[發明專利]在等離子處理應用中提供電性接觸的方法與裝置

無效

• 申請號: 200780051063.8
• 申請日: 2007-12-20
• 公開（公告）號: CN101601118A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發明（設計）人: 具本雄;史帝文·R·沃特;克里斯多夫·J·里維特;賈斯汀·托可;玄盛煥;提摩太·J·米勒;杰·T·舒爾;阿塔爾·古普塔;維克拉姆·辛;戴文·洛吉
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 臧建明

1、一種支撐半導體晶片的背部的裝置，適用于等離子處理應用期間，所述背部于幾何學上定義出內部表面區域與外部環形表面區域，所述裝置包括：

晶片平臺，用以支撐所述晶片；以及

多個電性接觸元件，將所述多個電性接觸元件中的每個配置為提供通道，所述通道用于將來自偏壓源的偏置電壓供應至位于所述晶片平臺上的所述晶片，將所述多個電性接觸元件作幾何排列，使得至少一個電性接觸元件接觸所述內部表面區域以及至少一個電性接觸元件接觸所述外部環形表面區域。

2、根據權利要求1所述的裝置，其中所述內部表面區域定義為所述晶片的中心與一距離之間的區域，所述距離為從所述中心至約所述晶片的半徑的一半，且所述外部環形表面區域定義為所述晶片的外邊緣與所述距離之間的區域。

3、根據權利要求1所述的裝置，其中所述內部表面區域定義為所述晶片的中心與一距離之間的區域，所述距離為從所述中心至約0.707個半徑，其中半徑包括所述晶片的半徑，且所述外部環形表面區域定義為所述晶片的外邊緣與約0.707個半徑的所述距離之間的區域。

4、根據權利要求1所述的裝置，其中接觸所述外部環形表面區域的所述至少一個電性接觸元件包括環面。

5、根據權利要求1所述的裝置，其中所述多個電性接觸元件包括金屬或合金。

6、根據權利要求1所述的裝置，其中所述多個電性接觸元件包括至少下列之一：鈦、鋁、鎢、鉭、鈷、鎳、硅、碳化硅以及硅化物。

7、根據權利要求1所述的裝置，其中所述多個電性接觸元件的至少一個包括介于約0.5毫米至約25毫米的范圍內的橫切半徑和介于約0.5毫米至約100毫米的范圍內的末端半徑中的至少一個。

8、根據權利要求1所述的裝置，其中所述多個電性接觸元件的至少一個還包括鉸鏈或關節。

9、根據權利要求1所述的裝置，其中所述多個電性接觸元件與所述晶片的所述背部的總接觸面積介于約1平方毫米至約400平方毫米的范圍內。

10、根據權利要求1所述的裝置，其中在所述內部表面區域內的所述至少一個電性接觸元件與在所述外部環形表面區域內的所述至少一個電性接觸元件具有不同形狀。

11、根據權利要求1所述的裝置，其中當施加偏置電壓時，所述多個電性接觸元件提供于所述晶片上的電阻小于約30歐姆。

12、根據權利要求1所述的裝置，其中所述多個電性接觸元件在幾何學上實質上形成六邊形。

13、根據權利要求1所述的裝置，其中所述多個電性接觸元件在幾何學上形成多個同心多邊形。

14、根據權利要求13所述的裝置，其中所述多個同心多邊形包括具有第一組頂點的第一多邊形以及具有第二組頂點的第二多邊形，所述第一組頂點與所述第二組頂點不具有放射狀的對齊。

15、根據權利要求1所述的裝置，其中在所述外部環形表面區域內的所述至少一個電性接觸元件定位于從所述晶片的外邊緣起的約20毫米以內。

16、根據權利要求1所述的裝置，其中所述外部環形表面區域包括多個環形表面區域。

17、根據權利要求1所述的裝置，其中所述多個電性接觸元件在幾何學上形成多個鄰近多邊形。

18、一種提供電性接觸的方法，所述方法適用于等離子處理應用期間，其用平臺與半導體晶片的背部接觸，所述方法包括：

設置至少一個電性接觸元件，其與所述晶片的內部表面區域相接觸；

設置至少一個電性接觸元件，其與所述晶片的外部環形表面區域相接觸；以及

以等離子處理所述晶片。

19、根據權利要求18所述的方法，其中所述背部于幾何學上定義為內部表面區域與外部環形表面區域，所述內部表面區域定義為所述晶片的中心與一距離之間的區域，所述距離為從所述中心至約所述晶片的半徑的一半，且所述外部環形表面區域定義為所述晶片的外邊緣與所述約半徑的一半的距離之間的區域。