[發明專利]光電子半導體器件

有效

• 申請號: 200780042404.5
• 申請日: 2007-11-16
• 公開（公告）號: CN101548396A
• 公開（公告）日: 2009-09-30
• 發明（設計）人: 斯文·韋伯-拉布西爾伯;斯特凡·格魯貝爾
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳 煒;許偉群

1.一種光電子半導體器件，具有：基本體(1)、設置在該基本體上 的至少一個半導體芯片(3)和嵌有所述至少一個半導體芯片(3)的包封 物(6)，該包封物由具有散射顆粒的透射輻射的材料構成，其中具有吸收 劑的透射輻射的覆蓋層(5)被施加到包封物(6)上，其中

-散射顆粒和吸收劑分離成兩層，使得散射顆粒密度對覆蓋層(5)的 吸收作用沒有影響；并且

-基本體(1)具有在基本體的內表面(10)中的階梯(8)或者波浪 形(9)，其中包封物(6)在基本體(1)的凹處中的填充高度以階梯或者 波浪形(9)結束。

2.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其中基本體(1)由如 下材料制造：該材料對由所述至少一個半導體芯片(3)發射的輻射至少 部分是吸收性的。

3.根據權利要求1或者2所述的光電子半導體器件，其中在覆蓋層 (5)中的吸收劑對從外部入射的外來光是吸收性的。

4.根據權利要求1或者2所述的光電子半導體器件，其中基本體(1) 通過引線框架(2)形成，該引線框架用塑料材料擠壓包封，并且基本體 (1)在上側具有凹處。

5.根據權利要求1或者2所述的光電子半導體器件，其中基本體(1) 通過襯底(7)形成。

6.根據權利要求1或者2所述的光電子半導體器件，其中覆蓋層(5) 的材料由環氧樹脂制成，并且具有炭黑作為吸收劑。

7.根據權利要求1或者2所述的光電子半導體器件，其中覆蓋層(5) 的材料由硅樹脂制成，并且具有炭黑作為吸收劑。

8.根據權利要求1或者2所述的光電子半導體器件，其中覆蓋層(5) 的材料由硅樹脂-環氧-混合物制成，并且具有炭黑作為吸收劑。

9.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其中透射輻射的覆蓋 層(5)構建為薄板，該薄板被粘合到包封物(6)上。

10.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其中基本體(1)具 有所述階梯(8)，并且被施加到包封物(6)上的覆蓋層(5)的填充高度 以基本體(1)的表面結束。

11.根據權利要求10所述的光電子半導體器件，其中覆蓋層(5)的 水平伸展比包封物(6)的在階梯(8)上結束的水平面更大。

12.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其中基本體(1)具 有所述波浪形(9)，并且被施加到包封物(6)上的覆蓋層(5)的填充高 度以基本體(1)的表面結束。

13.根據權利要求12所述的光電子半導體器件，其中覆蓋層(5)的 水平伸展比包封物(6)的在波浪形(9)上結束的水平面更大，并且在垂 直方向上，在覆蓋層(5)的邊緣區域中的填充高度的最低處在包封物(6) 之下。