[發(fā)明專利]制造磁記錄介質(zhì)的方法以及磁記錄和再現(xiàn)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200780044047.6
• 申請(qǐng)日: 2007-11-21
• 公開（公告）號(hào): CN101542604A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 福島正人;坂脅彰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昭和電工株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11B5/84
• 分類號(hào): G11B5/84;C23C14/48;G11B5/65;G11B5/851;H01F41/16;H01F41/32
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所
• 代理人: 楊曉光;于 靜

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)是基于35U.S.C.§119(e)(1)提交的申請(qǐng)，要求根據(jù)35U.S.C.§111(b)于2006年11月27日提交的日本專利申請(qǐng)No.2006-318839的優(yōu)先權(quán)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及制造用于硬盤驅(qū)動(dòng)器等等的磁記錄介質(zhì)的方法以及磁記錄和再現(xiàn)裝置。

背景技術(shù)

最近，諸如磁盤驅(qū)動(dòng)器、軟盤驅(qū)動(dòng)器和磁帶驅(qū)動(dòng)器的磁記錄驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用范圍得到顯著擴(kuò)展，這使得這些磁記錄驅(qū)動(dòng)器更為重要。對(duì)于在這些驅(qū)動(dòng)器中使用的磁記錄介質(zhì)，已做出了努力來顯著提高記錄密度。具體而言，因?yàn)橐肓薓R頭和PRML技術(shù)，表面記錄密度已被進(jìn)一步顯著提高。近年來，還引入了GMR頭和TMR頭，從而以每年高達(dá)100％的速率增加記錄密度。在未來需要磁記錄介質(zhì)實(shí)現(xiàn)更高的記錄密度。由此，需要增加磁記錄層的矯頑力、信號(hào)對(duì)噪聲比率(SNR)和分辨率。此外，還努力增加線記錄密度以及磁道密度以提高表面記錄密度。

最近的磁記錄驅(qū)動(dòng)器具有高達(dá)110KTPI的磁道密度。然而，增加磁道密度可能不利地使相鄰磁道中的磁記錄的數(shù)據(jù)相互干擾。于是在相鄰磁道之間的邊界中的磁化過渡區(qū)域作為降低SNR的噪聲源。這直接導(dǎo)致比特誤差率的降低，阻礙了記錄密度的提高。

為了增加表面記錄密度，需要減小在磁記錄介質(zhì)上的記錄位的尺寸，以確保每一個(gè)記錄位的盡可能高的飽和磁化和盡可能大的磁性膜厚度。然而，記錄位尺寸的減小會(huì)不利地減小每位的最小磁化體積(magnetizationvolume)，導(dǎo)致熱波動(dòng)。于是，會(huì)發(fā)生磁化反轉(zhuǎn)，從而消除所記錄的數(shù)據(jù)。

此外，所引起的磁道間距離的減小導(dǎo)致需要用于磁記錄驅(qū)動(dòng)器的非常高精度的磁道伺服技術(shù)。此外，通常使用這樣的方法來盡可能消除相鄰磁道所導(dǎo)致的不利影響，該方法使用寬記錄范圍和比記錄范圍窄的再現(xiàn)范圍。該方法可以將磁道間的影響抑制到最小。然而，這不利地使得難以獲得足夠的再現(xiàn)輸出且難以確保足夠的SNR。

為了避免熱波動(dòng)問題并確保足夠的SNR和足夠的輸出，已嘗試在記錄介質(zhì)的表面上沿磁道形成凹陷和凸起以使記錄磁道相互物理分離，以增加磁道密度。下文中將該技術(shù)稱為離散磁道方法。下文中，將通過離散磁道方法制造的磁記錄介質(zhì)稱為離散磁道介質(zhì)。

一種離散磁道介質(zhì)的公知實(shí)例為在其表面上具有凹陷和凸起圖形的非磁性基底上形成的磁記錄介質(zhì)，以形成物理分離的磁記錄磁道和伺服信號(hào)圖形(參見，例如，JP-A?2004-164692)。

該磁記錄介質(zhì)具有經(jīng)由軟磁性層在其上形成有多個(gè)凹陷和凸起的基底的表面上形成的鐵磁性層。在基底的表面上形成保護(hù)層。磁記錄介質(zhì)具有在凸起的區(qū)域中的形成在其上的且與周圍環(huán)境物理分離的磁記錄區(qū)域。

磁記錄介質(zhì)可以阻止軟磁性層中的磁疇壁的形成，避免熱波動(dòng)導(dǎo)致的不利影響和相鄰信號(hào)之間的干擾。這可以提供使得可能的噪聲最小化的高密度磁記錄介質(zhì)。

離散磁道方法包括在形成由多層薄膜制成的磁記錄介質(zhì)之后形成磁道的方法以及在直接在基底表面上或在其中將形成磁道的薄膜層中形成凹陷和凸起圖形之后形成磁記錄介質(zhì)的薄膜的方法(參見，例如，JP-A2004-178793和JP-A?2004-178794)。前一方法通常被稱為磁性層加工方法，在形成介質(zhì)之后進(jìn)行對(duì)表面的物理加工。不幸地，該介質(zhì)由此容易在非常復(fù)雜的制造工藝期間被沾污。后一方法通常被稱為壓紋(emboss)方法。該方法防止了介質(zhì)在制造工藝期間被沾污。然而，所形成的膜也具有在基底上形成的凹陷和凸起形狀，這妨礙了在浮動(dòng)(float)在介質(zhì)之上的同時(shí)進(jìn)行記錄和再現(xiàn)操作的記錄和再現(xiàn)頭的浮動(dòng)姿態(tài)和高度的穩(wěn)定性。

還公開了一種方法，其包括通過在所執(zhí)行的磁性層中注入氮或氧離子或者用激光輻射磁性層，在離散磁道介質(zhì)中形成磁道間區(qū)域(參見，JP-AHEI?5-205257)。然而，通過該方法形成的磁道間區(qū)域呈現(xiàn)減小的飽和磁化和增大的矯頑力。因此，磁化狀態(tài)仍然不足，這導(dǎo)致在磁性磁道部分上寫入信息時(shí)的模糊。

還公開可一種方法，其包括制造所謂的構(gòu)圖的介質(zhì)，該構(gòu)圖的介質(zhì)使得磁記錄圖形以特定的逐位規(guī)則設(shè)置，其中通過基于離子輻射的蝕刻形成磁記錄圖形(參見，IEICE?Technical?Report?MR2005-55(2006-02)，pp.21-26(The?Institute?of?Electronics，Information?and?CommunicationEngineers))。然而，即使通過該方法，不利地，在制造工藝期間會(huì)沾污磁記錄介質(zhì)。此外，表面平整度劣化。