述干燥空氣或氮氣的填充裝置的目的在于,在不打開半導體晶片收納容器的蓋的情況下,向該半導體晶片收納容器內供給干燥空氣或氮氣,在除去化學氣體的同時,除去水分而阻止在半導體晶片表面生成酸,防止半導體晶片被腐蝕;上述半導體晶片收納容器內晶片除靜電裝置的目的在于,向上述半導體晶片收納容器內供給離子化干燥空氣或離子化氮氣,在除去化學氣體的同時,除去半導體晶片所帶的靜電,進而除去水分而阻止在半導體晶片表面生成酸,防止半導體晶片被腐蝕。
如以往所述,為了防止鹵素氣體與水分反應生成酸而發生腐蝕,采用向半導體晶片收納容器內填充水分極少的干燥空氣或氮氣的方法,但為了不降低生產率,要求填充時間短。另一方面,在將晶片收納于半導體晶片收納容器內時,由于晶片背面和機器人手臂接觸,會發生少量的灰塵,但該灰塵容易進入半導體晶片收納容器內,此外,還存在這些灰塵和由其他原因所致的灰塵積存在上述半導體晶片收納容器的底部的問題。
另外,當向半導體晶片收納容器內填充干燥空氣或氮氣時,由于在初始階段,半導體晶片收納容器內的壓力為大氣壓,所以以高速從半導體晶片收納容器的吸氣口向內部流入干燥空氣或氮氣,內部的壓力升高時,流入速度降低。此外,還存在如下問題,即由于上述初始的干燥空氣或氮氣的高速流入,位于半導體晶片收納容器的底或晶片背面的灰塵飛揚,會附著在晶片表面的半導體電路上。
另外,也嘗試了通過質量流量計等來控制向半導體晶片收納容器內的流入速度的方法,但即便設置質量流量計,也不會抑制開始流入時的流速的波動,另外,質量流量計價格極高,所以存在投資巨大的問題。
另一方面,隨著半導體的微細化的進展,制造工序的灰塵的管理粒徑也成為納米級,微弱的靜電會發生電路的破壞、灰塵的附著,既便是在上述半導體晶片收納容器的材料中混入碳等導電性物質的方法,也無法完全防止半導體晶片所帶的靜電,相反如果增加碳量,也會導致產生來自半導體晶片收納容器的化學氣體,不會完全解決與半導體晶片帶靜電有關的問題。
另外,在由半導體制造商將半導體晶片收納于半導體晶片收納容器內時,也嘗試了在打開半導體晶片收納容器的蓋的狀態下從開放口吹入離子空氣然后蓋上蓋的方法等,也存在幾乎沒有效果的問題。
發明內容
本發明正是為了解決上述課題而完成的,提供一種不打開半導體晶片收納容器的蓋,向該半導體晶片收納容器內供給干燥空氣或氮氣,由此在除去化學氣體的同時除去水分而阻止在半導體晶片表面生成酸,防止半導體晶片被腐蝕的干燥空氣或氮氣的填充裝置,以及使用該填充裝置,向上述半導體晶片收納容器內供給離子化干燥空氣或離子化氮氣,由此阻止在該半導體晶片收納容器內的底部積存的灰塵的飛揚,并且除去半導體晶片所帶的靜電,進而除去水分而阻止在半導體晶片表面生成酸,防止半導體晶片被腐蝕的除靜電裝置。
為了解決上述課題,技術方案1記載的發明提供一種向半導體晶片收納容器內填充干燥空氣或氮氣的填充裝置,該填充裝置與在收納有半導體晶片的半導體晶片收納容器的底板上設置的多個呼吸口中的供給側呼吸口和排出側呼吸口連結固定,向半導體晶片收納容器內填充干燥空氣或氮氣,該填充裝置其特征在于,
上述各呼吸口形成為具備PTFE過濾器,
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





