[發(fā)明專利]通過對掩膜拐角圓化效果進行建模來改進工藝模型準確度有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200780052617.6 | 申請日: | 2007-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN101675385A | 公開(公告)日: | 2010-03-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | J·黃;C-c·庫奧;L·S·梅爾文三世 | 申請(專利權(quán))人: | 新思科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/14 | 分類號: | G03F1/14;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 | 代理人: | 王茂華 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 通過 拐角 效果 進行 建模 改進 工藝 模型 準確度 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)計和制造。更具體而言,本發(fā)明涉及通過 對掩膜拐角圓化(MCR)效果進行建模來改進工藝模型準確度。
背景技術(shù)
計算技術(shù)的快速進步已經(jīng)使得有可能對有時多達百萬兆字節(jié)的 數(shù)據(jù)集進行每秒萬億次計算運算。這些進步可以歸功于使得有可能 將數(shù)以千萬計的器件集成到單個芯片上的半導(dǎo)體制造技術(shù)的巨大改 進。
半導(dǎo)體制造技術(shù)通常包括涉及到復(fù)雜的物理和化學(xué)相互作用的 多個工藝。由于幾乎不可能發(fā)現(xiàn)用以對這些復(fù)雜互作用的表現(xiàn)進行 預(yù)測的精確定則,所以研究者通常使用與經(jīng)驗數(shù)據(jù)擬合的工藝模型 以預(yù)測這些工藝的表現(xiàn)。工藝模型可以在設(shè)計半導(dǎo)體芯片期間使用 于多個應(yīng)用中。例如,工藝模型普遍用于對布局進行校正以補償半 導(dǎo)體制造工藝的不期望的效果。
工藝模型的不準確可能負面地影響下游應(yīng)用的功效。例如,工 藝模型的不準確可能減少光學(xué)鄰近校正(OPC)的功效。隨著半導(dǎo) 體集成密度持續(xù)以指數(shù)速率增長,工藝模型的準確度變得越來越重 要。因此,期望提高工藝模型準確度。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供用于確定對掩膜拐角圓化效果進行建模的 改進的工藝模型的系統(tǒng)和技術(shù)。通常通過將內(nèi)核系數(shù)與工藝數(shù)據(jù)擬 合或者校準來確定工藝模型。通常通過將正在建模的半導(dǎo)體制造工 藝應(yīng)用于掩膜布局來生成工藝數(shù)據(jù)。
本發(fā)明的一個實施例可以在成組拐角的鄰近處修改掩膜布局并 且在工藝模型校準期間使用修改的掩膜布局。備選地,一個實施例 可以確定成組掩膜層。掩膜層之一可以是掩膜布局本身,或者它可 以包含掩膜布局中的基本上所有圖案。其他掩膜層可以包含與掩膜 布局中的拐角有關(guān)的圖案。實施例可以使用成組掩膜層來校準工藝 模型。
附圖說明
圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的在設(shè)計和制作集成電路時 的各種步驟。
圖2圖示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的典型光學(xué)系統(tǒng)。
圖3A圖示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的掩膜布局的一部分。
圖3B圖示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的光刻掩膜。
圖4呈現(xiàn)了對根據(jù)本發(fā)明一個實施例的用于確定對于MCR效果 進行建模的工藝模型的單層方式進行圖示的流程圖。
圖5A圖示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的在掩膜布局中的成組拐 角。
圖5B-5F圖示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例可以如何在成組拐角的 鄰近處修改掩膜布局。
圖6呈現(xiàn)了對根據(jù)本發(fā)明一個實施例的用于確定對于MCR效果 進行建模的工藝模型的多層方式進行圖示的流程圖。
圖7A-7B圖示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的成組掩膜層。
圖8A圖示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的外拐角掩膜層。
圖8B圖示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的內(nèi)拐角掩膜層。
圖9呈現(xiàn)了對根據(jù)本發(fā)明一個實施例的用于確定改進的工藝模 型的過程進行圖示的流程圖。
圖10圖示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的計算機系統(tǒng)。
圖11圖示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例可以如何存儲工藝模型。
具體實施方式
集成電路(IC)設(shè)計流程
圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的在設(shè)計和制作集成電路時 的各種步驟。
該過程通常從使用EDA軟件設(shè)計過程(步驟110)來實現(xiàn)的產(chǎn) 品想法(步驟100)開始。一旦設(shè)計定稿,通常交付(tap-out)(事 件140)該設(shè)計,并且該設(shè)計經(jīng)過制作工藝(步驟150)以及封裝和 組裝工藝(步驟160)以產(chǎn)生成品芯片(結(jié)果170)。
EDA軟件設(shè)計過程(步驟110)包括下文僅出于示例目的而描 述的而且并非用來限制本發(fā)明的步驟112-130。例如,實際集成電路 設(shè)計可能要求設(shè)計者在與下述序列不同的序列中進行設(shè)計步驟。
系統(tǒng)設(shè)計(步驟112):在這一步驟中,設(shè)計者描述他們想要實 施的功能。他們也可以進行如果-怎么樣(what-if)規(guī)劃以精化功能、 檢驗成本等。硬件-軟件架構(gòu)劃分可以出現(xiàn)在這一階段。可以在這一 步驟使用的來自Synopsys公司的示例性EDA軟件產(chǎn)品包括Model System?Studio和產(chǎn)品。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





