[發明專利]用于金屬互連的介電間隔件和形成該介電間隔件的方法

有效

• 申請號: 200780015999.5
• 申請日: 2007-05-01
• 公開（公告）號: CN101438388A
• 公開（公告）日: 2009-05-20
• 發明（設計）人: B·博亞諾夫;M·A·侯賽因
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 柯廣華;陳景峻

1.一種具有多個互連的電子結構，包括：

第一介電層；

含有阻擋層的第一互連，其中所述第一互連在所述第一介電層上方；

含有阻擋層的第二互連，其中所述第二互連在所述第一介電層上方，并且其中所述第二互連與所述第一互連間隔分開；

第一介電間隔件，其中所述第一介電間隔件與所述第一互連的側壁相鄰，并且其中所述第一介電間隔件在所述第一與所述第二互連之間；

第二介電間隔件，其中所述第二介電間隔件與所述第二互連的側壁相鄰，其中所述第二介電間隔件在所述第一互連與所述第二互連之間，并且其中所述第一介電間隔件和所述第二介電間隔件相互不接觸，在所述第一介電間隔件與所述第二介電間隔件之間有第一間隙；以及

第二介電層，其中所述第二介電層在所述第一互連和所述第二互連的上方，其中所述第二介電層在所述第一介電間隔件和所述第二介電間隔件的上方，以及其中所述第二介電層在所述第一介電間隔件與所述介電間隔件之間的所述第一間隙上方。

2.如權利要求1所述的結構，其中所述第一間隙包括空氣。

3.如權利要求1所述的結構，其中所述第一介電間隔件和所述第二介電間隔件的介電常數大于所述第一介電層和所述第二介電層的介電常數，以及其中所述第一介電層和所述第二介電層的介電常數大于所述第一間隙的所述介電常數。

4.如權利要求3所述的結構，其中所述第一介電間隔件和所述第二介電間隔件由氮化硅、碳化硅、摻氮碳化硅、摻氧碳化硅、摻硼碳氮化物或摻硼碳化硅組成，其中所述第一介電層和所述第二介電層由二氧化硅、硅酸鹽或孔隙率0-10％的摻碳氧化物組成，以及其中所述第一間隙由孔隙率25-40％的摻碳氧化物或空氣組成。

5.如權利要求1所述的結構，其中所述第一介電間隔件和所述第二介電間隔件的寬度大致等于所述第一間隙的寬度。

6.如權利要求5所述的結構，其中所述第一介電間隔件和所述第二介電間隔件的寬度在5-20納米的范圍內。

7.如權利要求1所述的結構，還包括：

通孔，其中至少部分所述通孔是在所述第二介電層中，其中所述通孔在所述第一互連的部分頂部表面上，以及其中所述通孔是在所述第一介電間隔件的部分頂部表面上。

8.如權利要求1所述的結構，其中所述第一互連和所述第二互連凹進到所述第一介電層中。

9.如權利要求1所述的結構，還包括：

含有阻擋層的第三互連，其中所述第三互連在所述第一介電層上方，其中所述第三互連與所述第二互連間隔分開；

第三介電間隔件，其中所述第三介電間隔件與所述第二互連的側壁相鄰，并且其中所述第三介電間隔件在所述第二互連與所述第三互連之間；

第四介電間隔件，其中所述第四介電間隔件與所述第三互連的側壁相鄰，其中所述第四介電間隔件在所述第二互連與所述第三互連之間，其中所述第三介電間隔件和所述第四介電間隔件相互不接觸，在所述第三介電間隔件與所述第四介電間隔件之間有第二間隙，其中所述第二間隙的寬度大于在所述第一介電間隔件與所述第二介電間隔件之間的所述第一間隙的寬度，以及其中所述第二介電層在所述第三介電間隔件與所述第四介電間隔件之間的所述第二間隙中。

10.如權利要求1所述的結構，還包括：

含有阻擋層的第三互連，其中所述第三互連在所述第一介電層上方，其中所述第三互連與所述第二互連間隔分開，以及其中所述第二互連是偽互連；

第三介電間隔件，其中所述第三介電間隔件與所述第二互連的側壁相鄰，并且其中所述第三介電間隔件在所述第二互連與所述第三互連之間；

第四介電間隔件，其中所述第四介電間隔件與所述第三互連的側壁相鄰，其中所述第四介電間隔件在所述第二互連與所述第三互連之間，其中所述第三介電間隔件和所述第四介電間隔件相互不接觸，在所述第三介電間隔件與所述第四介電間隔件之間有第二間隙，其中所述第二間隙的寬度大致等于在所述第一介電間隔件與所述第二介電間隔件之間的所述第一間隙的寬度，以及其中所述第二介電層在所述第三介電間隔件與所述第四介電間隔件之間的所述第二間隙上方。

11.如權利要求10所述的結構，其中所述第一間隙和所述第二間隙包括空氣。