[發明專利]用于填充介電質間隙的處理室

無效

• 申請號: 200780020050.4
• 申請日: 2007-05-30
• 公開（公告）號: CN101454482A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發明（設計）人: D·盧博米爾斯基;梁奇偉;樸書南;祝基恩;葉怡利
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: C23F1/00
• 分類號: C23F1/00;H01L21/306;C23C16/22;C23C16/30;C23C16/46;C23C16/48;C23C16/52;C23C16/40;C23C16/36
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陸 嘉

1.一種用于自介電前體的一等離子而在一基材上形成一介電層的系統，該系統包括：

一沉積室；

一基材座，是位于該沉積室中以支托該基材；

一遠程等離子產生系統，是耦合至該沉積室，其中該等離子產生系統是用以產生包括一反應性自由基的一第一介電前體；以及

一前體分配系統，包括一設置于該基材座上方的雙通道噴灑頭，其中該噴灑頭包括一面板，該面板具有一第一開孔組及一第二開孔組，該反應性自由基前體是通過該第一開孔組而進入該沉積室中，一第二介電前體則通過該第二開孔組而進入該沉積室中，且其中該些前體在進入該沉積室之前并未混合。

2.如權利要求1所述的系統，其中該第一開孔組為圓形，該第二開孔組為環形。

3.如權利要求1所述的系統，其中各個該些第二開孔是沿著該些第一開孔其中之一者的周圍而同中心對齊。

4.如權利要求1所述的系統，其中該前體分配系統更包括數個側邊噴嘴，是用以將一或多個額外的介電前體導引至該沉積室。

5.如權利要求4所述的系統，其中該些額外的介電前體是包括該第二介電前體。

6.如權利要求4所述的系統，其中該些額外的介電前體是包括一不同于該第一及第二介電前體的第三介電前體。

7.如權利要求4所述的系統，其中該些噴嘴的至少二者是具有不同長度。

8.如權利要求1所述的系統，其中在形成該介電層的過程中，該基材座是旋轉該基材。

9.如權利要求1所述的系統，其中在形成該介電層的過程中，該基材座可升高或降低。

10.如權利要求1所述的系統，其中該系統包括一基材座溫度控制系統，以控制該基材座的溫度。

11.如權利要求1所述的系統，其中該系統包括一原位等離子產生系統，該產生系統在該沉積室中由供應至該沉積室的該些介電前體而產生一等離子。

12.如權利要求1所述的系統，其中該系統包括一照射加熱系統。

13.如權利要求1所述的系統，其中該第一介電前體包括一自由基原子氧。

14.如權利要求1所述的系統，其中該第二介電前體包括一含硅前體。

15.如權利要求14所述的系統，其中該含硅前體是選自由硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、二乙基硅烷、四甲基正硅酸鹽(TMOS)、四乙基正硅酸鹽(TEOS)、八甲基三硅氧(OMTS)、八甲基環四硅氧(OMCTS)、四甲基環四硅氧(TOMCATS)、二甲基二甲氧基硅烷(DMDMOS)、二乙基甲基硅烷(DEMS)、甲基三乙氧基硅烷(MTES)、苯基二甲基硅烷及苯基硅烷所組成的群組。

16.一種用于自介電前體的一等離子而在一基材上形成一介電層的系統，該系統包括：

一沉積室；

一基材座，是位于該沉積室中以支托該基材，其中在沉積該介電層的過程中，該基材座是操作以進行旋轉；

一遠程等離子產生系統，是耦合至該沉積室，其中該等離子產生系統是用以產生包括一反應性自由基的一介電前體；

一前體分配系統，包括一設置于該基材座上方的雙通道噴灑頭，其中該噴灑頭包括一面板，該面板具有一第一開孔組及一第二開孔組，該反應性自由基前體是通過該第一開孔組而進入該沉積室中，一第二介電前體則通過該第二開孔組而進入該沉積室中，且其中該些前體在進入該沉積室之前并未混合；以及

一原位等離子產生系統，該產生系統在該沉積室中由供應至該沉積室的該些介電前體而產生一等離子。

17.如權利要求16所述的系統，其中該基材為一200mm或300mm的晶片。

18.如權利要求16所述的系統，其中該基材包括硅、鍺或砷化鎵。

19.如權利要求16所述的系統，其中在形成該介電層的過程中，該基材座可升高及降低以調整該基材相對于該噴灑頭的位置。

20.如權利要求16所述的系統，其中在形成該介電層的過程中，該基材座可同時旋轉并升高及降低。