[發(fā)明專利]光電子半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200780042404.5
• 申請日: 2007-11-16
• 公開（公告）號: CN101548396A
• 公開（公告）日: 2009-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 斯文·韋伯-拉布西爾伯;斯特凡·格魯貝爾
• 申請（專利權(quán)）人: 奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳 煒;許偉群

本專利申請要求德國專利申請10?2006?059?994.2的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi) 容通過引用結(jié)合于此。

本發(fā)明涉及一種光電子半導(dǎo)體器件，其具有：基本體、至少一個設(shè)置 在該基本體上的半導(dǎo)體芯片以及嵌入有所述至少一個半導(dǎo)體芯片的包封 物，該包封物由具有散射顆粒的透射輻射的材料構(gòu)成。

光電子半導(dǎo)體器件例如使用在顯示技術(shù)的領(lǐng)域中，在該領(lǐng)域中均勻照 亮的和高對比度的圖像是重要的。

在一種用于所述類型的傳統(tǒng)光電子半導(dǎo)體器件的制造方法中，首先用 合適的塑料材料擠壓包封預(yù)制的引線框架(Leadframe)，該塑料材料形 成用于部件殼體的基本體。該基本體在上側(cè)具有凹處，引線框架的端子從 兩個對置的側(cè)被引入該凹處中。半導(dǎo)體芯片例如LED芯片或者激光二極 管粘合在端子上并且電接觸。隨后，通常透射輻射的填料被填入該凹處中， 該填料嵌入有半導(dǎo)體本體。可表面安裝的光電子半導(dǎo)體器件的這種基本形 式例如在F.Moellmer和G.Waitl所著的文章“SIEMENS?SMT-TOPLED fuer?die?Oberflaechenmontage”(Siemens?Components?29(1991)，第4 期，第147頁至第149頁)中公開。

為了例如在視頻顯示中產(chǎn)生盡可能均勻照亮的并且盡可能高對比度 的圖像，光電子半導(dǎo)體器件被用作光源，這些光電子半導(dǎo)體器件的基本體 在整體上是漫反射的，即顯現(xiàn)為白色，或者將基本體在其邊緣區(qū)域印成深 色，而剩余的基本體保持白色。通過半導(dǎo)體器件的基本體的深色的構(gòu)建產(chǎn) 生了高對比度的圖像。該對比度會通過外來光入射而降低，因?yàn)橥鈦砉庠? 半導(dǎo)體器件的發(fā)射面和芯片表面上被反射。例如，對比度隨著環(huán)境光的增 大的亮度而降低并且所顯示的圖像好像褪色了。

如果半導(dǎo)體器件的填料也包含散射顆粒，則發(fā)射面是漫反射的。通過 使用連接在光電子半導(dǎo)體器件之前的光闌裝置和/或漫射板可以進(jìn)一步使 圖像的均勻度和對比度最優(yōu)化。然而，這些裝置也導(dǎo)致光損耗，使得由半 導(dǎo)體芯片發(fā)射的光必須具有更高的亮度。

因此，本發(fā)明的任務(wù)是提出一種光電子半導(dǎo)體器件，使得由半導(dǎo)體芯 片發(fā)射的光顯現(xiàn)為均勻的發(fā)光面并且該半導(dǎo)體器件能夠?qū)崿F(xiàn)高對比度的 圖像。

該任務(wù)通過開頭所述的類型的光電子半導(dǎo)體器件來解決，該半導(dǎo)體器 件的特征在于，帶有吸收劑的透射輻射的覆蓋層被施加到包封物上。

根據(jù)本發(fā)明的光電子半導(dǎo)體器件在視頻顯示器上產(chǎn)生了均勻照亮的 并且高對比度的圖像，其中各像素在所有可供其使用的像素面上顯現(xiàn)為均 勻地照亮，即不顯現(xiàn)為通過半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的小斑點(diǎn)。圖像的邊緣區(qū)域或 者調(diào)暗的或者關(guān)斷的區(qū)域顯現(xiàn)為黑色。通過施加具有吸收劑的透射光的覆 蓋層，入射的外來光的部分被最小化，并且由此即使在環(huán)境光的亮度提高 的情況下也產(chǎn)生了高對比度的圖像。由于包封物的透射輻射的材料中的散 射顆粒，所以由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的光顯現(xiàn)為均勻的大發(fā)光面。

通過分離成兩個層，即包含散射顆粒的包封物和被施加到包封物上的 包含吸收劑的覆蓋層，包封物中的散射顆粒密度對覆蓋層的吸收作用沒有 影響。有利的是，在散射顆粒密度提高的情況下為了獲得相同的對比度不 必提高覆蓋層中的吸收劑的份量。所發(fā)射的光的吸收損耗因此保持為低。 另一優(yōu)點(diǎn)是，在提高的對比度的情況下，所發(fā)射的光的亮度保持相同。也 就是說，由此在提高的對比度的情況下降低了對光電子半導(dǎo)體器件的亮度 的要求。此外，可以省去連接在半導(dǎo)體器件之前的改善對比度的元件，例 如用于屏蔽掉入射的環(huán)境光的框。

在另一有利的實(shí)施形式中，基本體由如下材料制造：該材料對于由半 導(dǎo)體芯片發(fā)射的輻射至少部分是吸收性的。基本體例如由深色或者黑色塑 料制成。由此，實(shí)現(xiàn)了器件的發(fā)射面與其余裝置面之間的良好的對比度。

本發(fā)明的其他有利的擴(kuò)展方案在從屬權(quán)利要求中說明。

以下參照實(shí)施例進(jìn)一步闡述本發(fā)明。其中：

圖1示出了第一實(shí)施例的示意性橫截面圖，

圖2示出了第二實(shí)施例的示意性橫截面圖，以及

圖3示出了第三實(shí)施例的示意性橫截面圖。

圖1至圖3示出了使用表面安裝技術(shù)(SMT)的光電子半導(dǎo)體器件 的實(shí)施例，其中半導(dǎo)體器件的相同部件在這些附圖中用相同的參考標(biāo)記來 表示。

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的光電子半導(dǎo)體器件的示意性 橫截面圖。