[發(fā)明專利]形成具有中間層的半導(dǎo)體器件的方法及該半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200780019293.6
• 申請(qǐng)日: 2007-03-21
• 公開（公告）號(hào): CN101569005A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 詹姆斯·K·舍費(fèi)爾;拉馬·I·海格德;斯里坎斯·B·薩瑪維丹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 飛思卡爾半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 穆德駿;陸錦華

1.一種形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的方法，所述方 法包括：

提供襯底；以及

在所述襯底上形成第一疊層，其中形成所述第一疊層包括：

在所述襯底上形成介質(zhì)層；

在所述介質(zhì)層上形成包括鹵素和金屬的第一層；以及

在所述第一層上形成第一金屬層；

在所述襯底上形成第二疊層，其中形成所述第二疊層包括：

在所述襯底、所述第一層和所述第一金屬層上形成包括鹵素和金 屬的第二層；以及

在所述第二層上形成第二金屬層；其中所述第二層以不同于所述 第一層的組分為特征。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第二疊層還包括在所 述第二金屬層上形成多晶硅層。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第一疊層還包括圖案 化所述第一金屬層和所述第一層。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一層包括氟化鋁。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一層包括從由氟化銣、 氟化鋰、氟化銫、氟化鎂、氟化鍶、氟化鈣和氟化鈧組成的組中選擇 的至少一種材料。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一層的所述鹵素以氟為 特征。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一疊層以控制電極疊層 為特征，并且所述襯底包括半導(dǎo)體材料。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體 管器件以P溝道晶體管為特征。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述介質(zhì)層包括形成以高 介電常數(shù)材料為特征的介質(zhì)層。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第一金屬層包括形 成包括從由氮化鉬、氮氧化鉬、氮化鎢、氧化釕、釕、氮化鈦、氧化 銥組成的組中選擇的至少一種材料的金屬層。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第一金屬層包括形 成包括從由碳化鉭、氮化鉭、氮化硅鉭、氮化鈦、碳化鉿、氮化鉿、 碳化鋯、氮化鋯和碳化鈦組成的組中選擇的至少一種材料的金屬層。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第二疊層還包括：

在形成所述第二層之前去除所述襯底的第一區(qū)域之上的所述第一 金屬層并且去除所述第一區(qū)域之上的所述第一層，其中所述第二疊層 形成在所述第一區(qū)域中。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一疊層以用于第一 MOSFET器件的柵疊層為特征，且所述第二疊層以用于第二MOSFET 器件的柵疊層為特征，其中所述第一MOSFET器件以P溝道晶體管為 特征，且所述第二MOSFET器件以N溝道晶體管為特征。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中：

形成所述介質(zhì)層包括形成包括鉿、鋯和氧的層；

形成所述第一層包括形成包括氟化鋁的層；以及

形成所述第一金屬層包括形成包括從由氮化鉬和氮化鎢組成的組 中選擇的至少一種材料的層。