[發(fā)明專利]用于填充介電質(zhì)間隙的處理室

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200780020050.4
• 申請日: 2007-05-30
• 公開（公告）號: CN101454482A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·盧博米爾斯基;梁奇?zhèn)?/a>;樸書南;?；?/a>;葉怡利
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料股份有限公司
• 主分類號: C23F1/00
• 分類號: C23F1/00;H01L21/306;C23C16/22;C23C16/30;C23C16/46;C23C16/48;C23C16/52;C23C16/40;C23C16/36
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 陸 嘉

1.一種用于自介電前體的一等離子而在一基材上形成一介電層的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：

一沉積室；

一基材座，是位于該沉積室中以支托該基材；

一遠(yuǎn)程等離子產(chǎn)生系統(tǒng)，是耦合至該沉積室，其中該等離子產(chǎn)生系統(tǒng)是用以產(chǎn)生包括一反應(yīng)性自由基的一第一介電前體；以及

一前體分配系統(tǒng)，包括一設(shè)置于該基材座上方的雙通道噴灑頭，其中該噴灑頭包括一面板，該面板具有一第一開孔組及一第二開孔組，該反應(yīng)性自由基前體是通過該第一開孔組而進(jìn)入該沉積室中，一第二介電前體則通過該第二開孔組而進(jìn)入該沉積室中，且其中該些前體在進(jìn)入該沉積室之前并未混合。

2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該第一開孔組為圓形，該第二開孔組為環(huán)形。

3.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中各個該些第二開孔是沿著該些第一開孔其中之一者的周圍而同中心對齊。

4.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該前體分配系統(tǒng)更包括數(shù)個側(cè)邊噴嘴，是用以將一或多個額外的介電前體導(dǎo)引至該沉積室。

5.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中該些額外的介電前體是包括該第二介電前體。

6.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中該些額外的介電前體是包括一不同于該第一及第二介電前體的第三介電前體。

7.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中該些噴嘴的至少二者是具有不同長度。

8.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中在形成該介電層的過程中，該基材座是旋轉(zhuǎn)該基材。

9.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中在形成該介電層的過程中，該基材座可升高或降低。

10.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該系統(tǒng)包括一基材座溫度控制系統(tǒng)，以控制該基材座的溫度。

11.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該系統(tǒng)包括一原位等離子產(chǎn)生系統(tǒng)，該產(chǎn)生系統(tǒng)在該沉積室中由供應(yīng)至該沉積室的該些介電前體而產(chǎn)生一等離子。

12.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該系統(tǒng)包括一照射加熱系統(tǒng)。

13.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該第一介電前體包括一自由基原子氧。

14.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該第二介電前體包括一含硅前體。

15.如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中該含硅前體是選自由硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、二乙基硅烷、四甲基正硅酸鹽(TMOS)、四乙基正硅酸鹽(TEOS)、八甲基三硅氧(OMTS)、八甲基環(huán)四硅氧(OMCTS)、四甲基環(huán)四硅氧(TOMCATS)、二甲基二甲氧基硅烷(DMDMOS)、二乙基甲基硅烷(DEMS)、甲基三乙氧基硅烷(MTES)、苯基二甲基硅烷及苯基硅烷所組成的群組。

16.一種用于自介電前體的一等離子而在一基材上形成一介電層的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：

一沉積室；

一基材座，是位于該沉積室中以支托該基材，其中在沉積該介電層的過程中，該基材座是操作以進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；

一遠(yuǎn)程等離子產(chǎn)生系統(tǒng)，是耦合至該沉積室，其中該等離子產(chǎn)生系統(tǒng)是用以產(chǎn)生包括一反應(yīng)性自由基的一介電前體；

一前體分配系統(tǒng)，包括一設(shè)置于該基材座上方的雙通道噴灑頭，其中該噴灑頭包括一面板，該面板具有一第一開孔組及一第二開孔組，該反應(yīng)性自由基前體是通過該第一開孔組而進(jìn)入該沉積室中，一第二介電前體則通過該第二開孔組而進(jìn)入該沉積室中，且其中該些前體在進(jìn)入該沉積室之前并未混合；以及

一原位等離子產(chǎn)生系統(tǒng)，該產(chǎn)生系統(tǒng)在該沉積室中由供應(yīng)至該沉積室的該些介電前體而產(chǎn)生一等離子。

17.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中該基材為一200mm或300mm的晶片。

18.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中該基材包括硅、鍺或砷化鎵。

19.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中在形成該介電層的過程中，該基材座可升高及降低以調(diào)整該基材相對于該噴灑頭的位置。

20.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中在形成該介電層的過程中，該基材座可同時旋轉(zhuǎn)并升高及降低。