[發明專利]IC芯片封裝和具有該IC芯片封裝的圖像顯示裝置有效
| 申請號: | 200780045143.2 | 申請日: | 2007-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN101548372A | 公開(公告)日: | 2009-09-30 |
| 發明(設計)人: | 加藤達也;久戶瀨智;中川智克 | 申請(專利權)人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;G02F1/1345;H01L21/3205;H01L23/12;H01L23/52;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 閆小龍;李家麟 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | ic 芯片 封裝 具有 圖像 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種封裝和具有該封裝的圖像顯示裝置,在上述封裝中 例如安裝有其中具備細間距(Fine?Pitch)端子的IC芯片。
背景技術
隨著液晶顯示裝置的高精細化、高性能化發展,就要求液晶顯示裝 置中搭載的液晶驅動器(IC芯片)具有更多的輸出。
一般情況下,通過縮小芯片尺寸以及對芯片的凸點進行細間距(微 細)化配置來實現IC芯片的多輸出化。最近,較多地采用可實現細間 距化的、安裝裸芯片液晶驅動器的COF(Chip?On?Film:薄膜覆晶)。
根據最近的COF封裝技術,通過加熱加壓使IC芯片上的凸點與載 帶上的內部引線鍵合,由此實現載帶和IC芯片之間的導通。但是,根 據這樣的鍵合方法,為了消除凸點位置和內部引線位置之間的偏差,需 要使用熱變形小、高精細的載帶材料。即,上述技術的缺陷在于,所要 實現的細間距限制了載帶所能選用的材料范圍。
為了克服以上缺陷,專利文獻1揭示了一種借助于中介基板 (Interposer?Substrate)連接IC芯片和電路基板(載帶)的方法。圖13 表示了專利文獻1所述的封裝結構的剖面圖。
如圖13所示,以芯片倒裝鍵合(Flip?Chip?Bonding)的方式連接IC 芯片104和中介基板101,而且,中介基板101以凸點鍵合方式連接電 路基板107的電極圖案110。中介基板101為硅(Si)基板,且通過硅 晶圓工藝形成,所以,能夠以與IC芯片104的電極相同的細間距來形 成和IC芯片104連接的電極。另一方面,以與電路基板107的電極間 距、即較大的間距相同的間距來形成和電路基板107連接的電極。并且, 在連接IC芯片104的電極和連接電路基板107的電極中,對應的電極 在中介基板101上彼此連接。另外,作為電路基板107,可以使用載帶。
如上所述,借助于中介基板101實現IC芯片104和電路基板107 之間的互連,這樣,可以將IC工藝水平的細間距轉換為載帶工藝水平 的電極間距。所以,即使是安裝其連接電極由于IC芯片小型化及多輸 出化而實現高度細間距化的IC芯片的COF封裝,其載帶基材的選用范 圍也能得以擴大。
另外,為了應對細間距化,使用硬度和熔點較高的金屬或合金凸點 來連接IC芯片104和中介基板101。例如,使用金(Au)凸點進行Au-Au 鍵合。通過使用這樣的材料,能夠抑制凸點變形、防止相鄰凸點相互接 觸,因此,能夠將端子間距縮小到25μm左右,從而能夠實現IC芯片的 多輸出化。
另一方面,中介基板和載帶的連接端子間距可以大于IC芯片的連 接端子間距,例如,可以為50-100μm左右。
在封裝制造過程中,在貼合電路基板107和中介基板101時,如果 電路基板107由載帶或載膜那樣較薄的材料構成使得能夠透視電路基板 107從而可對其相反側進行觀察,就能夠由電路基板107的與中介基板 101安裝面相反一側的面進行透視觀察從而實現電路基板107和中介基 板101的位置對準。但是,中介基板101例如是由硅(Si)構成的基板, 其厚度較大而無法進行上述透視,并且,IC芯片104也具有無法進行透 視的結構,因此,在貼合中介基板101和IC芯片104時,無法使用上 述透視方法來實現中介基板101和IC芯片104的位置對準。
另外,雖然制造設備等對IC芯片的性能并無影響,但是,切割加 工處理可能造成IC芯片的外形發生局部變化從而導致與設計尺寸不符。 所以,即使中介基板預先形成有用于確保該中介基板與IC芯片進行位 置對準的標記,但是,由于該標記是根據按照設計尺寸制造的IC芯片 進行配置的標記,因此,如果要安裝的IC芯片的外形發生了上述變化, 就難以準確地實現位置對準。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





