[發明專利]通過對掩膜拐角圓化效果進行建模來改進工藝模型準確度

有效

• 申請號: 200780052617.6
• 申請日: 2007-12-27
• 公開（公告）號: CN101675385A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發明（設計）人: J·黃;C-c·庫奧;L·S·梅爾文三世
• 申請（專利權）人: 新思科技有限公司
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14;G03F7/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 王茂華

1.一種用于確定對掩膜拐角圓化效果進行建模的改進的工藝模 型的方法，所述方法包括：

接收掩膜布局；

接收通過將光刻工藝應用于所述掩膜布局而生成的工藝數據；

接收未校準的工藝模型；

標識所述掩膜布局中的成組拐角；

在所述成組拐角的鄰近處修改所述掩膜布局，以獲得修改的掩 膜布局，其中對所述掩膜布局的修改與掩膜拐角圓化效果有關；以 及

通過使用所述修改的掩膜布局和所述工藝數據校準所述未校準 的工藝模型，確定所述改進的工藝模型。

2.根據權利要求1所述的方法，其中修改所述掩膜布局包括：

將斜面物件添加到所述成組拐角中的拐角。

3.根據權利要求1所述的方法，其中修改所述掩膜布局包括：

將切口物件添加到所述成組拐角中的拐角。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述成組拐角包括內拐角 和外拐角，并且修改所述掩膜布局包括：

將第一物件添加到所述內拐角；并且

將第二物件添加到所述外拐角，其中所述第二物件不同于所述 第一物件。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述第一物件的尺寸不同 于所述第二物件的尺寸。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述第一物件的形狀不同 于所述第二物件的形狀。

7.一種用于確定對掩膜拐角圓化效果進行建模的改進的工藝模 型的設備，所述設備包括：

用于接收掩膜布局的裝置；

用于接收通過將光刻工藝應用于所述掩膜布局而生成的工藝數 據的裝置；

用于接收未校準的工藝模型的裝置；

用于標識所述掩膜布局中的成組拐角的裝置；

用于在所述成組拐角的鄰近處修改所述掩膜布局以獲得修改的 掩膜布局的裝置，其中對所述掩膜布局的修改與掩膜拐角圓化效果 有關；以及

用于通過使用所述修改的掩膜布局和所述工藝數據校準所述未 校準的工藝模型確定所述改進的工藝模型的裝置。

8.根據權利要求7所述的設備，其中修改所述掩膜布局包括：

將斜面物件添加到所述成組拐角中的拐角。

9.根據權利要求7所述的設備，其中修改所述掩膜布局包括：

將切口物件添加到所述成組拐角中的拐角。

10.根據權利要求7所述的設備，其中所述成組拐角包括內拐 角和外拐角，并且修改所述掩膜布局包括：

將第一物件添加到所述內拐角；以及

將第二物件添加到所述外拐角，其中所述第二物件不同于所述 第一物件。

11.根據權利要求10所述的設備，其中所述第一物件的尺寸不 同于所述第二物件的尺寸。

12.根據權利要求10所述的設備，其中所述第一物件的形狀不 同于所述第二物件的形狀。

13.一種用于確定對掩膜拐角圓化效果進行建模的改進的工藝 模型的方法，所述方法包括：

接收掩膜布局；

接收通過將光刻工藝應用于所述掩膜布局而生成的工藝數據；

接收未校準的工藝模型，所述工藝模型包括：

光學分量；以及

成組掩膜拐角圓化MCR分量，其中每個MCR分量被設計 成對于MCR效果進行建模；

標識所述掩膜布局中的成組拐角；

確定成組掩膜層，所述成組掩膜層包括：

第一掩膜層，包括所述掩膜布局中的基本上所有圖案；以 及

成組MCR掩膜層，其中每個MCR掩膜層中的基本上所有 圖案和所述掩膜布局中的與所述成組拐角鄰近的圖案有關，并且每 個MCR掩膜層與MCR分量關聯；以及

通過使用所述成組掩膜層和所述工藝數據校準所述未校準的工 藝模型，確定所述改進的工藝模型。