[發明專利]激光加工方法

有效

• 申請號: 200780034480.1
• 申請日: 2007-09-13
• 公開（公告）號: CN101516565A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發明（設計）人: 坂本剛志
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: B23K26/38
• 分類號: B23K26/38;B23K26/40;H01L21/301;B23K101/40
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍 淳

技術領域

本發明涉及用于沿著切斷預定線將具備半導體基板的板狀的加工 對象物切斷的激光加工方法。

背景技術

現有的激光加工方法，已知有這樣一種方法：以板狀的加工對象 物的一個面作為激光入射面而向加工對象物照射激光，從而沿著加工 對象物的切斷預定線，以在加工對象物的厚度方向上并列的方式，在 加工對象物的內部形成作為切斷的起點的多列改質區域，并且，以在 另一個面露出的方式，形成多列改質區域中最接近加工對象物的另一 個面的改質區域(例如，參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開第2005-123329號公報

發明內容

依照上述的激光加工方法，即使在加工對象物的另一個面為金屬 膜的面的情況下，也能夠用較小的外力沿著切斷預定線切斷加工對象 物。

然而，在上述的激光加工方法中，由于多列改質區域中最接近加 工對象物的另一個面的改質區域在另一個面露出，因而有可能從該改 質區域產生粒子。

因此，本發明是鑒于這樣的問題而提出的，其目的在于，提供一 種能夠防止粒子產生并能夠用較小的外力沿著切斷預定線切斷加工對 象物的激光加工方法。

為了達到上述目的，本發明的激光加工方法，通過以具備半導體 基板的板狀的加工對象物的一個面為激光入射面并向加工對象物照射 激光，從而沿著加工對象物的切斷預定線，以在加工對象物的厚度方 向上并列的方式，在半導體基板的內部形成作為切斷的起點的多列改 質區域，該激光加工方法包括：形成多列改質區域中最接近加工對象 物的另一個面的改質區域，同時沿著切斷預定線在另一個面形成具有 規定的深度的弱化區域的工序；以及形成多列改質區域中除了最接近 另一個面的改質區域以外的改質區域的工序。

在該激光加工方法中，沿著切斷預定線，以在加工對象物的厚度 方向上并列的方式，在半導體基板的內部形成作為切斷的起點的多列 改質區域，但是，在形成最接近加工對象物的另一個面的改質區域時， 沿著切斷預定線在另一個面形成具有規定的深度的弱化區域。如此， 由于各改質區域形成于半導體基板的內部，因而能夠防止從改質區域 產生粒子。而且，由于具有規定的深度的弱化區域沿著切斷預定線形 成于加工對象物的另一個面，因而能夠用較小的外力沿著切斷預定線 切斷加工對象物。

此外，通過向加工對象物照射激光，使得在加工對象物的內部產 生多光子吸收及其他的光吸收，從而形成各改質區域。另外，形成多 列改質區域中最接近加工對象物的另一個面的改質區域和弱化區域的 工序、以及形成多列改質區域中除了最接近加工對象物的另一個面的 改質區域以外的改質區域的工序的順序不同。

本發明涉及的激光加工方法中，另一個面有時為加工對象物所具 備的金屬膜的面。即使在該情況下，由于具有規定的深度的弱化區域 沿著切斷預定線形成于金屬膜的面，因而也能夠用較小的外力沿著切 斷預定線切斷加工對象物。

優選，本發明涉及的激光加工方法中，最接近另一個面的改質區 域和弱化區域，以相互分離的方式形成。于是，由于最接近加工對象 物的另一個面的改質區域形成于自另一個面起規定的距離的內側，因 而能夠更加可靠地防止從改質區域產生粒子。

優選，本發明涉及的激光加工方法中，弱化區域沿著切斷預定線 形成為虛線狀。于是，當外力作用于加工對象物時，由于應力容易集 中于弱化區域，因而能夠用更小的外力沿著切斷預定線切斷加工對象 物。

優選，本發明的激光加工方法還包括以多列改質區域和弱化區域 為切斷的起點，沿著切斷預定線切斷加工對象物的工序。于是，能夠 高精度地沿著切斷預定線切斷加工對象物。

本發明涉及的激光加工方法中，多列改質區域有時包括熔融處理 區域。

依照本發明，能夠防止粒子產生，并能夠用較小的外力沿著切斷 預定線切斷加工對象物。

附圖說明

圖1是本實施方式涉及的激光加工方法的激光加工中的加工對象 物的平面圖。

圖2是圖1所示的加工對象物的沿II-II線的截面圖。

圖3是本實施方式涉及的激光加工方法的激光加工后的加工對象 物的平面圖。

圖4是圖3所示的加工對象物的沿IV-IV線的截面圖。

圖5是圖3所示的加工對象物的沿V-V線的截面圖。

圖6是由本實施方式涉及的激光加工方法切斷的加工對象物的平 面圖。