[發(fā)明專利]電極及真空處理裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200780001610.1
• 申請日: 2007-03-20
• 公開（公告）號: CN101360846A
• 公開（公告）日: 2009-02-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐竹宏次;坂井智嗣;彌政敦洋;渡邊俊哉;山越英男;茂中俊明
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱重工業(yè)株式會社
• 主分類號: C23C16/505
• 分類號: C23C16/505;C23C16/455;H05H1/46
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 李貴亮

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電極部及真空處理裝置。?

背景技術(shù)

在現(xiàn)有的等離子體CVD裝置等中，向配備在真空等離子體處理裝置內(nèi)部的梯子狀的氣體吹出型電極供給反應(yīng)氣體，使其在等離子體氣氛內(nèi)進(jìn)行分解反應(yīng)而在基板(被處理基板)上形成薄膜。(例如，參考專利文獻(xiàn)1)?

專利文獻(xiàn)1：特開2000-12471號公報?

另外，為了應(yīng)對近幾年的成膜速度的高速化要求，有必要在電極和基板之間供給大量的反應(yīng)氣體。另一方面，為應(yīng)對提高成膜品質(zhì)的要求，有必要提高被供給的反應(yīng)氣體的氣壓，并且，縮窄電極和基板之間的距離(間隔長)。在這種情況下，有必要將反應(yīng)氣體的供排氣設(shè)置在電極和基板之間的附近區(qū)域。可是，當(dāng)將供給反應(yīng)氣體的噴出孔設(shè)置于基板附近時，會產(chǎn)生根據(jù)從噴出孔噴出的反應(yīng)氣體的噴流在基板上形成的成膜分布等不均勻的問題。?

在上述高壓氣體條件下，為了成膜為高品質(zhì)的膜，有必要將等離子體放電關(guān)入電極和基板之間，只在形成等離子體放電的等離子體放電區(qū)域通入反應(yīng)氣體，并且，有必要將成膜使用的反應(yīng)氣體快速排氣。在上述高壓氣壓條件中，在氣相中反應(yīng)氣體彼此的反應(yīng)速度大，容易形成分子量大的氣體分子(微粒子)。如果該微粒子進(jìn)入成膜中的膜中，則成為膜的品質(zhì)劣化的原因。?

作為解決該問題的方法，提出了從基板看從電極的背面噴出反應(yīng)氣體的方法，及相對于基板的面在平行方向噴出反應(yīng)氣體的方法等。但是，在所述的方法中，由于反應(yīng)氣體滯留在等離子體放電區(qū)域中的時間變長，生成上述微粒子的可能性高，提高膜的品質(zhì)很困難。?

另一方面，在反應(yīng)氣體的噴流直接碰撞在基板上時，有可能由于反應(yīng)?氣體的噴流在成膜面形成痕跡(氣體噴流痕)，產(chǎn)生成膜分布不均勻。?

并且，作為高壓氣體條件，可例示將噴出的反應(yīng)氣體的流速在貝克萊數(shù)(ペクレ數(shù))中成為約10以上的情況。在此，貝克萊數(shù)用(反應(yīng)氣體流速×代表長度)/反應(yīng)氣體的擴(kuò)散系數(shù))表示，作為代表長度，例如，可例舉反應(yīng)氣體噴出的孔的直徑等。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是為解決以上課題而產(chǎn)生的，其目的是提供一種電極及真空處理裝置，可提高成膜速度，并且可提高成膜分布的均勻性。?

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供以下方法。?

本發(fā)明的第一方案，提供一種電極，其具有：多個電極，其沿著被處理基板的面隔著規(guī)定間隔并排延伸；緩沖室，其在該多個電極之間沿著所述電極延伸；多個第一噴出口，其沿著所述電極延伸的方向設(shè)置，向所述緩沖室內(nèi)供給反應(yīng)氣體；第二噴出口，其形成為在所述電極延伸的方向延伸的狹縫狀，從所述緩沖室朝向所述被處理基板供給所述反應(yīng)氣體。?

根據(jù)本發(fā)明的第一方案，通過設(shè)置有向緩沖室內(nèi)供給反應(yīng)氣體的多個第一噴出口以及從緩沖室朝向被處理基板供給反應(yīng)氣體的狹縫狀的第二噴出口，可提高被處理基板的成膜速度，并且，可提高成膜分布的均勻性。?

由于第一噴出口沿著電極延伸的方向設(shè)置多個，因此可從各第一噴出口向緩沖室內(nèi)均勻地供給反應(yīng)氣體。并且，由于第二噴出口形成為在電極延伸的方向延伸的狹縫狀，因此在電極延伸的方向，能夠相對于被處理基板均勻地供給反應(yīng)氣體。因此，可提高被處理基板的成膜分布的均勻性。另一方面，從電極朝向被處理基板進(jìn)行等離子體放電且從設(shè)置于在多個電極之間配置的緩沖室上的第二噴出口噴出的反應(yīng)氣體被供給于等離子體放電區(qū)域。因此，向等離子體放電區(qū)域供給大量的反應(yīng)氣體可形成等離子體，可謀求被處理基板的成膜速度的提高。再者，等離子體放電區(qū)域內(nèi)的反應(yīng)氣體被從第二噴出口噴出的反應(yīng)氣體從等離子體放電區(qū)域壓出，因此反應(yīng)氣體在等離子體放電區(qū)域內(nèi)滯留的時間短。所以，可防止微粒子的發(fā)生，提高被處理基板的成膜分布的均勻性。例如，即使在以往的很難得到均勻的成膜分布的貝克萊數(shù)為10以上的條件下，也能得到均勻的成膜分?布。?

在上述發(fā)明中，優(yōu)選在相對于所述緩沖室夾著所述電極而鄰接的位置設(shè)置有排出部，所述排出部將所述反應(yīng)氣體從所述被處理基板和所述電極之間排出。?

由此，由于在相對于緩沖室夾著電極而鄰接的位置設(shè)置有排出部，因此可提高成膜分布的均勻性。?

排出部從被處理基板和電極之間排出反應(yīng)氣體，因此也可排出滯留在上述等離子體放電區(qū)域的反應(yīng)氣體。因此，可防止微粒子的發(fā)生，提高被處理基板的成膜分布的均勻性。再者，由于排出部配置在相對于緩沖室夾著電極而鄰接的位置，因此配置在接近上述等離子體放電區(qū)域附近的位置。因此，可容易地排出滯留在等離子體放電區(qū)域的反應(yīng)氣體，可進(jìn)一步提高被處理基板的成膜分布的均勻性。?