[發(fā)明專利]硫?qū)僭貙拥母呱a(chǎn)量印刷和金屬間材料的使用

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200780014627.0
• 申請日: 2007-02-23
• 公開（公告）號: CN101443892A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 耶羅恩·K·J·范杜倫;克雷格·R·萊德赫爾姆;馬修·R·魯濱遜
• 申請（專利權(quán)）人: 耶羅恩·K·J·范杜倫;克雷格·R·萊德赫爾姆
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 李 帆

1.一種用于形成吸收層的方法，其包括：

由前體材料在襯底上形成前體層，其中，所述前體材料包含：

a)含至少一種IB-IIIA族金屬間材料的至少第一層；

b)含硫?qū)僭仡w粒的至少第二層；以及

以一個或多個步驟使前體層反應(yīng)從而形成吸收層，其中所述 IB-IIIA族金屬間材料選自如下組：Cu₁In₂的δ相的組成、Cu₁In₂的δ 相與Cu₁₆In₉限定的相之間的組成、Cu₁In₂，Cu₁Ga₂、Cu₁Ga₂的中間固溶 體、Cu₆₈Ga₃₈、Cu₇₀Ga₃₀、Cu₇₅Ga₂₅、端際固溶體和緊鄰它的中間固溶體之 間的相的Cu-Ga組成、具有31.8至39.8wt％Ga的γ1相的Cu-Ga組 成、具有36.0至39.9wt％Ga的γ2相的Cu-Ga組成、具有39.7至 44.9wt％Ga的γ3相的Cu-Ga組成、具有66.7至68.7wt％Ga的θ 相的Cu-Ga組成、γ2與γ3之間的相的Cu-Ga組成、端際固溶體與γ1 之間的相的Cu-Ga組成、和富Cu的Cu-Ga。

2.權(quán)利要求1的方法，其中，硫?qū)僭仡w粒包含單質(zhì)硫?qū)僭亍?

3.權(quán)利要求1的方法，其中，在所述第二層之上形成所述第一層。

4.權(quán)利要求1的方法，其中，在所述第一層之上形成所述第二層。

5.權(quán)利要求1的方法，其中，所述第一層還含有單質(zhì)硫?qū)僭仡w 粒。

6.權(quán)利要求1的方法，其中，所述第一層的IB族元素是IB族硫 屬元素化物形式。

7.權(quán)利要求1的方法，其中，所述第一層的IIIA族元素是IIIA 族硫?qū)僭鼗镄问健?

8.權(quán)利要求1的方法，其還包括含單質(zhì)硫?qū)僭仡w粒的第三層。

9.權(quán)利要求1的方法，其中，所述兩種或更多種不同的IIIA族 元素包括銦和鎵。

10.權(quán)利要求1的方法，其中，所述IB族元素是銅。

11.權(quán)利要求1的方法，其中，硫?qū)僭仡w粒是硒、硫或碲的顆 粒。

12.權(quán)利要求1的方法，其中，所述前體層是基本上無氧的。

13.權(quán)利要求1的方法，其中，形成前體層包括形成分散體并將 分散體散布到襯底上以形成分散體膜，所述分散體包括含一種或多種 IB族元素的納米顆粒和含兩種或更多種IIIA族元素的納米顆粒。

14.權(quán)利要求13的方法，其中，形成前體層包括燒結(jié)所述膜以形 成前體層。

15.權(quán)利要求14的方法，其中，燒結(jié)前體層在將含有單質(zhì)硫?qū)僭? 素顆粒的層布置在前體層之上的步驟之前執(zhí)行。

16.權(quán)利要求1的方法，其中，所述襯底是柔性襯底，并且其中， 形成前體層和/或在前體層上布置含單質(zhì)硫?qū)僭仡w粒的層和/或加熱 前體層和硫?qū)僭仡w粒包括在柔性襯底上卷到卷制造的使用。

17.權(quán)利要求1的方法，其中，所述襯底是鋁箔襯底。

18.權(quán)利要求1的方法，其中，IB-IIIA硫?qū)僭鼗锘衔餅? Cu_zIn_(1-x)Ga_xS_2(1-y)Se_2y形式，其中，0.5≤z≤1.5、0≤x≤1.0且0≤y≤ 1.0。