[發明專利]制造磁記錄介質的方法以及磁記錄和再現裝置

有效

• 申請號: 200780044047.6
• 申請日: 2007-11-21
• 公開（公告）號: CN101542604A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發明（設計）人: 福島正人;坂脅彰
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;C23C14/48;G11B5/65;G11B5/851;H01F41/16;H01F41/32
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 楊曉光;于 靜

1.一種制造磁記錄介質的方法，所述磁記錄介質在非磁性基底的至少一個表面上具有磁性分離的磁記錄圖形，所述方法包括以下步驟：

在所述非磁性基底上形成磁性層；

在所述磁性層上形成掩模層；

在所述掩模層上形成抗蝕劑層；

使用壓模將所述磁記錄圖形的負圖形轉移到所述抗蝕劑層；

去除所述掩模層的與所述磁記錄圖形的所述負圖形對應的部分；

從抗蝕劑層側的表面將離子注入所述磁性層中，以使所述磁性層部分地非磁性化；以及

去除所述抗蝕劑層和所述掩模層。

2.根據權利要求1的制造磁記錄介質的方法，其中在所述磁性層上形成的所述掩模層具有屏蔽注入的離子的屏蔽能力S，所述屏蔽能力S滿足S＝(Mrt_初始-Mrt_之后)/Mrt_初始并且0.5≤S≤1，其中Mrt_初始表示在離子注入之前所述磁性層中的剩余磁化的量，Mrt_之后表示在以5×10¹⁶/cm²的劑量注入20-KeV氬之后所述磁性層中的剩余磁化的量。

3.根據權利要求1的制造磁記錄介質的方法，其中在所述磁性層上形成的所述掩模層具有磁記錄圖形形成特性L，所述磁記錄圖形形成特性L滿足L＝(L_之后-L_初始)/L_初始并且0≤L≤0.2，其中L_初始表示所述磁記錄圖形中的每一個負圖形的寬度，L_之后表示在通過所述掩模層的圖形將所述離子注入到所述磁性層中之后非磁性化的圖形的寬度。

4.根據權利要求1的制造磁記錄介質的方法，其中在所述磁性層上形成的所述掩模層包括選自Ta、W、Ta氮化物、W氮化物、Si、SiO₂、Ta₂O₅、Re、Mo、Ti、V、Nb、Sn、Ga、Ge、As和Ni中的一種的至少一個層。

5.根據權利要求1的制造磁記錄介質的方法，其中在所述磁性層上形成的所述掩模層具有多層結構。

6.根據權利要求1的制造磁記錄介質的方法，其中在所述磁性層上形成的所述掩模層由包含選自Ta、W、Mo、Ti、Nb和As中的一種的材料制成，并且所述去除所述掩模層的步驟為使用包含F的氣體的干法蝕刻步驟。

7.根據權利要求1的制造磁記錄介質的方法，其中在所述磁性層上形成的所述掩模層由包含Ni的材料制成，并且所述去除所述掩模層的步驟為使用包含CO的氣體的干法蝕刻步驟。

8.根據權利要求1的制造磁記錄介質的方法，其中在所述磁性層上形成的所述掩模層由包含Sn或Ga的材料制成，并且所述去除所述掩模層的步驟為使用包含Cl的氣體的干法蝕刻步驟。

9.根據權利要求1的制造磁記錄介質的方法，其中在所述磁性層上形成的所述掩模層由包含Ge的材料制成，并且所述去除所述掩模層的步驟為使用包含Br的氣體的干法蝕刻步驟。

10.根據權利要求1的制造磁記錄介質的方法，其中在所述將所述磁記錄圖形的所述負圖形轉移到所述抗蝕劑層的步驟之后所述抗蝕劑層具有形成于其中的凹陷，所述凹陷具有在0nm到10nm范圍內的厚度。

11.根據權利要求10的制造磁記錄介質的方法，其中在所述將所述磁記錄圖形的所述負圖形轉移到所述抗蝕劑層的步驟之后具有形成于其中的所述凹陷的所述抗蝕劑層具有側部分，所述側部分相對于所述非磁性基底的表面形成90°-70°范圍內的角。

12.根據權利要求1的制造磁記錄介質的方法，其中所述抗蝕劑層由通過用放射線輻射而固化的材料制成，并且在所述使用所述壓模將所述磁記錄圖形的負圖形轉移到所述抗蝕劑層的步驟期間或之后，用放射線輻射所述抗蝕劑層。

13.根據權利要求12的制造磁記錄介質的方法，其中所述放射線為紫外線。