[發(fā)明專利]用于將銅電沉積在表面上的表面活性的條件性抑制劑

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200780016279.0
• 申請日: 2007-04-02
• 公開（公告）號(hào): CN101437983A
• 公開（公告）日: 2009-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·米舍萊
• 申請（專利權(quán)）人: 分子科技公司（TECMO）
• 主分類號(hào): C25D3/38
• 分類號(hào): C25D3/38;C25D3/40
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 于 輝

1.一種用于將銅電鍍到陰極上的電解液，其特征在于它包含有效量的 具有通式(B)的聚(亞烷基-雙胍)鹽：

R-NH-C(:NH)-NH-[-(CH₂)_p-NH-C(:NH)-NH-C(:NH)-NH-]_n-(CH₂)_p-NH₂，xAH

其中：

-p是介于2和12之間的整數(shù)，

-n是介于2和100之間的整數(shù)，

-R-表示NC-或H₂N-C(:O)-，

-AH表示酸，

-如果AH是一元酸，則x介于(n+1)和2(n+1)之間，如果AH是二元酸， 則x介于(n+1)/2和(n+1)之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于將銅電鍍到陰極上的電解液，其特征在 于在聚(亞烷基-雙胍)鹽的通式(B)中，

-p等于6，

-n介于6和20之間，

-R-表示NC-。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于將銅電鍍到陰極上的電解液，其特 征在于在通式(B)中AH表示硫酸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的用于將銅電鍍到陰極上的電 解液，其特征在于聚(亞烷基-雙胍)鹽濃度介于每升5?x?10^-7摩爾和每升10^-5摩爾之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的用于將銅電鍍到陰極上的電 解液，其特征在于它含有選自巰基-烷基磺酸、二烷基二硫化二磺酸和它們 的鹽的銅電解沉積促進(jìn)劑。

6.一種用于將銅電鍍到陰極上的方法，其特征在于由根據(jù)權(quán)利要求1 至5中任意一項(xiàng)所述的電解液開始獲得沉積物。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于將銅電鍍到陰極上的方法，其特征在于 陰極包含亞微米凹陷。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的用于將銅電鍍到陰極上的方法，其特征 在于在所述陰極與電解液接觸之前，在陽極和陰極之間施加電壓。

9.一種陰極上的銅電沉積物，其特征在于它由根據(jù)權(quán)利要求1至5中 任意一項(xiàng)所述的電解液獲得。

10.一種陰極上的銅電沉積物，其特征在于它由根據(jù)權(quán)利要求6至8中 任意一項(xiàng)所述的方法獲得。