[發(fā)明專利]LED反射性封裝體無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200780049573.1 | 申請(qǐng)日: | 2007-11-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101578711A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-11-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | M·A·齊莫爾曼 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 躍進(jìn)封裝公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/00 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 程大軍 |
| 地址: | 美國(guó)馬*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | led 反射 封裝 | ||
1.一種發(fā)光二極管(LED)封裝體,其包括:
高溫塑料材料外殼,所述外殼具有頂面、底面和腔體,并且腔體大小 為容納至少一個(gè)LED;
基底,其附著在外殼底面上,并且適合用于附著至少一個(gè)LED;
所述高溫塑料材料熔融溫度大于約340℃,且含有多個(gè)填料顆粒;其中
所述外殼的頂面適合于安裝透鏡。
2.用于含一個(gè)或多個(gè)安裝在基底上的發(fā)光二極管的封裝體,外殼具有 一個(gè)或多個(gè)反射面,并且包括:
熔融溫度大于約340℃的高溫聚合物材料殼體;
構(gòu)造成圍繞一個(gè)或多個(gè)安裝在基底上的發(fā)光二極管的腔體;
所述腔體具有相對(duì)基底的角度小于約20°的一個(gè)或多個(gè)反射面,以反射 來(lái)自一個(gè)或多個(gè)發(fā)光二極管的光;以及
所述殼體具有用于將殼體安裝到基底上的第一安裝面,還有用于裝配 透鏡的第二安裝面,通過(guò)透鏡能夠透射來(lái)自一個(gè)或多個(gè)發(fā)光二極管的光。
3.權(quán)利要求2的發(fā)明,其中高溫聚合物材料殼體的組成包括選自以下 組中的化學(xué)基團(tuán):
氫化奎寧(HQ)、4,4-雙酚(BP)、雙(4-羥基苯基醚)(POP)、對(duì)苯二甲酸 (TPA)、2,6-萘二甲酸(NPA)、4,4-苯甲酸(BB)、4-羥基苯甲酸(HBA)、6-羥基 -2-萘甲酸(HNA)。
4.權(quán)利要求2的發(fā)明,其中高溫聚合物材料殼體含有10-60%的填料。
5.權(quán)利要求4的發(fā)明,其中填料包括:TiO2、ZnO和玻璃。
6.權(quán)利要求5的發(fā)明,其中TiO2的存在量為約10-22%。
7.權(quán)利要求6的發(fā)明,其中ZnO為<1%。
8.權(quán)利要求5的發(fā)明,其中TiO2為金紅石型的TiO2。
9.權(quán)利要求5的發(fā)明,其中TiO2顆粒為0.1-0.5微米。
10.權(quán)利要求5的發(fā)明,其中ZnO顆粒為<100nm。
11.權(quán)利要求9的發(fā)明,其中納米級(jí)TiO2顆粒為<100nm,并且少于填 料的1%。
12.權(quán)利要求2的發(fā)明,其中高溫聚合物材料的膨脹系數(shù)為約5-30 ppm/℃。
13.權(quán)利要求2的發(fā)明,其中高溫聚合物材料的膨脹系數(shù)為約10-20 ppm/℃。
14.權(quán)利要求2的發(fā)明,其中基底材料的熱傳導(dǎo)率為>300W/mK。
15.權(quán)利要求2的發(fā)明,其中基底材料為含有最低50%銅的合金。
16.權(quán)利要求15的發(fā)明,其中基底材料的優(yōu)選銅含量為>99.0%Cu。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于躍進(jìn)封裝公司,未經(jīng)躍進(jìn)封裝公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200780049573.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種電機(jī)的紙包裝結(jié)構(gòu)
- 下一篇:玻璃安瓿
- 同類(lèi)專利
- 專利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件





