[發明專利]LED反射性封裝體無效
| 申請號: | 200780049573.1 | 申請日: | 2007-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN101578711A | 公開(公告)日: | 2009-11-11 |
| 發明(設計)人: | M·A·齊莫爾曼 | 申請(專利權)人: | 躍進封裝公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人: | 程大軍 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | led 反射 封裝 | ||
相關申請的交叉引用
本申請請求享有美國臨時專利申請No.60/858,018在35U.S.C.§119(e)下 的權益,該申請于2006年11月9日提交,其公開內容通過引用結合在此。
關于聯邦政府資助研究或開發的聲明
N/A
背景技術
發光二極管(LED)器件由光可以從LED表面向側面或向上透射的材料 制成。LED同時耗散轉變為熱量的電能。從LED撤除熱量對于LED的性 能很重要。因此,為LED提供電連接和光連接的封裝體必須兼具熱效率和 光效率。這些應用的高性能封裝體經常使用氧化鋁,其熱傳導率為15W/mK。 對于更高的熱性能則使用氮化鋁,其熱傳導率為150W/mK。在氧化鋁和氮 化鋁的這些例子中,制造方法對于如大體積消費品應用的許多應用均導致 封裝體成本的效率低。同時,隨著LED技術的進展,LED的光功率增加, 這導致要求耗散更多的熱量。此外,光效率更加重要,這就希望LED封裝 體應該僅吸收或分散少量的光。因此,希望有高反射性的LED封裝體。
滿意的LED封裝體特性包括以下:使用高熱傳導率的基底(如,熱傳導 率為300W/mK的銅)以撤除熱量,使用可以經受溫度接近和高于320℃的共 晶芯片焊接(die?attachment)的高溫材料,以及使用封裝體側壁反射率>90% 的材料。此外,希望采用如注射成型的低成本制造方法生產LED封裝體。
已知的LED封裝體包括陶瓷底座或基底,陶瓷底座中形成有腔體,并 且其中安裝一個或多個LED。透鏡放置在腔體上,來自一個或多個LED的 光通過透鏡發射。腔體有一個或多個反射面,以提高通過透鏡發射的光的 量。在現有的陶瓷封裝體中,經金屬噴鍍以提供反射面的成角度的腔體壁 提供反射性。通過在陶瓷封裝體底面上提供多個表面安裝墊(surface?mount pad),使得陶瓷封裝體通常為可表面安裝的。多個表面安裝墊可與電路板或 其它安裝結構的連接墊或其它接觸區相匹配。陶瓷封裝體可提供良好的熱 傳導率,但成本相對較高。典型的陶瓷封裝體構造如附圖1A和1B所示。
另一種已知的LED封裝體包括低溫塑料材料的底座,即類似于尼龍的 聚鄰苯二甲酰胺。在該塑料組合物中提供有纖維玻璃顆粒和氧化鈦顆粒, 以提供反射性。該塑料材料的熔點為310℃,在負載(1.82MPa)下的變形溫 度(DTUL)為290℃。此外,該塑料材料的吸濕率相對較高,為3.9%,并且 在塑料材料的老化期間表現出反射率降低。該已知塑料材料的主要缺點是 與使用廣泛的金錫共晶焊料缺少相容性,因為該塑料材料比用于將LED焊 接到底座上的金錫共晶焊料有更低的熔融溫度。
發明內容
本發明提供了使用高溫塑料或聚合物材料的LED封裝體,所述材料與 使用廣泛的金錫共晶焊料相容,并且可以代替用于傳統LED封裝體中的成 本更高的陶瓷。該新型的LED封裝體有高熱傳導率的基底、高可見光和/ 或紫外光反射率,并且有良好的老化性能。
該高溫材料為熔融溫度高于約340℃的高溫液晶聚合物(LCP)。在表面 附近所述塑料材料含有小的填料顆粒,顆粒的折射率大于約2.0,并且粒度 范圍是約0.2-0.3微米。
對于反射紫外光的LED封裝體,可以在塑料材料中包括紫外穩定劑, 以改進其在紫外光譜內的反射率,并且保護該塑料材料免受由某些LED發 射的紫外光所引起的紫外降解。
附圖說明
本發明將在以下詳細的說明書中結合附圖來全面描述,其中:
圖1A為已知LED封裝體的示圖;
圖1B為圖1A的LED封裝體的底面示圖;
圖2為根據本發明制造的LED封裝體的示圖。
具體實施方式
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