[發明專利]改善電極界面的有機FET及其制造方法

無效

• 申請號: 200780000712.1
• 申請日: 2007-05-09
• 公開（公告）號: CN101331611A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發明（設計）人: 豐田健治
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L51/05
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種有機FET，其特征在于：

在基板上疊層有柵極絕緣膜，

在所述柵極絕緣膜上，由金屬構成的源電極和由金屬構成的漏電極在水平方向上相對配置，

具有覆蓋所述柵極絕緣膜、所述源電極和所述漏電極的有機半導體層，

(1)第一有機分子層分別形成在所述源電極的上面和所述半導體層之間，以及所述漏電極的上面和所述半導體之間；

(2)第二有機分子層分別形成在所述源電極的相對的側面和所述半導體層之間，以及所述漏電極的相對的側面和所述半導體層之間；

(3)所述第一有機分子層由也可以具有取代基的碳原子數為4以上的烷基硫醇分子構成；

(4)所述第二有機分子層由選自對甲基苯硫酚分子和苯硫酚分子構成的組中的至少一種分子構成。

2.如權利要求1所述的有機FET，其特征在于：

所述烷基硫醇分子的碳原子數為4以上、12以下。

3.如權利要求1所述的有機FET，其特征在于：

所述烷基硫醇分子以通式：C_nH_2n+1S表示，n為4以上、12以下的整數。

4.如權利要求1所述的有機FET，其特征在于：

所述基板為柵電極。

5.一種有機FET的制造方法，其特征在于包括下述工序：

(1)工序1，在形成于基板的表面的柵極絕緣膜上，在水平方向上相對配置由金屬構成的源電極和由金屬構成的漏電極；

(2)工序2，在所述源電極的表面和所述漏電極的表面，形成由也可以具有取代基的碳原子數為4以上的烷基硫醇分子構成的第一有機分子層；

(3)工序3，通過向所述源電極的相對的側面和所述漏電極的相對的側面照射紫外光，除去在所述相對的側面上分別形成的所述第一有機分子層；

(4)工序4，在所述源電極的相對的側面和所述漏電極的相對的側面，分別形成由選自對甲苯硫酚分子和苯硫酚分子構成的組中的至少一種分子構成的第二有機分子層；

(5)工序5，疊層覆蓋所述柵極絕緣膜、所述第一有機分子層和所述第二有機分子層的有機半導體層。