[發明專利]在其中具有擴大部分的溝槽隔離結構

無效

• 申請號: 200780010703.0
• 申請日: 2007-03-19
• 公開（公告）號: CN101410966A
• 公開（公告）日: 2009-04-15
• 發明（設計）人: N·林德特
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/76
• 分類號: H01L21/76
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 曾祥夌;楊松齡

1.一種隔離結構，包括：

微電子襯底，其具有第一表面；

溝槽，其從所述微電子襯底第一表面延伸進入所述微電子襯底， 所述溝槽具有至少一個側壁和靠近所述微電子襯底第一表面的溝槽 開口；

腔室，其在與所述溝槽開口相對的所述溝槽的末端處形成于所述 微電子襯底內；以及

絕緣材料，其布置在所述腔室和所述溝槽內。

2.根據權利要求1所述的隔離結構，其特征在于，所述隔離結 構還包括緊靠所述至少一個溝槽側壁的至少一個側壁間隔。

3.根據權利要求1所述的隔離結構，其特征在于，所述絕緣材 料包括硅氧化物。

4.根據權利要求1所述的隔離結構，其特征在于，所述腔室的 寬度大于靠近所述溝槽底部的所述溝槽的寬度。

5.根據權利要求1所述的隔離結構，其特征在于，所述腔室包 括與所述溝槽開口相對的大體上弓形的部分。

6.一種形成隔離結構的方法，包括：

提供具有第一表面的微電子襯底；

形成從所述微電子襯底第一表面延伸進入所述微電子襯底的溝 槽，所述溝槽具有至少一個側壁和靠近所述微電子襯底第一表面的溝 槽開口；

在與所述溝槽開口相對的所述溝槽的末端處在所述微電子襯底 內形成腔室；以及

將絕緣材料布置在所述腔室和所述溝槽內。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在所述微電子襯 底內形成腔室包括：

在所述至少一個溝槽側壁和所述溝槽的底部上布置溝槽側壁間 隔；

去除緊靠所述溝槽底部的一部分所述溝槽側壁間隔，以暴露一部 分所述微電子襯底；以及

蝕刻所述暴露的微電子襯底以形成所述腔室。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，去除緊靠所述溝 槽底部的一部分溝槽側壁間隔包括將所述溝槽側壁間隔暴露于各向 異性蝕刻。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，提供微電子襯底 包括提供含硅的微電子襯底。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，蝕刻所述暴露的 微電子襯底包括用選擇性各向同性硅蝕刻來蝕刻所述暴露的微電子 襯底。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，對選擇性各向 同性硅蝕刻而言，蝕刻所述暴露的微電子襯底包括利用等離子蝕刻來 蝕刻所述暴露的微電子襯底。