[發(fā)明專利]碳化硅半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200780028312.1
• 申請日: 2007-08-07
• 公開（公告）號: CN101496175A
• 公開（公告）日: 2009-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 關(guān)章憲;谷由加里;柴田典義
• 申請（專利權(quán)）人: 豐田自動車株式會社;財團法人日本精細(xì)陶瓷中心
• 主分類號: H01L29/12
• 分類號: H01L29/12;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 蔣 亭;苗 堃

1.一種碳化硅半導(dǎo)體裝置，是利用柵電壓來控制源區(qū)域與漏區(qū)域之間的載流子流動的碳化硅半導(dǎo)體裝置，

至少具備碳化硅基板和溝道層，所述溝道層設(shè)于所述碳化硅基板上、構(gòu)成所述源區(qū)域與所述漏區(qū)域之間的載流子通道的至少一部分、并且含有Si_1-xGe_xC晶體和Ge濃度高于該晶體的Ge粒狀晶體，其中式Si_1-xGe_xC中，0≤x＜1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置，其中，在所述溝道層上還具備接觸層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置，其中，所述Ge粒狀晶體與所述碳化硅基板及所述接觸層相接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置，其中，所述接觸層由形成于所述溝道層表面上的Ge粒狀晶體構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置，其中，所述接觸層還含有Ge濃度低于所述Ge粒狀晶體的Si_1-xGe_xC晶體，其中式Si_1-xGe_xC中，0≤x＜1。

6.一種碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，是權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有如下的Ge粒狀晶體形成工序，即，在1400℃以下，將含有鍺原料的混合氣體供給至碳化硅基板上或溝道層上，使Ge粒狀晶體在所述碳化硅基板表面或所述溝道層表面生長。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，還具有如下的帽層形成工序，即，一邊從所述Ge粒狀晶體形成工序中的Ge粒狀晶體生長溫度以下加熱到1400～2000℃，一邊將含有硅原料、碳原料及根據(jù)需要使用的鍺原料的混合氣體供給至形成有所述Ge粒狀晶體的所述碳化硅基板上或所述溝道層上，使覆蓋所述Ge粒狀晶體的Si_1-xGe_xC晶體外延生長，在所述碳化硅基板表面或所述溝道層表面形成由該Si_1-xGe_xC晶體構(gòu)成的帽層，其中式Si_1-xGe_xC中，0≤x＜1。